【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电源管理电路，特别是一种ddr存储器的电源管理电路及nas设备。
技术介绍
1、ddr(双数据率随机存取存储器)存储器是一种常见的随机存取存储器，用于临时存储数据和指令。ddr存储器通常应用于台式电脑、笔记本电脑、服务器、nas设备等设备。尤其是nas设备。nas设备是一种网络附加存储设备，网络附属存储(network attachedstorage，nas)按字面简单说就是连接在网络上，具备资料存储功能的装置，因此也称为“网络存储器”。它是一种专用数据存储服务器，它以数据为中心，将存储设备与服务器彻底分离，集中管理数据，从而释放带宽、提高性能、降低成本。
2、nas设备或其他应用ddr存储器的设备中通常包括ddr存储器和电源供应模块，通过电源供应模块给ddr存储器供电使其进行正常工作。现有技术中，电源供应模块在设备处于开机状态或休眠状态下，都给ddr存储器供电，这不利于节省能量，降低了ddr存储器和所应用设备的使用寿命。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种ddr存储器的电源管理电路及nas设备，以解决现有技术中ddr存储器的供电方式不利于节省能量，降低了ddr存储器和所应用设备的使用寿命的问题。
2、本技术公开了一种ddr存储器的电源管理电路，包括：
3、电源管理芯片，其设有使能端、电源输入端和电源输出控制端，所述电源输入端用于输入电源；
4、降压单元，分别与所述电源输出控制端和外部ddr存储器连接；
5、
6、一级开关单元，所述一级开关单元的控制端与所述主控芯片电连接，第二端接地；
7、二级开关单元，所述二级开关单元的控制端连接电源，所述二级开关单元的第一端连接电源和所述电源管理芯片的使能端，第二端接地；
8、连通单元，设于所述一级开关单元的第一端与所述二级开关单元的控制端之间，所述连通单元用于连通所述一级开关单元的第一端与所述二级开关单元的控制端之间的通路；
9、其中，所述主控芯片输出电平信号控制所述一级开关单元的导通或断开，以导通或断开所述二级开关单元，使能所述电源管理芯片开启或关闭。
10、其中，较佳方案是，所述连通单元包括常开关单元，所述常开关单元的控制端用于接收外部系统控制器集线器的高电平信号，第一端连接电源和所述二级开关单元的控制端，第二端连接所述一级开关单元的第一端。
11、其中，较佳方案是，所述一级开关单元包括第一nmos管，所述第一nmos管的栅极与所述主控芯片电连接，漏极连接所述常开关单元的第二端，源极接地。
12、其中，较佳方案是，所述二级开关单元包括第二nmos管，所述第二nmos管的栅极连接电源和所述常开关单元的第一端，漏极连接电源和所述电源管理芯片的使能端，源极接地。
13、其中，较佳方案是，所述常开关单元包括第三nmos管，所述第三nmos管的栅极用于接收外部系统控制器集线器的高电平信号，漏极连接电源和所述第二nmos管的栅极，源极连接所述第一nmos管的漏极。
14、其中，较佳方案是，所述电源管理电路还包括第一上拉电阻，所述第一上拉电阻的第一端连接电源，第二端连接所述第二nmos管的漏极和所述电源管理芯片的使能端。
15、其中，较佳方案是，所述电源管理电路还包括滤波电容，所述滤波电容的第一端与所述第一上拉电阻的第二端连接，所述滤波电容的第二端接地。
16、其中，较佳方案是，所述电源管理电路还包括第二上拉电阻，所述第二上拉电阻的第一端连接电源，第二端连接至所述第三nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极。
17、其中，较佳方案是，所述连通单元包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述二级开关单元的控制端和电源，第二端连接所述一级开关单元的第一端。
18、本技术还公开了一种nas设备，包括ddr存储器和如前述所述的ddr存储器的电源管理电路，所述电源管理电路的降压单元与所述ddr存储器连接。
19、与现有技术相比，本技术实施例提供的ddr存储器的电源管理电路及nas设备的有益效果在于：通过设置电源管理芯片、主控芯片、一级开关单元、二级开关单元以及连通单元，一级开关单元的控制端与主控芯片电连接，第二端接地，二级开关单元的控制端连接电源，二级开关单元的第一端连接电源和电源管理芯片的使能端，第二端接地，将连通单元设置在一级开关单元的第一端与二级开关单元的控制端之间，可以根据需求设置连通单元的电路，实现普通控制或更为精准的两级控制使能电源管理芯片的开启或关闭，开启或关闭降压单元的工作，从而开启或关闭对ddr存储器的供电，在所应用设备处于休眠状态下切断ddr存储器的电源供应，节省能量，提高ddr存储器和nas设备的使用寿命。
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1.一种DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述连通单元包括常开关单元，所述常开关单元的控制端用于接收外部系统控制器集线器的高电平信号，第一端连接电源和所述二级开关单元的控制端，第二端连接所述一级开关单元的第一端。
3.根据权利要求2所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述一级开关单元包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述主控芯片电连接，漏极连接所述常开关单元的第二端，源极接地。
4.根据权利要求3所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述二级开关单元包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极连接电源和所述常开关单元的第一端，漏极连接电源和所述电源管理芯片的使能端，源极接地。
5.根据权利要求4所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述常开关单元包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极用于接收外部系统控制器集线器的高电平信号，漏极连接电源和所述第二NMOS管的栅极，源极连接所述第一NMOS管的漏极。
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7.根据权利要求6所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路还包括滤波电容，所述滤波电容的第一端与所述第一上拉电阻的第二端连接，所述滤波电容的第二端接地。
8.根据权利要求5所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路还包括第二上拉电阻，所述第二上拉电阻的第一端连接电源，第二端连接至所述第三NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极。
9.根据权利要求2所述的DDR存储器的电源管理电路，其特征在于，所述连通单元包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述二级开关单元的控制端和电源，第二端连接所述一级开关单元的第一端。
10.一种NAS设备，其特征在于，包括DDR存储器和如权利要求1至9任一所述的DDR存储器的电源管理电路，所述电源管理电路的降压单元与所述DDR存储器连接。
...【技术特征摘要】
1.一种ddr存储器的电源管理电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的ddr存储器的电源管理电路，其特征在于，所述连通单元包括常开关单元，所述常开关单元的控制端用于接收外部系统控制器集线器的高电平信号，第一端连接电源和所述二级开关单元的控制端，第二端连接所述一级开关单元的第一端。
3.根据权利要求2所述的ddr存储器的电源管理电路，其特征在于，所述一级开关单元包括第一nmos管，所述第一nmos管的栅极与所述主控芯片电连接，漏极连接所述常开关单元的第二端，源极接地。
4.根据权利要求3所述的ddr存储器的电源管理电路，其特征在于，所述二级开关单元包括第二nmos管，所述第二nmos管的栅极连接电源和所述常开关单元的第一端，漏极连接电源和所述电源管理芯片的使能端，源极接地。
5.根据权利要求4所述的ddr存储器的电源管理电路，其特征在于，所述常开关单元包括第三nmos管，所述第三nmos管的栅极用于接收外部系统控制器集线器的高电平信号，漏极连接电源和所述第二nmos管的栅极，源极连接所述第一nmos管的漏极。...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖红华，
申请(专利权)人：深圳市绿联科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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