【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种绝缘体上硅ldmos器件及其制造方法。
技术介绍
1、soi ldmos器件与体si ldmos承压方式不同，其承压由两部分组成：
2、横向：n-drift(n型的漂移区)与p-body(p型的体区)形成的pn结耗尽区承压；
3、纵向：n-drift耗尽区与box(埋氧层)承压，其中埋氧层内电场强度是薄硅层与埋氧层交界位置硅处的三倍。
4、对于传统soi ldmos器件结构而言，器件纵向击穿一般发生在漏极下方soi层和埋氧层交界面处soi层一侧，也即当发生击穿时，是该点电场长度e1达到临界场强ec。
5、为解决上述问题，需要提出一种新型的绝缘体上硅ldmos器件及其制造方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种绝缘体上硅ldmos器件及其制造方法，用于解决现有技术中器件纵向击穿易发生在漏极下方soi层和埋氧层交界面处soi层一侧的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种绝缘体上硅ldmos器件，包括：
3、soi衬底，所述soi由自下而上依次堆叠的衬底、埋氧层和薄硅层组成；
4、在所述薄硅层上形成有线性掺杂浓度的p型埋层；
5、在所述薄硅层上形成的外延层，在外延层上形成有剩余的ldmos器件结构。
6、优选地，所述剩余的ldmos器件结构包括：利用离子注入形成的p型的体区和n型的漂
7、优选地，所述剩余的ldmos器件结构还包括位于所述体区上的体区引出区，所述体区引出区和所述源端之间形成有浅沟槽隔离。
8、本专利技术还提供一种上述绝缘体上硅ldmos器件的制造方法，包括：
9、步骤一、提供soi衬底，所述soi由自下而上依次堆叠的衬底、埋氧层和薄硅层组成；
10、步骤二、在所述薄硅层上形成用于p型埋层离子注入的掩膜层，图形化所述掩膜层形成多个打开区域，所述打开区域的关键尺寸从一侧方向至另一侧方向逐渐递增；
11、步骤三、以图形化后的所述掩膜层为离子注入掩膜，利用离子注入在所述薄硅层上形成线性掺杂浓度的p型埋层；
12、步骤四、去除所述掩膜层，在所述薄硅层上形成外延层，在外延层上形成剩余的ldmos器件结构。
13、优选地，步骤二中的所述掩膜层为光刻胶层。
14、优选地，步骤三中利用光刻的方法打开所述光刻胶层以形成所述打开区域。
15、优选地，步骤三中的所述打开区域为多个线形的凹槽。
16、优选地，步骤四中利用灰化工艺和湿法清洗的方法去除所述光刻胶层。
17、优选地，步骤四中的所述剩余的ldmos器件结构包括：利用离子注入形成的p型的体区和n型的漂移区，所述体区和所述漂移区之间具有横向间距；栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极多晶硅层，以及位于所述栅介质层、所述栅极多晶硅层上的侧墙，所述栅介质层、所述栅极多晶硅层的一端延伸至所述体区上，其另一端延伸至相邻所述漂移区上；利用离子注入形成的位于所述体区、所述漂移区上的重掺杂区；其中，所述漂移区上的所述重掺杂区作为漏端，所述体区上的所述重掺杂区作为源端。
18、优选地，步骤四中的所述剩余的ldmos器件结构还包括位于所述体区上的体区引出区，所述体区引出区和所述源端之间形成有浅沟槽隔离。
19、如上所述，本专利技术的绝缘体上硅ldmos器件及其制造方法，具有以下有益效果：
20、本专利技术线性掺杂浓度的p型埋层可以增加薄硅层与埋氧层交界位置的电场强度。线性的掺杂可以提高交界处的耐压，进而可以提高埋氧层内的电场强度，从而实现增加整体的纵向耐压。
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1.一种绝缘体上硅LDMOS器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅LDMOS器件，其特征在于：所述剩余的LDMOS器件结构包括：栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极多晶硅层，以及位于所述栅介质层、所述栅极多晶硅层上的侧墙，所述栅介质层、所述栅极多晶硅层的一端延伸至所述体区上，其另一端延伸至相邻所述漂移区上；利用离子注入形成的位于所述体区、所述漂移区上的重掺杂区；其中，所述漂移区上的所述重掺杂区作为漏端，所述体区上的所述重掺杂区作为源端。
3.根据权利要求2所述的绝缘体上硅LDMOS器件，其特征在于：所述剩余的LDMOS器件结构还包括位于所述体区上的体区引出区，所述体区引出区和所述源端之间形成有浅沟槽隔离。
4.根据权利要求1至3任一项的所述绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于，至少包括：
5.根据权利要求4所述的绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述掩膜层为光刻胶层。
6.根据权利要求5所述的绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤三中利用光刻的方法打开
7.根据权利要求4所述的绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤三中的所述打开区域为多个线形的凹槽。
8.根据权利要求6所述的绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中利用灰化工艺和湿法清洗的方法去除所述光刻胶层。
9.根据权利要求4所述的绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述剩余的LDMOS器件结构包括：栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极多晶硅层，以及位于所述栅介质层、所述栅极多晶硅层上的侧墙，所述栅介质层、所述栅极多晶硅层的一端延伸至所述体区上，其另一端延伸至相邻所述漂移区上；利用离子注入形成的位于所述体区、所述漂移区上的重掺杂区；其中，所述漂移区上的所述重掺杂区作为漏端，所述体区上的所述重掺杂区作为源端。
10.根据权利要求9所述的绝缘体上硅LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述剩余的LDMOS器件结构还包括位于所述体区上的体区引出区，所述体区引出区和所述源端之间形成有浅沟槽隔离。
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅ldmos器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅ldmos器件，其特征在于：所述剩余的ldmos器件结构包括：栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极多晶硅层，以及位于所述栅介质层、所述栅极多晶硅层上的侧墙，所述栅介质层、所述栅极多晶硅层的一端延伸至所述体区上，其另一端延伸至相邻所述漂移区上；利用离子注入形成的位于所述体区、所述漂移区上的重掺杂区；其中，所述漂移区上的所述重掺杂区作为漏端，所述体区上的所述重掺杂区作为源端。
3.根据权利要求2所述的绝缘体上硅ldmos器件，其特征在于：所述剩余的ldmos器件结构还包括位于所述体区上的体区引出区，所述体区引出区和所述源端之间形成有浅沟槽隔离。
4.根据权利要求1至3任一项的所述绝缘体上硅ldmos器件的制造方法，其特征在于，至少包括：
5.根据权利要求4所述的绝缘体上硅ldmos器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述掩膜层为光刻胶层。
6.根据权利要求5所述的绝缘体上硅ldmos器件的制造方法，其特征在于：步...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓日，王函，陈广龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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