【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的加工领域，尤其涉及一种晶圆升降机构、一种薄膜沉积设备、一种晶圆升降方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在现有技术的半导体工艺设备(例如：cvd设备)中，主要通过控制晶圆支撑销的升降，以对进行晶圆后续的传输动作。因此，控制晶圆支撑销的升降速度对设备整体的产能与晶圆传输过程中的稳定性有着至关重要的作用。然而，在当前的晶圆支撑销升降系统中，普遍存在的问题是，支撑销在最低位置到最高位置的升降过程中的运动为匀速直线运动。以晶圆支撑销上升运动的整个行程为例，在支撑销没有接触晶圆之前的行程为空载行程，晶圆支撑销运行速度过低，会降低晶圆的传片效率。此外，在晶圆支撑销到达传片位置之前，与晶圆接触的瞬间，晶圆支撑销的上升速度较高，在支撑销与晶圆接触的瞬间，会对晶圆产生冲击力，从而会影响晶圆背面的颗粒度，进而影响晶圆表面沉积的薄膜性能。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的晶圆升降机构，用于提高晶圆的传片效率，并用于降低在支撑部与晶圆接触瞬间产生的冲击力，进而提高晶圆表面沉积的薄膜性能。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供
3、具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述晶圆升降机构包括至少一个支撑部及驱动部。所述至少一个支撑部的第一端连接驱动部，而其第二端用于支撑晶圆。所述驱动部被配置为：在传入晶圆的过程中，先驱动所述至少一个支撑部按第一速度靠近所述晶圆，并在抵达所述晶圆预设的第一距离处后减速，以使所述至少一个支撑部按小于预设的第一速度阈值的第二速度接触并承载所述晶圆；以及在传入所述晶圆的过程后，驱动所述至少一个支撑部将所述晶圆升降到预设的工艺位置。
4、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一距离与预设的第一加速度相对应。所述先驱动所述至少一个支撑部按第一速度靠近所述晶圆，并在抵达所述晶圆预设的第一距离处后减速，以使所述至少一个支撑部按小于预设的第一速度阈值的第二速度接触并承载所述晶圆的步骤包括：以所述第一加速度驱动所述至少一个支撑部向靠近所述晶圆的第一方向做匀加速运动；响应于所述至少一个支撑部抵达所述晶圆的所述第一距离处，以所述第一加速度驱动所述至少一个支撑部向靠近所述晶圆的第一方向做匀减速运动，以使所述至少一个支撑部按小于所述第一速度阈值的第二速度接触并承载所述晶圆。
5、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述第一速度阈值是根据所述晶圆允许承受的最大冲击速度来确定的。或者所述第一速度阈值为零。
6、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述工艺位置高于传入所述晶圆的传片位置。所述驱动所述至少一个支撑部将所述晶圆升降到预设的工艺位置的步骤包括：以第三速度驱动所述至少一个支撑部上升，以使所述晶圆脱离其吸附的机械手。所述第三速度是根据所述晶圆允许承受的最大吸附力来确定的；以及响应于所述至少一个支撑部抵达所述传片位置预设的第二距离处，以第四速度驱动所述至少一个支撑部继续上升到所述工艺位置。所述第四速度大于所述第三速度。
7、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述以第三速度驱动所述至少一个支撑部上升，以使所述晶圆脱离其吸附的机械手的步骤包括：以预设的第二加速度驱动所述至少一个支撑部上升，以使所述晶圆脱离其吸附的机械手。所述第二加速度是根据所述晶圆允许承受的最大吸附力来确定的。
8、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述驱动部还被配置为：在完成对所述晶圆的加工工艺后，驱动所述至少一个支撑部，将所述晶圆升降回所述传片位置，以供机械手吸附并传出所述晶圆。
9、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述晶圆升降机构包括多个所述驱动部。所述至少一个支撑部包括多根晶圆支杆。每一所述晶圆支杆的下端分别连接一个所述驱动部，而其上端穿过下基板上对应的支杆过孔，以接触并承载所述晶圆。或者所述晶圆升降机构包括至少一个所述驱动部。所述至少一个支撑部包括升降支板及多根晶圆支杆。所述升降支板连接至少一个所述驱动部。每一所述晶圆支杆的下端分别可分离地接触一个所述升降支板的上表面，而其上端穿过下基板上对应的支杆过孔，以接触并承载所述晶圆。或者所述晶圆升降机构包括多个所述驱动部。所述至少一个支撑部包括边缘环及多根升降支杆。所述边缘环用于接触并承载所述晶圆。每一所述升降支杆的下端连接一个所述驱动部，而其上端穿过下基板上对应的支杆过孔，或从外围绕过所述下基板，以连接所述边缘环。或者所述晶圆升降机构包括多个所述驱动部。所述至少一个支撑部包括边缘环及多根升降支杆。所述边缘环用于接触并承载所述晶圆。每一所述升降支杆的上端连接一个所述驱动部，而其下端穿过上基板上对应的支杆过孔，或从外围绕过所述上基板，以连接所述边缘环。
