System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:44046114 阅读:2 留言:0更新日期:2025-01-15 01:25
本发明专利技术公开了半导体装置,半导体装置包括:壳体;基板;开关器件,开关器件均为单个芯片;多个高侧开关器件和多个低侧开关器件共同组成第一开关器件组和第二开关器件组,且各开关器件之间均相互间隔,第一方向上任意两个相邻的开关器件分别为高侧开关器件和低侧开关器件。由此,通过使第一开关器件组中的高侧开关器件和第二开关器件组中的低侧开关器件在第二方向上相对应,使第一开关器件组中的低侧开关器件和第二开关器件组中的高侧开关器件在第二方向上相对应,这样可以使高侧开关器件和低侧开关器件的分布更加均匀合理,从而不仅可以提升半导体装置的散热性能,还可以降低电路电感,进一步地,可以提升半导体装置的工作性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其是涉及一种半导体装置


技术介绍

1、随着半导体芯片技术及封装技术的发展,半导体装置的应用越来越广泛。半导体装置可以通过控制半桥模块中开关器件的导通和关断,从而控制电路中电流的流向和大小,以满足不同负载的需求。

2、在相关技术中,功率半导体半桥模块由igbt和frd两颗芯片组构成一个上桥或下桥,也可以由多个芯片组构成一个上桥或下桥,随着rc-igbt芯片具有单颗芯片小型化等优势而广泛使用,因此需要提供一种由rc-igbt或mosfet单颗芯片形成的散热均匀且低电感的功率半导体半桥模块。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种半导体装置,该半导体装置的散热性能更佳,电路电感更低。

2、根据本专利技术的半导体装置,包括:壳体;基板,所述基板设置于所述壳体内,设定所述基板第一方向的两侧分别为第一侧和第二侧,且所述基板第二方向的两侧分别为第三侧和第四侧;开关器件,所述开关器件设置于所述基板上且包括多个高侧开关器件和多个低侧开关器件,所述高侧开关器件和所述低侧开关器件均为单个芯片;多个所述高侧开关器件和多个所述低侧开关器件共同组成第一开关器件组和第二开关器件组,所述第一开关器件组邻近所述第三侧设置,所述第二开关器件组邻近所述第四侧设置且与所述第一开关器件组在第二方向上相互间隔,所述第一开关器件组中包括在第一方向上相互间隔的多个所述高侧开关器件和多个所述低侧开关器件,所述第一开关器件组中任意两个相邻的所述开关器件分别为所述高侧开关器件和所述低侧开关器件;所述第二开关器件组中包括在第一方向上相互间隔的多个所述高侧开关器件和多个所述低侧开关器件,所述第二开关器件组中任意两个相邻的所述开关器件分别为所述高侧开关器件和所述低侧开关器件,所述第一开关器件组中的所述高侧开关器件和所述第二开关器件组中的所述低侧开关器件在第二方向上相对应,所述第一开关器件组中的所述低侧开关器件和所述第二开关器件组中的所述高侧开关器件在第二方向上相对应。

3、由此,通过使第一开关器件组中的高侧开关器件和第二开关器件组中的低侧开关器件在第二方向上相对应,使第一开关器件组中的低侧开关器件和第二开关器件组中的高侧开关器件在第二方向上相对应,这样可以使高侧开关器件和低侧开关器件的分布更加均匀合理,从而不仅可以提升半导体装置的散热性能,还可以降低电路电感,进一步地,可以提升半导体装置的工作性能。

4、在本专利技术的一些示例中,所述第一开关器件组中的所述高侧开关器件和所述第二开关器件组中的所述低侧开关器件在第二方向上的投影相互重合;和/或所述第一开关器件组中的所述低侧开关器件和所述第二开关器件组中的所述高侧开关器件在第二方向上的投影相互重合。

