一种低驻波比片式温度补偿衰减器制造技术

一种低驻波比片式温度补偿衰减器，包括陶瓷基板、间隔设置在陶瓷基板一侧的两第一电极、设置在陶瓷基板另一侧与两第一电极相对的第二电极、间隔设置在两第一电极之间的两膜状电阻、分别连接在膜状电阻与第二电极之间的两导电电极、设置在两膜状电阻之间的连接电极、设置在陶瓷基板底面分别与第一电极及第二连接的背电极、设置在两膜状电阻及两导电电极顶面的油墨包封层；本申请通过优化电阻的数量和配置，以改善温度补偿衰减器的阻抗匹配，减少回波损耗，从而避免自激，以实现更好的温度补偿效果，在提升温度补偿衰减器可靠性的前提下，还降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于温度补偿衰减器制备领域，具体涉及一种低驻波比片式温度补偿衰减器。

技术介绍

1、温度补偿衰减器作为一种新型的微波电子元器件，其作用为可直接感知功放的温度变化，易于实时补偿功放的温度特性。在多级功放间使用，对相邻两级功起到隔离作用。在5g通信基站、微波功率放大器、低噪声放大器、t/r组件、有源模块等产品中已得到广泛应用。温度补偿衰减器的结构一般由热敏电阻构成t型、π型、十字型、ⅱ型等多种端口网络。

2、目前温度补偿衰减器主要采取金属厚膜背电极，普遍存在特定频段的驻波比过高问题，驻波比是表示传输线上驻波成分大小的一个参数，驻波比过高会导致功率下降，严重时还会引起产品失效；有待进一步改进。

技术实现思路

1、本技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种低驻波比片式温度补偿衰减器。

2、本技术采用如下技术方案：

3、一种低驻波比片式温度补偿衰减器，包括陶瓷基板、间隔设置在陶瓷基板一侧的两第一电极、设置在陶瓷基板另一侧与两第一电极相对的第二电极、间隔设置在两第一电极之间的两膜状电阻、分别连接在膜状电阻与第二电极之间的两导电电极、设置在两膜状电阻之间的连接电极、设置在陶瓷基板底面分别与第一电极及第二连接的背电极、设置在两膜状电阻及两导电电极顶面的油墨包封层。

4、进一步的，所述第一电极包括设置在陶瓷基板顶面的第一表电极和设置在陶瓷基板侧面连接第一表电极与所述背电极的第一侧电极，所述第一表电极与相对的膜状电阻连接。

5、进一步的，所述第一表电极与膜状电阻的相对面形成有与膜状电阻连接的连接部。

6、进一步的，所述膜状电阻的宽度小于第一表电极的宽度，所述第一表电极的长度小于陶瓷基板长度的一半。

7、进一步的，所述连接电极的宽度小于膜状电阻的宽度。

8、进一步的，所述导电电极曲折延伸设置在膜状电阻与第二电极之间。

9、进一步的，所述导电电极包括与膜状电阻连接的第一竖直段、与第一竖直段垂直连接向外延伸的第一水平段、与第一水平段垂直连接的第二竖直段、与第二竖直段垂直连接向内延伸的第二水平段和连接在第二水平段与第二电极之间的第三竖直段。

10、进一步的，所述第二电极包括设置在陶瓷基板顶面与两第一表电极相对的第二表电极和连接在第二表电极与背电极之间的第二侧电极。

11、进一步的，所述第二表电极的长度等于陶瓷基板的长度。

12、进一步的，所述陶瓷基板为氧化铍陶瓷基板。

13、由上述对本技术的描述可知，与现有技术相比，本技术的有益效果是：本申请制备的温度补偿衰减器，其长度为2.00mm±0.12mm，宽度为1.25mm±0.12mm，厚度为0.28mm±0.07mm；标称衰减量精度为1～5db；衰减量精度为±0.5db；衰减量温度系数为-0.003～-0.007db/db/℃；衰减量温度系数允许偏差为±0.001db/db/℃；在环境温度25℃，频率为1ghz的条件下，驻波比≤1.30，额定功率为0.5w；其中，通过优化电阻的数量和配置，以改善温度补偿衰减器的阻抗匹配，减少回波损耗，从而避免自激，以实现更好的温度补偿效果，在提升温度补偿衰减器可靠性的前提下，还降低了制造成本。

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【技术保护点】

1.一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：包括陶瓷基板、间隔设置在陶瓷基板一侧的两第一电极、设置在陶瓷基板另一侧与两第一电极相对的第二电极、间隔设置在两第一电极之间的两膜状电阻、分别连接在膜状电阻与第二电极之间的两导电电极、设置在两膜状电阻之间的连接电极、设置在陶瓷基板底面分别与第一电极及第二连接的背电极、设置在两膜状电阻及两导电电极顶面的油墨包封层。

2.根据权利要求1所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述第一电极包括设置在陶瓷基板顶面的第一表电极和设置在陶瓷基板侧面连接第一表电极与所述背电极的第一侧电极，所述第一表电极与相对的膜状电阻连接。

3.根据权利要求2所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述第一表电极与膜状电阻的相对面形成有与膜状电阻连接的连接部。

4.根据权利要求2所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述膜状电阻的宽度小于第一表电极的宽度，所述第一表电极的长度小于陶瓷基板长度的一半。

5.根据权利要求4所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述连接电极的宽度小于膜状电阻的宽度。

6.根据权利要求1所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述导电电极曲折延伸设置在膜状电阻与第二电极之间。

7.根据权利要求6所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述导电电极包括与膜状电阻连接的第一竖直段、与第一竖直段垂直连接向外延伸的第一水平段、与第一水平段垂直连接的第二竖直段、与第二竖直段垂直连接向内延伸的第二水平段和连接在第二水平段与第二电极之间的第三竖直段。

8.根据权利要求1所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述第二电极包括设置在陶瓷基板顶面与两第一表电极相对的第二表电极和连接在第二表电极与背电极之间的第二侧电极。

9.根据权利要求8所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述第二表电极的长度等于陶瓷基板的长度。

10.根据权利要求1所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述陶瓷基板为氧化铍陶瓷基板。

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【技术特征摘要】

1.一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：包括陶瓷基板、间隔设置在陶瓷基板一侧的两第一电极、设置在陶瓷基板另一侧与两第一电极相对的第二电极、间隔设置在两第一电极之间的两膜状电阻、分别连接在膜状电阻与第二电极之间的两导电电极、设置在两膜状电阻之间的连接电极、设置在陶瓷基板底面分别与第一电极及第二连接的背电极、设置在两膜状电阻及两导电电极顶面的油墨包封层。

2.根据权利要求1所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述第一电极包括设置在陶瓷基板顶面的第一表电极和设置在陶瓷基板侧面连接第一表电极与所述背电极的第一侧电极，所述第一表电极与相对的膜状电阻连接。

3.根据权利要求2所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述第一表电极与膜状电阻的相对面形成有与膜状电阻连接的连接部。

4.根据权利要求2所述的一种低驻波比片式温度补偿衰减器，其特征在于：所述膜状电阻的宽度小于第一表电极的宽度，所述第一表电极的长度小于陶瓷基板长度的一半。

5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴鸿伦，骆杰煌，黄星凡，上官江艺，庄梦琪，
申请(专利权)人：福建毫米电子有限公司，
类型：新型
国别省市：