10、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述上基板为薄膜沉积设备的喷淋头和/或加热盘。所述上基板为所述薄膜沉积设备的喷淋头和/或加热盘。
11、此外，根据本专利技术的第二方面提供的上述薄膜沉积设备包括工艺腔室及如本专利技术的第一方面提供的晶圆升降机构。所述工艺腔室配置有上基板和/或下基板，用于对晶圆进行薄膜沉积工艺。所述上基板为喷淋头和/或加热盘，所述上基板为喷淋头和/或加热盘。所述晶圆升降机构设于所述工艺腔室的上部或下部，用于升降所述晶圆。
12、此外，根据本专利技术的第三方面提供的上述晶圆升降方法包括：在传入晶圆的过程中，先驱动至少一个支撑部按第一速度靠近所述晶圆，并在抵达所述晶圆预设的第一距离处后减速，以使所述至少一个支撑部按小于预设的第一速度阈值的第二速度接触并承载所述晶圆；以及在传入所述晶圆的过程后，驱动所述至少一个支撑部将所述晶圆升降到预设的工艺位置。
13、此外，根据本专利技术的第四方面提供的上述计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理器执行时，实施如本专利技术的第三方面提供的晶圆升降方法。
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1.一种晶圆升降机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述第一距离与预设的第一加速度相对应，所述先驱动所述至少一个支撑部按第一速度靠近所述晶圆，并在抵达所述晶圆预设的第一距离处后减速，以使所述至少一个支撑部按小于预设的第一速度阈值的第二速度接触并承载所述晶圆的步骤包括：
3.如权利要求2所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述第一速度阈值是根据所述晶圆允许承受的最大冲击速度来确定的，或者
4.如权利要求1所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述工艺位置高于传入所述晶圆的传片位置，所述驱动所述至少一个支撑部将所述晶圆升降到预设的工艺位置的步骤包括：
5.如权利要求4所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述以第三速度驱动所述至少一个支撑部上升，以使所述晶圆脱离其吸附的机械手的步骤包括：
6.如权利要求1所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述驱动部还被配置为：
7.如权利要求1所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述晶圆升降机构包括多个所述驱动部，所述至少一个支撑部包括多根晶圆支杆，其中，每一所述
8.如权利要求7所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述上基板为薄膜沉积设备的喷淋头和/或加热盘，所述上基板为所述薄膜沉积设备的喷淋头和/或加热盘。
9.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
10.一种晶圆升降方法，其特征在于，包括：
11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令被处理器执行时，实施如权利要求10所述的晶圆升降方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆升降机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述第一距离与预设的第一加速度相对应，所述先驱动所述至少一个支撑部按第一速度靠近所述晶圆，并在抵达所述晶圆预设的第一距离处后减速，以使所述至少一个支撑部按小于预设的第一速度阈值的第二速度接触并承载所述晶圆的步骤包括：
3.如权利要求2所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述第一速度阈值是根据所述晶圆允许承受的最大冲击速度来确定的，或者
4.如权利要求1所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述工艺位置高于传入所述晶圆的传片位置，所述驱动所述至少一个支撑部将所述晶圆升降到预设的工艺位置的步骤包括：
5.如权利要求4所述的晶圆升降机构，其特征在于，所述以第三速度驱动所述至少一个支撑部上升，以使所述晶圆脱离其吸附的机械手的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡祥明，孙少东，吴启笛，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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