【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺，具体涉及一种读出电路加工方法。
技术介绍
1、红外芯片的读出电路是与红外探测器阵列相连接的电路，它的主要功能是将红外探测器阵列检测到的红外信号转换成电信号，并对这些信号进行必要的处理，如放大、滤波、模数转换等，以便后续的信号处理和成像。
2、读出电路从硅工厂制备完成后，还需要在读出电路上进一步制备铟柱，以实现读出电路与红外探测器阵列之间的倒装互连。但是现有的读出电路后续制备铟柱工艺成品的良率较低。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题在于：现有的读出电路制备铟柱工艺中成品的良率较低，为了解决上述技术问题，提供良率较高的读出电路加工方法。
2、本申请提出的技术方案为：
3、一种读出电路加工方法，包括步骤：
4、s110，对读出电路进行检测；
5、s120，在读出电路上制备金属电极；
6、s130，在金属电极上制备铟柱；
7、s140，对读出电路进行检测；
8、s150，对比步骤s110和步骤s140的检测结果，若存在步骤s110中检测正常，步骤s140中检测异常的读出电路，将其标记为待优化读出电路，并去除待优化读出电路上的金属电极和铟柱，随后进行返工。
9、进一步地，所述读出电路加工方法还包括步骤：
10、s160，对读出电路进行划片；
11、其中，在划片之后，去除待优化读出电路上的金属电极和铟柱，随后进行返工。
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13、s161，对读出电路进行匀胶处理；
14、s162，对读出电路进行划片。
15、进一步地，步骤s110包括：
16、s111，对读出电路进行清洗；
17、s112，对读出电路进行检测。
18、进一步地，在步骤s111中：
19、先通过丙酮对读出电路浸泡，然后通过酒精对读出电路进行清洗。
20、进一步地，步骤s120包括：
21、s121，在读出电路上涂抹光刻胶层；
22、s122，对光刻胶层上刻蚀形成多个暴露读出电路的开孔；
23、s123，在开孔处形成与读出电路电连接的金属电极；
24、s124，去除光刻胶。
25、进一步地，在步骤s123中，通过电子束沉积的方式在开孔处依次形成ti层、pt层以及au层。
26、进一步地，步骤s130包括：
27、s131，在读出电路上涂抹光刻胶层；
28、s132，在光刻胶层上刻蚀形成多个暴露金属电极的开孔；
29、s133，在开孔处形成与金属电极电连接的铟柱；
30、s134，去除光刻胶。
31、进一步地，铟柱的高度为5~15μm。
32、进一步地，在步骤s110和步骤s140中，通过探针台对读出电路进行检测。
33、采用上述的读出电路加工方法，对于第一次检测正常但第二次检测异常的读出电路，可以确定加工过程中存在问题导致第二次检测异常，此时去除待优化读出电路上的金属电极和铟柱，随后进行返工，可以避免筛掉因加工问题而非自身问题导致异常的读出电路，从而有效地提高成品的良率。
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1.一种读出电路加工方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，所述读出电路加工方法还包括步骤：
3.根据权利要求2所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤S160包括：
4.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤S110包括：
5.根据权利要求4所述的电路加工方法，其特征在于，在步骤S111中：
6.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤S120包括：
7.根据权利要求6所述的读出电路加工方法，其特征在于，在步骤S123中，通过电子束沉积的方式在开孔处依次形成Ti层、Pt层以及Au层。
8.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤S130包括：
9.根据权利要求1或8所述的读出电路加工方法，其特征在于，铟柱的高度为5~15μm。
10.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，在步骤S110和步骤S140中，通过探针台对读出电路进行检测。
【技术特征摘要】
1.一种读出电路加工方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，所述读出电路加工方法还包括步骤：
3.根据权利要求2所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤s160包括：
4.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤s110包括：
5.根据权利要求4所述的电路加工方法，其特征在于，在步骤s111中：
6.根据权利要求1所述的读出电路加工方法，其特征在于，步骤s...
【专利技术属性】
技术研发人员：许军，许佳康，王沛，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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