【技术实现步骤摘要】
本技术属于芯片封装，具体而言，涉及一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构。
技术介绍
1、一种用于gan-sbd(氮化镓肖特基势垒二极管)的列阵p-gan指的是在氮化镓肖特基势垒二极管(gan-sbd)中，使用了一种特定结构的p型氮化镓(p-gan)列阵。
2、岛终端结构(field plate orfield stop structure)是一种常用于电力电子器件中的结构，特别是在高压半导体器件中，如功率mosfet、igbt(绝缘栅双极型晶体管)和sic(碳化硅)器件中。
3、岛终端结构通常位于器件的终端区域，而这些区域由于电场分布的原因，可能会产生较大的热量，从而导致p-gan岛终端结构损坏。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术提供一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构，能够解决p-gan岛终端结构散热的问题，避免p-gan岛终端结构温度过高导致p-gan岛终端结构损坏。
2、本技术是这样实现的：
3、本技术提供一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构，包括p-gan岛、热传导路径、散热鳍片，其中，所述p-gan岛与所述热传导路径固定连接，所述热传导路径与所述散热鳍片固定连接，所述散热鳍片有多片，竖直分布在所述热传导路径表面，所述散热鳍片包括第一散热片和第二散热片，所述第一散热片的底部与所述热传导路径固定连接，所述第一散热片的顶部与所述第二散热片固定连接，所述第一散热片的截面为弧形。
4、
5、其中，所述第一散热片的高度等于相邻两个散热鳍片距离的3～5倍。
6、进一步的，所述第一散热片的截面为正弦波形。
7、采用上述改进方案的有益效果为：利用正弦函数的周期性变化，设计鳍片的高度按照正弦波的形式起伏；这种设计不仅增加了散热面积，还能引导气流在鳍片间形成涡流，增强对流散热效果。
8、进一步的，所述波形的周期等于所述第一散热片的高度。
9、进一步的，所述第一散热片的截面为抛物线形。
10、采用上述改进方案的有益效果为：抛物线形状具有对称性和平滑过渡的特点，适合用于设计散热鳍片；通过调整抛物线的开口方向和顶点位置，可以优化散热面积和气流分布。
11、进一步的，所述第一散热片的截面为指数曲线形。
12、采用上述改进方案的有益效果为：指数函数可以描述一种逐渐增大的趋势，利用这一特性，可以设计鳍片的高度从底部到顶部逐渐增大；这种设计有助于在鳍片顶部形成更强的对流，提高散热效率。
13、进一步的，所述散热鳍片的第一散热片部分在所述热传导路径上的投影与相邻散热鳍片的第一散热片底部相重合。
14、进一步的，所述第一散热片的截面为螺旋函数形。
15、螺旋形状具有连续性和旋转性，可以用于设计具有独特散热效果的鳍片；螺旋鳍片能够引导气流沿着螺旋路径流动，增加散热面积和气流速度。
16、进一步的，所述散热鳍片的材质为铝或铜。
17、进一步的，所述p-gan岛与所述热传导路径通过焊接连接在一起。
18、与现有技术相比较，本技术提供的一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构的有益效果是：
19、增加散热面积：通过设计散热鳍片的结构，有效增加了散热面积，提高了散热效率；
20、引导气流形成涡流：采用正弦波形状的散热鳍片，可以引导气流在鳍片间形成涡流，进一步增强对流散热效果；
21、优化散热面积和气流分布：使用抛物线形状、指数曲线形状或螺旋函数形状的散热鳍片，可以优化散热面积和气流分布，提高散热效率；
22、提高散热效率：通过上述改进方案，可以提高散热效率，使设备在高温环境下能够更好地工作，延长使用寿命；
23、优化材料选择和连接方式：选择铝或铜作为散热鳍片的材质，并通过焊接方式连接p-gan岛与热传导路径，能够提高散热效率并确保连接稳固可靠。
24、综上所述，这些改进方案能够有效地提高gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构的散热性能，使其在高功率密度应用中表现更加出色。
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1.一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，包括P-GaN岛(1)、热传导路径(2)、散热鳍片(3)，其特征在于，所述P-GaN岛(1)与所述热传导路径(2)固定连接，所述热传导路径(2)与所述散热鳍片(3)固定连接，所述散热鳍片(3)有多片，竖直分布在所述热传导路径(2)表面，所述散热鳍片(3)包括第一散热片(31)和第二散热片(32)，所述第一散热片(31)的底部与所述热传导路径(2)固定连接，所述第一散热片(31)的顶部与所述第二散热片(32)固定连接，所述第一散热片(31)的截面为弧形。
2.根据权利要求1所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述第一散热片(31)的高度等于相邻两个散热鳍片(3)距离的3～5倍。
3.根据权利要求2所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述第一散热片(31)的截面为正弦波形。
4.根据权利要求3所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述正弦波形的周期等于所述第一散热片(31)的高度。
5.根据
6.根据权利要求5所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述第一散热片(31)的截面为指数曲线形。
7.根据权利要求6所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述散热鳍片(3)的第一散热片(31)部分在所述热传导路径(2)上的投影与相邻散热鳍片(3)的第一散热片(31)底部相重合。
8.根据权利要求7所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述第一散热片(31)的截面为螺旋函数形。
9.根据权利要求8所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述散热鳍片(3)的材质为铝或铜。
10.根据权利要求9所述的一种用于GaN-SBD的列阵P-GaN岛终端结构，其特征在于，所述P-GaN岛(1)与所述热传导路径(2)通过焊接连接在一起。
...【技术特征摘要】
1.一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构，包括p-gan岛(1)、热传导路径(2)、散热鳍片(3)，其特征在于，所述p-gan岛(1)与所述热传导路径(2)固定连接，所述热传导路径(2)与所述散热鳍片(3)固定连接，所述散热鳍片(3)有多片，竖直分布在所述热传导路径(2)表面，所述散热鳍片(3)包括第一散热片(31)和第二散热片(32)，所述第一散热片(31)的底部与所述热传导路径(2)固定连接，所述第一散热片(31)的顶部与所述第二散热片(32)固定连接，所述第一散热片(31)的截面为弧形。
2.根据权利要求1所述的一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构，其特征在于，所述第一散热片(31)的高度等于相邻两个散热鳍片(3)距离的3～5倍。
3.根据权利要求2所述的一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构，其特征在于，所述第一散热片(31)的截面为正弦波形。
4.根据权利要求3所述的一种用于gan-sbd的列阵p-gan岛终端结构，其特征在于，所述正弦波形的周期等于所述第一散热片(3...
【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，谭文涛，杨玉珍，
申请(专利权)人：苏州创芯致尚微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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