【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信硬件，尤其涉及一种频率合成器。
技术介绍
1、目前，频率合成器(频率源、本振)是通信、雷达、电子对抗等电子系统中的心脏。其性能指标对系统性能的提高有着巨大的影响作用。以模拟接收机为例，天线接收空中微波信号后，通常经过带通滤波器滤除带外无用信号后，通过放大器将微弱的信号进行放大，通过混频器将高频信号混频至合适的中频，再通过镜像抑制滤波器滤除镜像干扰和杂波，之后将信号再次进行放大，通过adc将模拟信号转化为数字信号。混频时需要一个频率基准，也就是本地振荡信号lo，本振的单边带相位噪声、参考杂散、跳频时间等指标参数，影响了混频后的信号质量，进而影响后端数字模块信号处理。
2、现有技术中，基于锁相环(phase locked loop，pll)频率合成的方案，其利用了pll中的相位负反馈，使得输出高频率干净的信号，为混频器提供本振信号。
3、但是，随着现代电子系统功能提升，频率合成器设计中需要兼顾的指标越来越多，对于频率合成器小型化的需求，射频系统也从开始的平面封装逐渐转化为三维封装结构以提高模块的集成度。通常较小的频率合成器面积往往会导致厚度的增加，厚度的减小往往带来面积的上升。目前的频率合成器尚无法满足小型化且高性能的需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种频率合成器，用于部分解决现有技术中存在的问题。
2、本专利技术采用下述技术方案：
3、本专利技术提供了一种频率合成器，包括：六层式基板和多种元件；
5、所述六层式基板包括六个金属层和五个介质层，任意两个金属层包夹一个介质层，六层式基板整体采用无引脚形式进行封装；
6、按照从上至下的顺序，第一金属层用于放置可伐；
7、第二金属层用于放置元件；
8、第三金属层用于放置元件的信号线；
9、第四金属层用于采用共面波导结构设置环路滤波器的传输线，环路滤波器的端口和锁相环芯片的引脚通过盲孔和共面波导传输线实现电性连接；在第四金属层走线距边界预设间隔处设置埋孔式的屏蔽孔以用于对信号线进行信号屏蔽，所述埋孔式的屏蔽孔将第四金属层和第五金属层连接；
10、第五金属层用于提供参考地平面；
11、第六金属层用于设置信号连接端口；第二金属层上的衰减器用于输出微波信号，第二金属层上的衰减器的引脚端的焊盘设置在第六金属层的信号输出焊盘的正上方，通过通孔将衰减器的引脚端的焊盘和信号输出焊盘相互连接，并在通孔周围设置一圈金属柱作为屏蔽孔，在第六金属层的信号输出焊盘周围设置并排的屏蔽孔。
12、可选地，频率合成器大小为9mm×9mm×1.8mm。
13、可选地，所述锁相环芯片为tw6223dma型号的锁相环芯片，所述低噪声放大器为ila-0618e型号的低噪声放大器，所述衰减器为hh-at40型号的衰减器。
14、可选地，所述电阻为01005封装式电阻，所述电容为0402封装式或0201封装式电容。
15、可选地，所述介质层为ha90型号的陶瓷层形成的介质层；
16、其中，第一金属层上放置的可伐高度大于或等于0.7mm，宽度大于或等于0.6mm；
17、第二金属层包括放置元件及走线部分的金属和在元件及走线部分外铺设的金属钨且金属钨连接到地平面；
18、第三金属层包括在信号线部分外铺设的金属钨且金属钨连接到地平面；
19、第四金属层包括在共面波导走线部分外铺设的金属钨且金属钨连接到地平面；
20、第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层厚度大于或等于0.1152mm，第四介质层和第五介质层的厚度小于或等于0.2304mm，第一层金属到第六层金属与可伐的总厚度小于或等于1.51mm。
21、可选地，衰减器的引脚端的焊盘为金丝跳线焊盘，衰减器的输出信号通过金丝连接到衰减器的引脚端的焊盘，衰减器的输出信号的传输路径为金丝-衰减器的引脚端的焊盘-通孔-信号输出焊盘。
22、可选地，连接衰减器的引脚端的焊盘和信号输出焊盘的通孔直径为大于或等于80um，金丝跳线焊盘尺寸大于或等于0.15mm×0.15mm，通孔覆盖方形大于或等于0.18mm×0.18mm。
23、可选地，所述第六金属层的信号输出焊盘采用共面波导结构。
24、可选地，六层式基板封装的腔壁厚度大于或等于0.8mm，金属走线宽度大于或等于0.1mm，各元件距离腔壁的距离大于或等于0.1mm。
25、本专利技术采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
26、本专利技术频率合成器包括六层式基板和多种元件，在六层式基板中合理地进行布局布线，在有限的空间内放置元件，然后对环路滤波器部分采用共面波导传输线模型，并选择在距离金属边缘处添加屏蔽孔减小回波损耗和插入损耗，回波损耗达到-30db以下，插入损耗低于0.05db，针对输出高频信号线，采用焊盘和通孔进行连接，加入金属柱式的类同轴结构与屏蔽孔优化回波损耗和插入损耗，实现小型化且高性能的频率合成器，适用于高集成化、小型化的应用场景。
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1.一种频率合成器，其特征在于，包括：六层式基板和多种元件；
2.如权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，频率合成器大小为9mm×9mm×1.8mm。
3.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述锁相环芯片为TW6223DMA型号的锁相环芯片，所述低噪声放大器为ILA-0618E型号的低噪声放大器，所述衰减器为HH-AT40型号的衰减器。
4.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述电阻为01005封装式电阻，所述电容为0402封装式或0201封装式电容。
5.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述介质层为HA90型号的陶瓷层形成的介质层；
6.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述衰减器的引脚端的焊盘为金丝跳线焊盘，衰减器的输出信号通过金丝连接到衰减器的引脚端的焊盘，衰减器的输出信号的传输路径为金丝-衰减器的引脚端的焊盘-通孔-信号输出焊盘。
7.如权利要求6所述的频率合成器，其特征在于，连接衰减器的引脚端的焊盘和信号输出焊盘的通孔直径为大于或等于80um，金丝跳线焊盘尺寸大于
8.如权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，所述第六金属层的信号输出焊盘采用共面波导结构。
9.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，六层式基板封装的腔壁厚度大于或等于0.8mm，金属走线宽度大于或等于0.1mm，各元件距离腔壁的距离大于或等于0.1mm。
...【技术特征摘要】
1.一种频率合成器，其特征在于，包括：六层式基板和多种元件；
2.如权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，频率合成器大小为9mm×9mm×1.8mm。
3.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述锁相环芯片为tw6223dma型号的锁相环芯片，所述低噪声放大器为ila-0618e型号的低噪声放大器，所述衰减器为hh-at40型号的衰减器。
4.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述电阻为01005封装式电阻，所述电容为0402封装式或0201封装式电容。
5.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述介质层为ha90型号的陶瓷层形成的介质层；
6.如权利要求2所述的频率合成器，其特征在于，所述衰减...
【专利技术属性】
技术研发人员：石玉，邱鸿其，钟慧，尉旭波，雷瑶，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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