System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮制造技术_技高网

一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮制造技术

技术编号:44043807 阅读:8 留言:0更新日期:2025-01-15 01:21
本发明专利技术公开了一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,涉及磨抛技术领域,可解决现有石英晶体方片在磨抛过程中加工误差大的问题。本发明专利技术实施例的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,包括圆形的外齿圈和内齿圈,以及磨盘主体,还包括若干结构相同并且用于放置方片的游轮结构,其中:游轮结构的直径尺寸小于外齿圈和内齿圈之间的半径差,游轮结构呈游离状态铺设于磨盘主体上并且位于外齿圈和内齿圈之间;游轮结构通过外齿圈或内齿圈驱动在磨盘主体上自转。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抛光设备,具体涉及一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮


技术介绍

1、研磨过程中的总厚度变化(ttv)指的是研磨后表面各点与平均厚度的最大偏差,ttv是衡量研磨质量的重要指标。

2、两英寸以上的氧化铝/氮化铝方片的磨抛加工工序中,一般是利用抛光游轮进行磨抛,其工作原理是将石英晶体方片放入到模具中后,向方片施加一个向磨盘的压力,随着磨盘的转动,即可使得方片不断被磨损,直至达标。

3、现有的抛光游轮设置中,如图1所示,方片模具一般沿磨盘的周向均匀分布,方片放置到模具内后,在磨抛加工过程中随着磨盘的盘面一同旋转,而整个磨盘旋转的角速度一致,则势必会导致方片在磨损过程中各个位置处的线速度有较大差异,进而导致同一方片在磨损过程中其各个位置经过的轨迹总长度不同,从而会导致方片各个位置的磨损量差异较大,其在不断的转动过程中,在方片的四角或者边缘易出现塌边的问题,造成整体ttv偏差较大,而且加工产品的尺寸越大,五点散差、翘曲、弯曲度等加工误差也会越大。

4、基于上述背景,专利技术人设计出了一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,解决上述问题中的至少一个,由此,提出本申请。


技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,用于解决石英晶体方片在磨抛过程中加工误差大的问题。

2、为解决上述技术问题,本专利技术采用了以下方案:

3、本申请提供一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,包括圆形的外齿圈和内齿圈,以及磨盘主体,还包括若干结构相同并且用于放置方片的游轮结构,其中:

4、游轮结构的直径尺寸小于外齿圈和内齿圈之间的半径差,游轮结构呈游离状态铺设于磨盘主体上并且位于外齿圈和内齿圈之间;

5、游轮结构通过外齿圈或内齿圈驱动在磨盘主体上自转。

6、可选的,若干所述游轮结构的外周均设置有若干与外齿圈和内齿圈适配的传动齿,在同一时刻,同一游轮结构至多与外齿圈或内齿圈中的其中一个结构啮合。

7、可选的,所述游轮结构均设置有用于放置方片的方孔,方孔的四个折角均设置有圆角。

8、可选的,所述磨盘主体上设置有若干便于沙液流出的流沙孔,若干流沙孔沿磨盘主体的周向均匀分布。

9、可选的,所述流沙孔靠近磨盘主体的外周区域设置。

10、可选的,所述游轮结构直径的两倍大于外齿圈和内齿圈之间的半径差。

11、可选的,所述游轮结构的数量为2n个,n为自然数,n大于等于2且小于等于6。

12、可选的,所述n=3或4。

13、可选的,所述磨盘主体上具有圆环形的圆心游离区;

14、游轮结构游离移动过程中产生的圆心游离轨迹线位于圆心游离区内;

15、圆心游离区的径向宽度为:两倍游轮结构的直径减去外齿圈和内齿圈之间的半径差的差值。

16、可选的,若干所述游轮结构在游离移动过程中产生的圆心游离轨迹线相互重合。

17、本专利技术的有益效果:

