【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种在半导体制作工艺中，中高压元件区与低压元件区的交界产生的一种结构。
技术介绍
1、在半导体制作工艺中，一般以纳米为单位来描述纳米制作工艺的精细度，举例来说，14纳米制作工艺代表在该半导体制作工艺中，元件所能形成的最低线宽为14纳米。当制作工艺技术逐渐进步，纳米制作工艺的线宽也逐渐降低。
2、然而，即使纳米制作工艺逐渐地进步，并非所有的元件都适合以高精度的纳米制作工艺来形成。例如当元件的尺寸并不匹配纳米制作工艺的精度时，不但会导致元件的良率下降，也同时会耗费更多的成本。因此，为了因应不同尺寸或精密度的元件，会以不同精度的纳米制作工艺来形成不同的元件。
3、在一个芯片上，可能会同时存在不同精密度的元件分别位于不同的区域内，其可能分别由不同精度的纳米制作工艺所形成。因此，在这些区域的交界，可能会比较容易产生各种结构问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体结构，包含一中高压元件区，包含有一平坦顶面，一低压元件区，包含有多个鳍状结构位于其中，以及一凸出部分，位于中高压元件区与低压元件区的一交界，其中凸出部分的一顶面为平坦形状，且凸出部分的顶面与中高压元件区的平坦顶面切齐。
2、本专利技术另提供一种半导体结构，包含一中高压元件区，包含有一平坦顶面，一低压元件区，包含有多个鳍状结构位于其中，以及一凸出尖角，位于中高压元件区与低压元件区的一交界，其中凸出尖角的一顶面为尖端形状，且凸出尖角的一顶面低于中高压
3、本专利技术的特征在于，在同一芯片上的中高压元件区(适用电压在5伏特以上，较佳在10伏特以上)与低压元件区(适用电压在5伏特以下，较佳在1.5伏特以下)的交界，会通过深沟槽与浅沟槽来定义出一凸出部分或是一尖角部分。此凸出部分或尖角部分可以作为不同区域之间的缓冲，避免两边结构而相互影响。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含:
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有深沟槽，位于该中高压元件区内，并且该深沟槽相邻于该凸出部分。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中还包含有浅沟槽，位于该低压元件区内，并且该浅沟槽相邻于该凸出部分。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该深沟槽的深度大于该浅沟槽的深度。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中各该鳍状结构的底面与该浅沟槽的底面切齐。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中从剖面图来看，该凸出部分的宽度大于各该鳍状结构的宽度。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该中高压元件区内包含有多个第一元件，各该第一元件的驱动电压大于10伏特，该低电压元件区内包含有多个第二元件，各该第二元件的驱动电压小于1.5伏特。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中各该第一元件包含显示驱动芯片。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其中各该第二元件包含有运用于逻辑运算的晶体管元件。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其中各该第一元件与
11.一种半导体结构，包含:
12.如权利要求11所述的半导体结构，其中还包含有深沟槽，位于该中高压元件区内，并且该深沟槽相邻于该凸出尖角。
13.如权利要求12所述的半导体结构，其中还包含有浅沟槽，位于该低压元件区内，并且该浅沟槽相邻于该凸出尖角。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其中该深沟槽的深度大于该浅沟槽的深度。
15.如权利要求13所述的半导体结构，其中各该鳍状结构的底面与该浅沟槽的底面切齐。
16.如权利要求11所述的半导体结构，其中从剖面图来看，该凸出尖角的宽度大于各该鳍状结构的宽度。
17.如权利要求11所述的半导体结构，其中该中高压元件区内包含有多个第一元件，各该第一元件的驱动电压大于10伏特，该低电压元件区内包含有多个第二元件，各该第二元件的驱动电压小于1.5伏特。
18.如权利要求17所述的半导体结构，其中各该第一元件与各该第二元件是由不同精细度的纳米制作工艺所制作。
19.一种半导体结构，包含:
20.一种半导体结构，包含:
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含:
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有深沟槽，位于该中高压元件区内，并且该深沟槽相邻于该凸出部分。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中还包含有浅沟槽，位于该低压元件区内，并且该浅沟槽相邻于该凸出部分。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该深沟槽的深度大于该浅沟槽的深度。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中各该鳍状结构的底面与该浅沟槽的底面切齐。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中从剖面图来看，该凸出部分的宽度大于各该鳍状结构的宽度。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该中高压元件区内包含有多个第一元件，各该第一元件的驱动电压大于10伏特，该低电压元件区内包含有多个第二元件，各该第二元件的驱动电压小于1.5伏特。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中各该第一元件包含显示驱动芯片。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其中各该第二元件包含有运用于逻辑运算的晶体管元件。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其中各该第一元件与各该第二元件是由不同精...
【专利技术属性】
技术研发人员：李竑均，王智亿，陈纬哲，胡雅婷，王尧展，曾坤赐，郑凤筠，周贤亮，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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