【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos及其制备方法。
技术介绍
1、碳化硅vdmos是碳化硅功率器件的典型代表，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。
2、在对于电机控制系统或负载开关等应用，当电机或负载短路时，会导致vdmos直接与母线电压相连。由于此时vdmos处于开通状态，会产生瞬时的数百安培的短路电流，导致内部瞬态温升非常大，因此，亟需提供一种碳化硅功率vdmos，保证其导通电阻足够低，且热量不集中。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos及其制备方法，精准的控制器件的导通电阻的横向布局，使得电流在器件内部均匀分布，避免热量集中，提高器件可靠性。
2、第一方面，本专利技术提供了一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos的制备方法，包括如下步骤：
3、步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；
4、步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第一n型区；
5、步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第二n型区；
6、步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成p型阱区；
7、步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对p型阱区进行离子注入
8、步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第三n型区；
9、步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成栅介质层；
10、步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；
11、步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备。
12、第二方面，本专利技术提供了一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos，所述碳化硅vdmos采用第一方面所述的一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos的制备方法制备得到。
13、本专利技术的优点在于：
14、一、本专利技术在器件内部构建了肖特基二极管，可以有效降低器件正向导通压降，提高器件反向恢复速度，降低器件导通损耗和开关损耗；
15、二、本专利技术在器件p型阱区左右两侧和下方构建了变掺杂的第一n型区、第二n型区以及第三n型区，三个区掺杂浓度关系为第一n型区＞第二n型区＞第三n型区，实现从器件栅极下方到漏极的体电阻横向分布上相对均匀，从而在器件内部实现电流分布均匀，避免电流集中及由此引起的器件内部的热量分布集中，提高器件的可靠性；
16、三、本专利技术通过设置第三n型区和第二n型区可以有效屏蔽栅极到漏极的寄生电容，即可以降低器件的弥勒电容，提高器件的开关速度。
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1.一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述第一N型区的掺杂浓度大于所述第二N型区的掺杂浓度，所述第二N型区的掺杂浓度大于所述第三N型区的掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述漂移层的掺杂浓度小于所述第三N型区的掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述第一N型区的厚度等于所述第三N型区的厚度；所述第一N型区的厚度大于所述第二N型区的厚度。
5.一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于，所述碳化硅VDMOS为权利要求1至权利要求4任意一项制备方法制备得到。
【技术特征摘要】
1.一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于：所述第一n型区的掺杂浓度大于所述第二n型区的掺杂浓度，所述第二n型区的掺杂浓度大于所述第三n型区的掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的一种变掺杂高可靠平面栅碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：周海，施广彦，胡臻，何佳，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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