【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、集成电路(ic)材料和设计的技术演变导致每一代电路都更小、更复杂。在这种ic演进过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件数量)通常会增加，而几何尺寸(例如，使用制造工艺可以创建的最小组件(或线))则会减小。这种按比例缩小提供了提高生产效率和降低相关成本的好处。
2、上述按比例缩小进一步增加了ic制造的复杂性，因此，为了充分实现这些进步，需要在ic制造方面进行相应的发展。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及电容器结构，设置在衬底上，其中，电容器结构包括：第一电极；和多个第二电极，其中，多个第二电极中的至少一个第二电极嵌入第一电极内。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；电容器结构，设置在衬底的第一区上，其中，电容器结构包括：第一电极，具有背向衬底的上表面；和第二电极，插入第一电极中，并且具有与第一电极的上表面基本对齐的上表面；以及逻辑器件，包括栅电极，其中，逻辑器件的栅电极相对于衬底位于与电容器结构的第一电极的高度基本相同的高度处。
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一电极；去除第一电极的部分以形成多个开口；在多个开口内形成电容器电介质；以及在相应的电容器电介质上形成第二电极，其中，第二电极彼此电连接。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极的部分设置在所述多个第二电极中的一个第二电极与所述衬底之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极的第一厚度大于所述多个第二电极中的一个第二电极的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有背向所述衬底的上表面，并且所述第一电极的所述上表面与所述多个第二电极中的一个第二电极的上表面基本对齐。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有与所述上表面相对的下表面，并且所述第一电极的所述下表面相对于所述衬底的高度不同于所述多个第二电极中的所述一个第二电极的下表面的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括具有第一导电类型的第一阱区、由所述第一阱区包围并具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱区、以及位于所述第二阱区上方并具有所述第一导电类型的掺杂区，并且其中，所述衬底的所述掺杂区用作所述多个第二电极中的另一个第二电极。
7.根据权利要求6所述的半导
8.一种半导体器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有与所述第一电极的所述上表面相对的下表面，并且所述第一电极的所述下表面相对于所述衬底的高度不同于所述第二电极的下表面的高度。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极的部分设置在所述多个第二电极中的一个第二电极与所述衬底之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极的第一厚度大于所述多个第二电极中的一个第二电极的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有背向所述衬底的上表面，并且所述第一电极的所述上表面与所述多个第二电极中的一个第二电极的上表面基本对齐。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有与所述上表面相对的下表面，并且所述第一电极的所述下表面相对于所述衬底的高度不同于所述多个第二电极中的所述一个第二电极的下表面的高度。
6.根据权利要求1所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈晖闳，余科京，张育甄，郑安皓，林彦良，萧茹雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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