5、在本专利技术的一些示例中,所述基板的所述第一侧设置有正电势外接端子和负电势外接端子,所述基板的所述第二侧设置有负载端子。

6、在本专利技术的一些示例中,多个所述高侧开关器件选择性地同时与所述正电势外接端子电连接;或多个所述低侧开关器件选择性地同时与所述负电势外接端子电连接。

7、在本专利技术的一些示例中,还包括正导电带和负导电带,所述正导电带间隔设置于所述开关器件第三方向远离所述基板的一侧,所述正导电带的一端与所述正电势外接端子电连接,所述正导电带与所述多个所述高侧开关器件电连接;所述负导电带间隔设置于所述开关器件第三方向远离所述基板的一侧且与所述正导电带在第三方向上间隔设置,所述负导电带的一端与所述负电势外接端子电连接,所述负导电带与所述多个所述低侧开关器件电连接,其中,所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直设置。

8、在本专利技术的一些示例中,所述正导电带和所述正电势外接端子为一体成型的结构件;和/或所述负导电带和所述负电势外接端子为一体成型的结构件。

9、在本专利技术的一些示例中,所述正导电带和所述正电势外接端子为分体结构件且相互接触;和/或所述负导电带和所述负电势外接端子为分体结构件且相互接触。

10、在本专利技术的一些示例中,所述基板上还设置有多个高侧电连接端子和多个低侧电连接端子,多个所述高侧电连接端子与多个所述高侧开关器件一一对应地电连接,多个所述高侧电连接端子与所述正导电带电连接,多个所述低侧电连接端子与多个所述低侧开关器件一一对应地电连接,多个所述低侧电连接端子与所述负导电带电连接。

11、在本专利技术的一些示例中,所述第一开关器件组中的所述高侧电连接端子间隔设置于所述高侧开关器件第二方向朝向所述第三侧的一侧,所述第一开关器件组中的所述低侧电连接端子间隔设置于所述低侧开关器件第二方向朝向所述第三侧的一侧;所述第二开关器件组中的所述高侧电连接端子间隔设置于所述高侧开关器件第二方向朝向所述第四侧的一侧,所述第二开关器件组中的所述低侧电连接端子间隔设置于所述低侧开关器件第二方向朝向所述第四侧的一侧。

12、在本专利技术的一些示例中,所述基板上设置有所述高侧电连接基岛和所述低侧电连接基岛,所述高侧电连接基岛和所述低侧电连接基岛均与所述基板之间相互电隔离,所述高侧开关器件和所述高侧电连接端子均设置于所述高侧电连接基岛上且与所述高侧电连接基岛电连接,所述高侧开关器件第三方向的一侧与所述高侧电连接基岛电连接,所述高侧开关器件第三方向的另一侧与所述基板电连接,所述第一开关器件组中的所述高侧电连接端子设置于所述高侧电连接基岛第一方向更加邻近所述基板第一侧的一侧,所述第二开关器件组中的所述高侧电连接端子设置于所述高侧电连接基岛第一方向更加邻近所述基板第二侧的一侧;所述第一开关器件组中的所述低侧电连接基岛间隔设置于所述低侧开关器件第二方向朝向所述第三侧的一侧,所述第二开关器件组中的所述低侧电连接基岛间隔设置于所述低侧开关器件第二方向朝向所述第四侧的一侧,所述低侧电连接端子设置于所述低侧电连接基岛且与所述低侧电连接基岛电连接,所述低侧开关器件第三方向的一侧与所述基板电连接,所述低侧开关器件第三方向的另一侧与所述低侧电连接基岛电连接,所述第一开关器件组中的所述低侧电连接端子设置于所述低侧电连接基岛在第一方向上更加邻近所述基板的第二侧的一侧,所述第二开关器件组中的所述低侧电连接端子设置于所述低侧电连接基岛在第一方向上更加邻近所述基板第一侧的一侧。

13、在本专利技术的一些示例中,所述正导电带设置有多个正电连接柱,多个所述正电连接柱在第三方向上延伸设置且与多个所述高侧电连接端子接触电连接;所述负导电带设置有多个负电连接柱,多个所述负电连接柱在第三方向上延伸设置且与多个所述低侧电连接端子接触电连接。

