【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体器件、半导体模块以及制造方法。
技术介绍
1、在专利文献1中记载了“具备包括多个半导体芯片30的半导体组装体110的半导体模块100作为整体能够构成为变换器、包括控制电路的ipm（intelligent power module：智能功率模块）等功率器件”（第0031段）、“作为一个例子，pcb40利用键合线55与半导体芯片30电连接”（第0032段）、“可以在外部连接部50实施镀镍。通过在外部连接部50连接铜制的母线而能够对半导体组装体110的各主端子52应用大电流”（第0033段）、以及“半导体组装体110可以具有将半导体芯片30和主端子52电连接的金属布线板70。也可以利用线和/或带等导电部件来代替金属布线板70将半导体芯片30和主端子52电连接”（第0035段）。
2、在专利文献2中记载了“两个半导体元件3利用布线部件w1电连接。一个半导体元件3经由布线部件w2与第二电路层24电连接。第二电路层24经由布线部件w3与后述的外部端子27电连接。另一个半导体元件3经由布线部件w4与第三电路层25电连接。第三电路层25经由布线部件w5与其他外部端子27电连接”（第0023段）、“应予说明，上述的各布线部件使用导体线。导电线的材质能够使用金、铜、铝、金合金、铜合金、铝合金中的任一种或这些的组合。另外，作为布线部件还能够使用除了导电线以外的部件。例如，作为布线部件能够使用带”（第0024段）、“绝缘电路基板2和半导体元件3被作为包围周围的框体部的壳体11覆盖。壳体11由包围绝缘电路基板2的外周侧
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2021-2610号公报
6、专利文献2：国际公开第2020/121680号
技术实现思路
1、技术问题
2、将半导体模块小型化，并减小控制电路和半导体器件之间的物理距离。
3、一般公开
4、在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体器件，具备：开关元件，其在一个面具有第一主电极和控制电极，在相反的面具有第二主电极；以及搭载基板，其在开关元件的搭载面具有与第一主电极连接的第一主电极布线和与控制电极连接的控制布线，在开关元件的搭载面中的没有配置开关元件的区域具有与第一主电极布线连接的第一主电极板和与控制电极连接的控制电极板。
5、上述半导体器件也可以具备密封部，该密封部覆盖搭载基板中的开关元件的搭载面和开关元件中的搭载基板侧的面，并且使第一主电极板、第二主电极或与第二主电极连接的第二主电极板、以及控制电极板露出。
6、上述任一半导体器件中的在搭载基板中的开关元件的搭载面，开关元件可以配置在第一主电极板和控制电极板之间。
7、在上述任一半导体器件中，第一主电极布线可以具有与第一主电极接触的多个凸块，控制布线可以具有与控制电极接触的多个凸块。
8、在上述任一半导体器件中，搭载基板可以具有绝缘基板、以及形成在绝缘基板上的第一主电极布线、第一主电极板、控制布线和控制电极板。
9、在上述任一半导体器件中，搭载基板可以具有在绝缘基板的与搭载面相反侧的面形成的导热板。
10、在上述任一半导体器件中，搭载基板可以在开关元件的搭载面还具有与第一主电极连接的子布线，在开关元件的搭载面中的没有配置开关元件的区域可以具有与子布线连接的子电极板。
11、在上述任一半导体器件中，开关元件可以为功率mosfet或igbt。
12、在上述任一半导体器件中，开关元件可以为sic半导体元件。
13、在本专利技术的第二方式中，提供一种半导体模块，具备：至少一个半导体器件；主基板，其在背面连接有至少一个半导体器件的第一主电极板、第二主电极或与第二主电极连接的第二主电极板、以及控制电极板；以及散热器，其与至少一个半导体器件的与主基板相反侧的面接触。
14、在上述的半导体模块中，主基板可以在正面具有经由主基板内的布线与至少一个半导体器件的第一主电极板连接的端子、以及经由主基板内的布线与第二主电极或第二主电极板连接的端子。
15、在上述任一半导体模块中，可以具备搭载于主基板的正面的、对至少一个半导体器件进行控制的至少一个控制器件。
16、上述任一半导体模块为变换器装置，至少一个半导体器件可以包括分别分配在一个或多个相中的各相的上臂和下臂的多个半导体器件。
17、在上述任一半导体模块中，多个半导体器件中的分配在各相的上臂的各半导体器件可以在主基板的背面配置成一列，多个半导体器件中的分配在各相的下臂的各半导体器件可以在主基板的背面与分配在各相的上臂的各半导体器件的列并排地配置成一列。
18、在上述任一半导体模块中的主基板的背面，分配在各相的上臂的各半导体器件可以以第一主电极板位于多个半导体器件中的分配在对置的下臂的半导体器件侧的朝向配置，在主基板的背面，分配在各相的下臂的各半导体器件可以以第一主电极板位于多个半导体器件中的分配在对置的上臂的半导体器件侧的朝向配置。
19、在本专利技术的第三方式中，提供一种制造方法，包括：准备在一个面具有第一主电极和控制电极且在相反的面具有第二主电极的开关元件的步骤；制作在应搭载开关元件的搭载面具有第一主电极布线和控制布线的搭载基板的步骤；通过将第一主电极与第一主电极布线接合并将控制电极与控制布线接合，从而在搭载基板的应搭载开关元件的搭载面搭载开关元件的步骤；以及将与第一主电极布线连接的第一主电极板以及与控制电极连接的控制电极板接合在搭载基板的应搭载开关元件的搭载面中的没有配置开关元件的区域的步骤。
