【技术实现步骤摘要】
本技术涉及断路控制器领域，尤其涉及一种塑壳控制器及其增强型复位电路。
技术介绍
1、塑壳控制器为一种电力设备，用于实现过载长延时、短路短延时、短路瞬时和接地故障四种保护功能。
2、现有塑壳控制器一般只有复位电路。在实际应用中，塑壳负载端工作电流临界于控制器自取电最小工作电流并伴随负载变化时，塑壳控制器所取得的电压临界于系统工作阈值电压附近波动时，会导致系统工作不稳定，可能会导致塑壳控制器误脱扣。
技术实现思路
1、有鉴于现有技术的上述缺陷，本技术给出了一种塑壳控制器的增强型复位电路，可减少因电压波动导致的系统工作不稳定，进而引发塑壳控制器误脱扣的风险。
2、技术方案如下：
3、一种塑壳控制器的增强型复位电路，包括分压电路、复位芯片和假负载电路；
4、所述复位芯片通过所述分压电路从第一直流电源取电；
5、所述复位芯片的输出端和所述塑壳控制器的微处理器的复位输入端及所述假负载电路的控制端连接；
6、所述假负载电路包括一个半导体开关管和一个负载电阻；所述半导体开关管和所述负载电阻串联，跨接在系统电源和信号地之间，形成泄流回路；所述半导体开关管的控制端和所述复位芯片的输出端连接，当所述复位芯片欠压时，输出复位信号，所述假负载电路处于导通状态；当所述复位芯片恢复正常供电时，复位信号跳变，所述假负载电路处于关断状态；
7、所述系统电源通过所述第一直流电源降压获得，用于给所述微处理器供电。
8、进一步
9、进一步的，所述复位芯片为高电压复位芯片，所述半导体开关管为npn三极管或nmos管，其基极和所述复位芯片的输出端连接，其发射极和信号地连接，其集电极通过电阻和系统电源连接。
10、进一步的，所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容；所述第一电阻跨接在所述第一直流电源和所述复位芯片的电源输入端；所述第二电阻和所述第一电容并联，并跨接在所述复位芯片的电源输入端和信号地之间。
11、进一步的，所述复位芯片的输出端还通过第二电容和信号地连接。
12、进一步的，所述第一直流电源为12v。
13、进一步的，所述系统电源为3.3v。
14、本技术还给出了一种塑壳控制器，技术方案如下：
15、一种塑壳控制器，包括：微处理器和复位电路；所述复位电路为如上所述的增强型复位电路。
16、进一步的，所述塑壳控制器还包括：稳压电路、整流与泄流电路、互感取电电路、采样电路、脱扣电路、报警电路、指示电路和通信接口电路；
17、所述互感取电电路和电流互感器连接，用于从电源线的各相线中的至少一相电上进行取电，并经整流与泄流电路生成第一直流电源；所述第一直流电源再经所述稳压电路生成所述系统电源；
18、所述采样电路和电流互感器连接，用于对电流采样信号进行调理，并发送给所述微处理器；
19、所述脱扣电路和脱扣器连接，用于根据所述微处理器的指令进行脱扣操作；
20、所述通信接口电路和所述微处理器连接，用于所述微处理器和上位机的通信连接。
21、本技术实现了如下技术效果：
22、本增强型复位电路，可加速复位状态下系统电源的电流泄放，减少因电压波动导致的系统工作不稳定，进而引发塑壳控制器误脱扣的风险。
23、本增强型复位电路，电路结构简单，易于集成。
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1.一种塑壳控制器的增强型复位电路，其特征在于，包括分压电路、复位芯片和假负载电路；
2.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述复位芯片为低电压复位芯片，所述半导体开关管为PNP三极管或PMOS管，其基极和所述复位芯片的输出端连接，其发射极和系统电源连接，其集电极通过电阻和信号地连接。
3.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述复位芯片为高电压复位芯片，所述半导体开关管为NPN三极管或NMOS管，其基极和所述复位芯片的输出端连接，其发射极和信号地连接，其集电极通过电阻和系统电源连接。
4.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容；所述第一电阻跨接在所述第一直流电源和所述复位芯片的电源输入端；所述第二电阻和所述第一电容并联，并跨接在所述复位芯片的电源输入端和信号地之间。
5.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述复位芯片的输出端还通过第二电容和信号地连接。
6.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述第一直流电源为12V。>
7.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述系统电源为3.3V。
8.一种塑壳控制器，包括：微处理器和复位电路；所述复位电路为权利要求1到7任一项所述的增强型复位电路。
9.如权利要求8所述的塑壳控制器，其特征在于，还包括：稳压电路、整流与泄流电路、互感取电电路、采样电路、脱扣电路、报警电路、指示电路和通信接口电路；
...【技术特征摘要】
1.一种塑壳控制器的增强型复位电路，其特征在于，包括分压电路、复位芯片和假负载电路；
2.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述复位芯片为低电压复位芯片，所述半导体开关管为pnp三极管或pmos管，其基极和所述复位芯片的输出端连接，其发射极和系统电源连接，其集电极通过电阻和信号地连接。
3.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述复位芯片为高电压复位芯片，所述半导体开关管为npn三极管或nmos管，其基极和所述复位芯片的输出端连接，其发射极和信号地连接，其集电极通过电阻和系统电源连接。
4.如权利要求1所述的增强型复位电路，其特征在于：所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容；所述第一电阻跨接在所述第一直流电...
【专利技术属性】
技术研发人员：王育龙，唐苹，陈方琴，
申请(专利权)人：厦门宏发开关设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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