【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铜箔表面氧化层去除，具体涉及一种去除铜箔表面氧化层及有机物的方法及装置。
技术介绍
1、电解铜箔的生产制造主要分为三大步骤：溶铜制液、电解生箔、生箔分切。目前电解铜箔在生箔时会进行防氧化处理，因此，铜箔生箔卷端面具有一定的防氧化效果。但由于客户要求的规格幅宽有所不同，会进行不同幅宽的分切。分切后的铜箔卷端面未经防氧化处理，在包装时若操作不规范，包装不紧密或破损则会造成铜箔卷端面氧化。此外，若包装好的铜箔卷放至仓库，仓库温湿度控制不达标，加之存放时间过久或过保质期，也易造成铜箔卷端面氧化现象。
2、对于已经氧化变色的铜箔卷端面，目前通常会切除氧化变色的部分，分切为更小幅宽的铜箔卷，而无法分切的端面氧化的铜箔卷，只能做报废处理，如此造成成品率大大下降，成本也相应较高。因此，研究工作者逐渐研究开发铜箔卷端面氧化层的去处方法，专利cn117974623a公开了一种去除铜箔端面氧化层及杂质的方法，在收卷时通过高速相机拍摄铜箔端面图像及图像处理程序，可以精准定位铜箔端面的杂质、氧化层等缺陷，最后利用激光器消除此类缺陷。该方法为在线处理，在分切的同时可进行缺陷清理，但由于激光器能量密度较大，容易造成铜箔高温损伤。此外，对于氧化层较厚的区域无法完全处理，可能需要二次处理，增加工序成本。
3、常压等离子体即在大气压下产生的等离子体，是一种处于非热力学平衡状态的冷等离子体。目前已广泛用于各类材料表面清洗、表面改性等，其原理为通过等离子体与材料表面油污、氧化层等产生的一系列物理、化学作用，利用其中含有的活性粒子（
技术实现思路
1、本专利技术针对现有技术中的不足，提供一种去除铜箔表面氧化层及有机物的方法及装置，采用手枪型结构的等离子体发生器，并在端部设置喷嘴，通过喷嘴向铜箔卷端面的氧化层或有机物区域喷射等离子体射流，对氧化层及有机物进行清洗，结构简单，操作灵活，无需将铜箔置于真空环境，对铜箔卷的尺寸没有限制，应用范围广。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术一方面提供了一种去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，包括如下步骤：
3、s1、介质气体源向等离子体发生器通入介质气体，射频电源向等离子体发生器供电，开启等离子体放电并产生等离子体射流；
4、其中，所述等离子体发生器为手枪型结构，且在该手枪型结构的端部设置喷嘴；
5、s2、等离子体发生器的喷嘴靠近并朝向铜箔卷端面，喷射出等离子体对铜箔卷端面的氧化层进行清洗。
6、本专利技术手枪型结构的等离子体发生器，并通过手枪型结构的端部喷嘴处喷出连续稳定的常压低温等离子体射流至铜箔卷端面氧化层区域，去除铜箔表面氧化层。该方法操作方便，灵活度高，常温常压下进行，无需将铜箔卷置于真空环境，铜箔卷的尺寸不受等离子体发生器的腔体限制，应用范围广。
7、进一步的，s2中，所述喷嘴与铜箔卷端面的距离为10-30mm，避免距离过近对铜箔性能造成影响，又避免距离过远清洗效果差的问题。
8、进一步的，s2中，所述铜箔卷端面同一位置的持续清洗时间不超过10min，避免长时间清洗对铜箔性能造成影响。
9、进一步的，所述射频电源的功率为2000-5000w，设置合适的功率避免对铜箔性能造成影响，且满足清洗效果。
10、根据实际需求及铜箔卷端面氧化层及有机物的情况，调节射频电源功率、喷嘴与铜箔卷端面的距离及清洗时间等参数。同时，电源功率越高，清洗时间应相应减少；清洗间距越小，清洗时间应越短；如此在避免影响铜箔性能的同时，还可降低清洗成本。
11、进一步的，所述介质气体为氩气，或着氩气与氧气的混合气体，清洗氧化层时采用氩气，在同时具有氧化层和有机物时采用氩气和氧气的混合气体。
12、进一步的，所述介质气体的流量为500-2000sccm。
13、进一步的，所述氩气与氧气的流量比为（4-6）：1，根据氧化层及有机物的情况调整气流比。
14、进一步的，s2步骤后还包括：重复步骤s2 0-5次，进行多次清洗，在单次清洗不彻底时进行多次清洗，避免单次清洗过久影响铜箔性能。
15、本专利技术第二方面提供一种去除铜箔表面氧化层及有机物的装置，用以实施第一方面所述方法，包括：
16、等离子体发生器，所述等离子体发生器内设置电极，所述等离子体发生器的端部设置喷嘴；
17、射频电源，所述射频电源连接所述电极；
18、介质气体源，所述介质气体源通过气管连通至所述等离子体发生器。
19、进一步的，所述等离子体发生器为手枪型结构，便携式结构，操作方便且灵活。
20、本专利技术的有益效果：
21、本专利技术采用常压低温等离子体清洗铜箔端面氧化层，低温条件对铜箔性能无影响，且无接触式清洗方式，保证铜箔卷端面无变形损伤；采用常压条件，无需将铜箔卷置于真空环境，铜箔卷的尺寸不受限制，应用范围广；手持式清洗，方便快捷，可实现不同部位氧化层及有机物的去除。
22、本专利技术采用等离子体中活性粒子与高能射线，在清除氧化层的同时可提高其端面的抗氧化能力。
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1.一种去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，S2中，所述喷嘴与铜箔卷端面的距离为10-30mm。
3.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，S2中，所述铜箔卷端面同一位置的持续清洗时间不超过10min。
4.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，所述射频电源的功率为2000-5000W。
5.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，所述介质气体为氩气，或着氩气与氧气的混合气体。
6.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，所述介质气体的流量为500-2000sccm。
7.如权利要求5所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，所述氩气与氧气的流量比为（4-6）：1。
8.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，S2步骤后还包括：重复步骤S2 0-5次，进行多次清洗。
...【技术特征摘要】
1.一种去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，s2中，所述喷嘴与铜箔卷端面的距离为10-30mm。
3.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，s2中，所述铜箔卷端面同一位置的持续清洗时间不超过10min。
4.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，所述射频电源的功率为2000-5000w。
5.如权利要求1所述的去除铜箔表面氧化层及有机物的方法，其特征在于，所述介质气体为氩气，或着氩气与氧气的混合气体。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠文，
申请(专利权)人：亨通精密铜箔科技德阳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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