20、上述的制造方法可以还包括以覆盖搭载基板中的开关元件的搭载面和开关元件中的搭载基板侧的面，并且使第一主电极板、第二主电极或与第二主电极连接的第二主电极板和控制电极板露出的方式进行基于密封材料的密封的步骤。
21、上述任一制造方法可以包括准备在背面连接有至少一个半导体器件的第一主电极板、第二主电极或与第二主电极连接的第二主电极板、以及控制电极板的主基板的步骤；在主基板的背面连接至少一个半导体器件的步骤；以及在至少一个半导体器件的与主基板相反侧的面安装散热器的步骤。
22、上述任一制造方法可以具备在主基板的正面搭载对至少一个半导体器件进行控制的至少一个控制器件的步骤。
23、在本专利技术的第四方式中，提供一种半导体模块，具备：至少一个半导体器件，其在一个面设置有第一主电极板、第二主电极板和控制电极板，且具有第一主电极与所述第一主电极板连接、第二主电极与所述第二主电极板连接、控制电极与所述控制电极板连接的开关元件；主基板，其在背面连接有所述至少一个半导体器件的所述第一主电极板、所述第二主电极板和所述控制电极板；以及散热器，其设置在所述主基板的供所述至少一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
10.一种半导体模块，其特征在于，具备：
11.根据权利要求10所述的半导体模块，其特征在于，
12.根据权利要求10或11所述的半导体模块，其特征在于，
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体模块，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体模块，其特
16.一种制造方法，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，
18.根据权利要求16或17所述的制造方法，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，
20.一种半导体模块，其特征在于，具备：
21.根据权利要求20所述的半导体模块，其特征在于，
22.根据权利要求20或21所述的半导体模块，其特征在于，
23.根据权利要求20所述的半导体模块，其特征在于，
24.根据权利要求20至22中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
25.根据权利要求20至22中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
26.根据权利要求25所述的半导体模块，其特征在于，
27.根据权利要求20至26中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
28.根据权利要求20至26中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
29.根据权利要求28所述的半导体模块，其特征在于，
30.根据权利要求28所述的半导体模块，其特征在于，
31.根据权利要求28至30中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
32.根据权利要求31所述的半导体模块，其特征在于，具备：
33.根据权利要求31所述的半导体模块，其特征在于，具备：
34.根据权利要求33所述的半导体模块，其特征在于，具备：
35.根据权利要求31至34中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
36.根据权利要求28所述的半导体模块，其特征在于，
37.根据权利要求36所述的半导体模块，其特征在于，
38.一种制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
10.一种半导体模块，其特征在于，具备：
11.根据权利要求10所述的半导体模块，其特征在于，
12.根据权利要求10或11所述的半导体模块，其特征在于，
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体模块，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体模块，其特征在于，
16.一种制造方法，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，
18.根据权利要求16或17所述的制造方法，其特征在于，
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，
20.一种半导体模块，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：山内浩平，望月英司，西泽龙男，岩田英树，西村芳孝，鹢头政和，木口龙雅，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。