18、本申请通过在内齿圈和外齿圈之间设置若干组呈游离状态铺设在磨盘主体上的游轮结构,使得磨盘主体在自转时,磨盘主体上的游轮结构在摩擦力和离心力作用下会倾斜的往外齿圈的方向移动,直至游轮结构外周上的传动齿与外齿圈啮合,而转动的外齿圈可以通过传动齿驱动整个游轮结构自转,并且在游轮结构与外齿圈啮合的状态下,由于游轮结构远离外齿圈的一侧不具有限位,因此,游轮结构在与外齿圈短暂啮合并受驱动自转后,又会在自转的状态下倾斜的往内齿圈方向移动,直至游轮结构靠近内齿圈的一侧与内齿圈啮合,从而使得由于摩擦力自转速度有所下降的游轮结构又通过内齿圈重新提高,并在自转状态下倾斜的往外齿圈的方向游离移动,游轮结构重复循环上述移动过程,即为本申请的游轮结构在磨抛过程中独特的游离式磨抛移动轨迹。

19、因此,本申请的核心构思是:使得游轮结构在游离状态下,利用离心加自旋转的协同作用,使得游轮结构的移动轨迹形成上述的游离式移动轨迹,使得游轮结构内放置方片后,在磨盘主体角速度一定的情况下,游轮结构内的方片在游轮结构游离式移动磨抛过程中,方片的各个位置可以出现在磨盘主体沿径向方向的各个位置和区域,使得方片在长时间磨抛后达到各个位置磨损量均衡的技术效果,可以有效降低方片的ttv、改善方片的五点散差、翘曲度弯曲度等磨抛性能指标,修正改善方片磨抛后的面型,有效解决现有技术中石英晶体方片在磨抛过程中加工误差大的问题,对于两英寸以上的氧化铝、氮化铝方片,本申请的研磨ttv可从现有技术中的≤15μm,改善至≤6μm,可以极大改善方片的 加工误差和面型。

20、同时,对于磨盘主体来说,避免了在长时间磨抛后,磨盘主体在径向方向上长时间持续产生不同的磨损量,导致磨盘主体沿其径向方向会出现凹凸不平的面型,在磨抛方片时,会进一步扩大ttv、扩大加工误差,并且需要经常维护修整磨盘主体面型的问题。

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【技术保护点】

1.一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,包括圆形的外齿圈(2)和内齿圈(3),以及磨盘主体(1),其特征在于,还包括若干结构相同并且用于放置方片的游轮结构(4),其中:

2.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,若干所述游轮结构(4)的外周均设置有若干与外齿圈(2)和内齿圈(3)适配的传动齿,在同一时刻,同一游轮结构(4)至多与外齿圈(2)或内齿圈(3)中的其中一个结构啮合。

3.根据权利要求2所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述游轮结构(4)均设置有用于放置方片的方孔(41),方孔(41)的四个折角均设置有圆角(411)。

4.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述磨盘主体(1)上设置有若干便于沙液流出的流沙孔(11),若干流沙孔(11)沿磨盘主体(1)的周向均匀分布。

5.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述磨盘主体(1)上设置有若干便于沙液流出的流沙孔(11),若干流沙孔(11)沿磨盘主体(1)的周向均匀分布。

6.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述游轮结构(4)直径的两倍大于外齿圈(2)和内齿圈(3)之间的半径差。

7.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述游轮结构(4)的数量为2n个,n为自然数,n大于等于2且小于等于6。

8.根据权利要求7所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述n=3或4。

9.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述磨盘主体(1)上具有圆环形的圆心游离区(5);

10.根据权利要求9所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,若干所述游轮结构(4)在游离移动过程中产生的圆心游离轨迹线(6)相互重合。

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【技术特征摘要】

1.一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,包括圆形的外齿圈(2)和内齿圈(3),以及磨盘主体(1),其特征在于,还包括若干结构相同并且用于放置方片的游轮结构(4),其中:

2.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,若干所述游轮结构(4)的外周均设置有若干与外齿圈(2)和内齿圈(3)适配的传动齿,在同一时刻,同一游轮结构(4)至多与外齿圈(2)或内齿圈(3)中的其中一个结构啮合。

3.根据权利要求2所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述游轮结构(4)均设置有用于放置方片的方孔(41),方孔(41)的四个折角均设置有圆角(411)。

4.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面型的游离式游星轮,其特征在于,所述磨盘主体(1)上设置有若干便于沙液流出的流沙孔(11),若干流沙孔(11)沿磨盘主体(1)的周向均匀分布。

5.根据权利要求1所述的一种可改善方片磨抛面...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙世刚李玉徐健杜晶
申请(专利权)人:四川科尔威光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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