【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及晶圆的失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
1、随着半导体技术的快速发展，芯片在各个领域得到广泛应用，如物联网、信息通讯、消费电子以及医疗设备等，且芯片作为电子设备的核心部件，其性能和可靠性影响整体设备的性能和稳定性。而晶圆是制作硅半导体集成电路所用的硅晶片，芯片通常制造在半导体晶圆表面，所以在晶圆的生产过程中，对其进行失效分析是至关重要的。
2、在相关技术中，通常将晶圆表面划分为多个区域，分别计算每一区域的失效严重程度进行缺陷分析。但是，上述方法无法基于不同的缺陷类别，对晶圆进行全面和精准的失效分析，导致失效分析结果不准确。
3、针对相关技术中存在无法基于不同的缺陷类别，对晶圆进行全面和精准的失效分析的问题，目前还没有提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种晶圆的失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质，以解决相关技术中无法对晶圆进行全面的失效分析，导致失效分析结果不准确的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种晶圆的失效分析方法，所述方法包括：
3、获取待检测晶圆的失效位图；
4、根据预设的多个缺陷类别，确定对应的检测顺序；所述缺陷类别为所述失效位图中不同的缺陷像素点组合；
5、基于各所述缺陷类别对应的检测顺序，对所述失效位图进行检测，得到多个检测结果；
6、根据各所述检测结果，输出所述待检测晶圆的失效信息。
7
8、确定每个所述缺陷类别对应的缺陷检测单元；所述缺陷检测单元为在每个所述缺陷类别下，用于分析所述失效位图是否存在缺陷的最小像素点组合；
9、基于各所述缺陷检测单元之间的检测冲突关系，确定各所述缺陷类别对应的所述检测顺序。
10、在其中的一些实施例中，所述基于各所述缺陷类别对应的检测顺序，对所述失效位图进行检测，包括：
11、基于各所述缺陷类别对应的检测顺序进行检测，当完成当前缺陷类别的检测后，在所述失效位图中剔除检测出的所述当前缺陷类别的缺陷像素点；
12、下一个缺陷类别的检测基于缺陷像素点剔除后的失效位图进行检测。
13、在其中的一些实施例中，所述缺陷类别包括线型缺陷、聚簇缺陷、随机缺陷、位缺陷；所述基于各所述缺陷类别对应的检测顺序，对所述失效位图进行检测，包括：
14、按照所述线型缺陷、聚簇缺陷、随机缺陷的检测顺序对所述失效位图进行检测；
15、在检测出线型缺陷或聚簇缺陷后，在所述失效位图中剔除对应的缺陷像素点；
16、判断所述失效位图中剩下的缺陷像素点是否为随机缺陷，如是随机缺陷则结束检测，否则继续进行位缺陷的检测。
17、在其中的一些实施例中，所述缺陷类别为线型缺陷；所述对所述失效位图进行检测，包括：
18、将所述失效位图中的每行像素点和/或每列像素点作为原子项；
19、基于每个所述原子项对应的缺陷线型，对所述失效位图进行检测；所述缺陷线型包括实线型缺陷和虚线型缺陷。
20、在其中的一些实施例中，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
21、所述线型缺陷包括至少一种缺陷子类别，所述缺陷子类别由每行和/或每列的至少一个原子项组成；
22、在获取到每个所述原子项对应的缺陷线型之后，基于所述至少一种缺陷子类别的检测优先级，获得所述失效位图中的线型缺陷。
23、在其中的一些实施例中，所述缺陷子类别所述对所述失效位图进行检测，还包括：
24、在获得每个所述原子项对应的缺陷线型之后，记录每行像素点与每列像素点的相交点信息；
25、在获得当前缺陷子类别的检测结果之后，基于所述相交点信息剔除当前缺陷子类别的检测结果中非相交点的像素点，再继续下一个缺陷子类别的检测。
26、在其中的一些实施例中，所述缺陷类别为聚簇缺陷；所述对所述失效位图进行检测，包括：
27、确定不同缺陷像素点之间的连接关系定义；
28、从所述失效位图中，选取符合所述连接关系定义的多个第一缺陷像素点组合；
29、判断每个所述第一缺陷像素点组合中的缺陷像素点数量是否超过预设阈值；
30、根据判断结果，确定所述第一缺陷像素点组合是否属于所述聚簇缺陷。
31、在其中的一些实施例中，所述缺陷类别为随机缺陷；所述对所述失效位图进行检测，包括：
32、确定所述失效位图中的缺陷像素点数量与全部像素点数量的比值；
33、判断所述比值是否超出预设的阈值范围；
34、根据判断结果，确定所述失效位图是否存在所述随机缺陷。
35、在其中的一些实施例中，所述缺陷类别为位缺陷；所述对所述失效位图进行检测，包括：
36、获取所述位缺陷对应的多个第二缺陷像素点组合；
37、基于所述第二缺陷像素点组合的定义信息，对所述失效位图进行语义分割检测。
38、在其中的一些实施例中，所述根据各所述检测结果，输出所述待检测晶圆的失效信息，包括：
39、根据各所述检测结果，确定所述待检测晶圆的多个当前缺陷类别；
40、确定每个所述当前缺陷类别对应的缺陷点位置信息；
41、将各所述当前缺陷类别和对应的所述缺陷点位置信息作为所述待检测晶圆的失效信息。
42、第二个方面，在本实施例中提供了一种晶圆的失效分析装置，所述装置包括：获取模块、设定模块、分析模块以及输出模块；
43、所述获取模块，用于获取待检测晶圆的失效位图；
44、所述设定模块，用于根据预设的多个缺陷类别，确定对应的检测顺序；所述缺陷类别为所述失效位图中不同的缺陷像素点组合；
45、所述分析模块，用于基于各所述缺陷类别对应的检测顺序，对所述失效位图进行检测，得到多个检测结果；
46、所述输出模块，用于根据各所述检测结果，输出所述待检测晶圆的失效信息。
47、第三个方面，在本实施例中提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一个方面所述的晶圆的失效分析方法。
48、第四个方面，在本实施例中提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述第一个方面所述的晶圆的失效分析方法。
49、与相关技术相比，在本实施例中提供的晶圆的失效分析方法、装置、计算机设备和存储介质，通过获取待检测晶圆的失效位图；根据预设的多个缺陷类别，确定对应的检测顺序，其中缺陷类别为失效位图中不同的缺陷像素点组合；基于各缺陷类别对应的检测顺序，对失效位图进行检测，得到多个检测结果；进一步地，根据各检测结果，输出待检测晶圆本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
5.根据权利要求3所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述实线型缺陷指所述原子项上的所有像素点个数与每行/每列长度相同；所述虚线型缺陷指所述原子项上的所有像素点个数在每行/每列长度上的占比超过预设比例。
7.根据权利要求1所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述根据各所述检测结果，输出所述待检测晶圆的失效信息，包括：
8.一种晶圆的失效分析装置，其特征在于，所述装置包括：获取模块、分析模块以及输出模块；
9.根据权利要求8所述的晶圆的失效分析装置，其特征在于，所述装置还包括
10.一种计算机设备，包括存储器和处理器，其特征在于，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行权利要求1至权利要求7中任一项所述的晶圆的失效分析方法的步骤。
11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至权利要求7中任一项所述的晶圆的失效分析方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
5.根据权利要求3所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述对所述失效位图进行检测，还包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆的失效分析方法，其特征在于，所述实线型缺陷指所述原子项上的所有像素点个数与每行/每列长度相同；所述虚线型缺陷指所述原子项上的所有像素点个数在每行/每列长度上的占比超过预设比例。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：姜辉，蒲怀建，况易田，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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