14、在本专利技术的一些示例中,所述正导电带在第三方向上的投影与所述低侧电连接端子第三方向上的投影相互重合,所述负导电带间隔设置于所述正导电带第三方向远离所述开关器件的一侧,所述正导电带上开设有避让孔,所述负电连接柱穿设所述避让孔且与所述低侧电连接端子接触电连接;和/或所述负电连接柱设置有弯折部,所述弯折部避让所述正导电带,以使所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一开关器件组(5)中的所述高侧开关器件(201)和所述第二开关器件组(6)中的所述低侧开关器件(202)在第二方向上的投影相互重合;和/或

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)的所述第一侧(1)设置有正电势外接端子(101)和负电势外接端子(102),所述基板(10)的所述第二侧(2)设置有负载端子(103)。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,多个所述高侧开关器件(201)选择性地同时与所述正电势外接端子(101)电连接;或

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,还包括正导电带(104)和负导电带(105),所述正导电带(104)间隔设置于所述开关器件第三方向远离所述基板(10)的一侧,所述正导电带(104)的一端与所述正电势外接端子(101)电连接,所述正导电带(104)与所述多个所述高侧开关器件(201)电连接;

6.根据权利要求5所述的半导体装置(100),其特征在于,所述正导电带(104)和所述正电势外接端子(101)为一体成型的结构件;和/或所述负导电带(105)和所述负电势外接端子(102)为一体成型的结构件。

7.根据权利要求5所述的半导体装置(100),其特征在于,所述正导电带(104)和所述正电势外接端子(101)为分体结构件且相互接触;和/或所述负导电带(105)和所述负电势外接端子(102)为分体结构件且相互接触。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)上还设置有多个高侧电连接端子(203)和多个低侧电连接端子(204),多个所述高侧电连接端子(203)与多个所述高侧开关器件(201)一一对应地电连接,多个所述高侧电连接端子(203)与所述正导电带(104)电连接,多个所述低侧电连接端子(204)与多个所述低侧开关器件(202)一一对应地电连接,多个所述低侧电连接端子(204)与所述负导电带(105)电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第一开关器件组(5)中的所述高侧电连接端子(203)间隔设置于所述高侧开关器件(201)第二方向朝向所述第三侧(3)的一侧,所述第一开关器件组(5)中的所述低侧电连接端子(204)间隔设置于所述低侧开关器件(202)第二方向朝向所述第三侧(3)的一侧;

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)上设置有所述高侧电连接基岛(205)和所述低侧电连接基岛(206),所述高侧电连接基岛(205)和所述低侧电连接基岛(206)均与所述基板(10)之间相互电隔离,所述高侧开关器件(201)和所述高侧电连接端子(203)均设置于所述高侧电连接基岛(205)上且与所述高侧电连接基岛(205)电连接,所述高侧开关器件(201)第三方向的一侧与所述高侧电连接基岛(205)电连接,所述高侧开关器件(201)第三方向的另一侧与所述基板(10)电连接,所述第一开关器件组(5)中的所述高侧电连接端子(203)设置于所述高侧电连接基岛(205)第一方向更加邻近所述基板(10)第一侧(1)的一侧,所述第二开关器件组(6)中的所述高侧电连接端子(203)设置于所述高侧电连接基岛(205)第一方向更加邻近所述基板(10)第二侧(2)的一侧;

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述正导电带(104)设置有多个正电连接柱,多个所述正电连接柱在第三方向上延伸设置且与多个所述高侧电连接端子(203)接触电连接;

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述正导电带(104)在第三方向上的投影与所述低侧电连接端子(204)第三方向上的投影相互重合,所述负导电带(105)间隔设置于所述正导电带(104)第三方向远离所述开关器件的一侧,所述正导电带(104)上开设有避让孔,所述负电连接柱穿设所述避让孔且与所述低侧电连接端子(204)接触电连接;和/或

13.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述负导电带(105)在第三方向上的投影与所述高侧电连接端子(203)第三方向上的投影相互重合,所述正导电带(104)间隔设置于所述负导电带(105)第三方向远离所述开关器件的一侧,所述负导电带(105)上开设有避让孔,所述正电连接柱穿设所述避让孔且与所述高侧电连接端子(203)接触电连接;和/或

