【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于一种声压感测器之制作方法，且特别关于一种互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法。
技术介绍
1、互补性氧化金属半导体(cmos)已广泛用于集成电路
2、(ic)的制造，特别是在高阶智能型手机芯片及影像感测芯片(cis)。由于大量的研究人力和投入，集成电路的发展和创新取得了突飞猛进的发展，显着提高了其可靠性和产量，同时，生产成本大幅降低。目前，此技术已达到成熟稳定的水平，对于半导体的持续发展，除了紧跟当前技术发展趋势外，必须实现突破，提供特殊的生产工艺，增强系统整合度。
3、在这方面，微机电系统(mems)是一种完全不同于传统技术的新型加工技术。它主要利用半导体技术生产mems结构；同时它能够制造具有电子和机械功能的结构。因此，它具有批量处理，小型化和高性能的优点，并且非常适用于需要以降低的成本进行大规模生产的技术。因此，对于cmos电路集成和mems合在一起可以是实现系统集成最佳的方法。在传统技术中，如第1图所示，微机电电容式声压感测器1通常有固定电极6、一绝缘层10、一导电薄膜12与一半导体基板14。固定电极7与导电薄膜12中间有空隙，半导体基板14开设有一空腔16，空腔16位于导电薄膜12下方。当声压透过空气振动传递到导电薄膜12时，导电薄膜12会振动。当导电薄膜12上下振动时，导电薄膜12与固定电极7之间会产生电容变化，将电容变化转换成电压讯号即可获得声压变化。美国专利8692340则是在两个不同制程半导体基板分别进行cmos制程与mems制程，再将两个半导体基板藉由晶圆键结的方式
4、因此，本专利技术系在针对上述的困扰，提出一种互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，以解决习知所产生的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的，在于提供一种互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其主要是可以提升感测器的性能及降低生产测试成本。
2、为达上述目的，本专利技术提供一种互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法。首先，提供一互补性氧化金属半导体制程，其系包含依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一金属布线层。在互补性氧化金属半导体制程中通常会有多层金属布线层，每个金属布线层中间为氧化绝缘层或金属通孔(via)。因此，通常互补性氧化金属半导体制程中至少有一层掺杂多晶硅层及一层金属布线层。在感测器的制作，可以使用活性离子蚀刻(reactive ion etching)来移除互补性氧化金属半导体制程中氧化绝缘层及感应耦合电浆(inductively coupled plasma)蚀刻基板完成空腔，从而形成一互补性氧化金属半导体声压感测器。
3、在本专利技术之一实施例中，金属布线层更包含多个图案化金属层与多个金属通孔，其为感测电极。薄膜是由多晶硅所构成，感测电极与薄膜连接，感测电极的另一端为固定端。
4、在本专利技术之一实施例中，金属布线层更包含多个图案化金属层与多个金属通孔，其为感测电极。薄膜是由氧化绝缘层与多晶硅所构成，感测电极与薄膜连接，感测电极的另一端为固定端。
5、在本专利技术之一实施例中，金属布线层更包含多个图案化金属层与多个金属通孔，其为感测电极。薄膜是由氧化绝缘层与金属布线层所构成，感测电极与薄膜连接，感测电极的另一端为固定端。
6、金属布线层更包含多个图案化金属层与多个金属通孔，其为感测电极。薄膜是由氧化绝缘层、多晶硅与金属布线层所构成，感测电极与薄膜连接，感测电极的另一端为固定端。
7、在本专利技术之一实施例中，互补性氧化金属半导体声压感测器可为一数组式感测器，在一芯片中有数个相同尺寸互补性氧化金属半导体声压感测器。
8、在本专利技术之一实施例中，互补性氧化金属半导体声压感测器可为一数组式感测器，在一芯片中有数个不同尺寸互补性氧化金属半导体声压感测器。
9、在本专利技术之一实施例中，多晶硅层更包含无掺杂多晶硅，本文中无掺杂多晶硅为非导体。
10、基于上述，互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方可以有效提升感测器性能及降低测试封装成本。
11、兹为使贵审查委员对本专利技术的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明，说明如后：
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1.一种互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，包含下列步骤：提供一互补性氧化金属半导体装置，蚀刻半导体基板及使用活性离子蚀刻移除氧化绝缘结构。蚀刻完成后，声压感测器包含薄膜、空腔、多层感测电极及多层固定电极，并且感测电极与薄膜连接。
2.如请求项1所述之互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其蚀刻半导体基板可以用感应耦合电浆或化学蚀刻。
3.如请求项1所述之互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其薄膜中多晶硅层可为非导体或是等电位导体。
4.一种数组式互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，包含下列步骤：
5.如请求项4所述之数组式互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其中声压感测器具有不同尺寸大小。
6.如请求项4所述之数组式互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其薄膜中多晶硅层可为非导体或是等电位导体。
7.如请求项4所述之数组式互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其蚀刻半导体基板可以用感应耦合电浆或化学蚀刻。
8.一种互补性氧化金属半导体声压感测器，包含互补性氧化
9.如请求项8所述之互补性氧化金属半导体声压感测器，其薄膜中多晶硅层可为非导体或是等电位导体。
10.如请求项8所述之互补性氧化金属半导体声压感测器，其薄膜中至少有一多晶硅层。
...【技术特征摘要】
1.一种互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，包含下列步骤：提供一互补性氧化金属半导体装置，蚀刻半导体基板及使用活性离子蚀刻移除氧化绝缘结构。蚀刻完成后，声压感测器包含薄膜、空腔、多层感测电极及多层固定电极，并且感测电极与薄膜连接。
2.如请求项1所述之互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其蚀刻半导体基板可以用感应耦合电浆或化学蚀刻。
3.如请求项1所述之互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其薄膜中多晶硅层可为非导体或是等电位导体。
4.一种数组式互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，包含下列步骤：
5.如请求项4所述之数组式互补性氧化金属半导体声压感测器之制作方法，其中声压感测...
【专利技术属性】
技术研发人员：王传蔚，
申请(专利权)人：苏州磐十科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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