14.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)上设置有所述高侧电连接基岛(205)和所述低侧电连接...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一开关器件组(5)中的所述高侧开关器件(201)和所述第二开关器件组(6)中的所述低侧开关器件(202)在第二方向上的投影相互重合;和/或

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)的所述第一侧(1)设置有正电势外接端子(101)和负电势外接端子(102),所述基板(10)的所述第二侧(2)设置有负载端子(103)。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,多个所述高侧开关器件(201)选择性地同时与所述正电势外接端子(101)电连接;或

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,还包括正导电带(104)和负导电带(105),所述正导电带(104)间隔设置于所述开关器件第三方向远离所述基板(10)的一侧,所述正导电带(104)的一端与所述正电势外接端子(101)电连接,所述正导电带(104)与所述多个所述高侧开关器件(201)电连接;

6.根据权利要求5所述的半导体装置(100),其特征在于,所述正导电带(104)和所述正电势外接端子(101)为一体成型的结构件;和/或所述负导电带(105)和所述负电势外接端子(102)为一体成型的结构件。

7.根据权利要求5所述的半导体装置(100),其特征在于,所述正导电带(104)和所述正电势外接端子(101)为分体结构件且相互接触;和/或所述负导电带(105)和所述负电势外接端子(102)为分体结构件且相互接触。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)上还设置有多个高侧电连接端子(203)和多个低侧电连接端子(204),多个所述高侧电连接端子(203)与多个所述高侧开关器件(201)一一对应地电连接,多个所述高侧电连接端子(203)与所述正导电带(104)电连接,多个所述低侧电连接端子(204)与多个所述低侧开关器件(202)一一对应地电连接,多个所述低侧电连接端子(204)与所述负导电带(105)电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第一开关器件组(5)中的所述高侧电连接端子(203)间隔设置于所述高侧开关器件(201)第二方向朝向所述第三侧(3)的一侧,所述第一开关器件组(5)中的所述低侧电连接端子(204)间隔设置于所述低侧开关器件(202)第二方向朝向所述第三侧(3)的一侧;

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)上设置有所述高侧电连接基岛(205)和所述低侧电连接基岛(206),所述高侧电连接基岛(205)和所述低侧电连接基岛(206)均与所述基板(10)之间相互电隔离,所述高侧开关器件(201)和所述高侧电连接端子(203)均设置于所述高侧电连接基岛(205)上且与所述高侧电连接基岛(205)电连接,所述高侧开关器件(201)第三方向的一侧与所述高侧电连接基岛(205)电连接,所述高侧开关器件(201)第三方向的另一侧与所述基板(10)电连接,所述第一开关器件组(5)中的所述高侧电连接端子(203)设置于所述高侧电连接基岛(205)第一方向更加邻近所述基板(10)第一侧(1)的一侧,所述第二开关器件组(6)中的所述高侧电连接端子(203)设置于所述高侧电连接基岛(205)第一方向更加邻近所述基板(10)第二侧(2)的一侧;

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述正导电带(104)设置有多个正电连接柱,多个所述正电连接柱在第三方向上延伸设置且与多个所述高侧电连接端子(203)接触电连接;

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述正导电带(104)在第三方向上的投影与所述低侧电连接端子(204)第三方向上的投影相互重合,所述负导电带(105)间隔设置于所述正导电带(104)第三方向远离所述开关器件的一侧,所述正导电带(104)上开设有避让孔,所述负电连接柱穿设所述避让孔且与所述低侧电连接端子(204)接触电连接;和/或

13.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,所述负导电带(105)在第三方向上的投影与所述高侧电连接端子(203)第三方向上的投影相互重合,所述正导电带(104)间隔设置于所述负导电带(105)第三方向远离所述开关器件的一侧,所述负导电带(105)上开设有避让孔,所述正电连接柱穿设所述避让孔且与所述高侧电连接端子(203)接触电连接;和/或

14.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述基板(10)上设置有所述高侧电连接基岛(205)和所述低侧电连接基岛(206),所述高侧电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:李幸师
申请(专利权)人:海信家电集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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