【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序。
技术介绍
1、以前，作为基板处理装置的一例，已知有如专利文献1所记载的基板处理装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利特开2010-153453号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、在基板处理装置中，存在进行处理容器内的清洗处理的情况，当基板处理时的温度比清洗处理时的温度高时，需要将处理容器内的温度冷却至清洗处理时的温度。若基板载置台的温度较高，则存在处理容器内的冷却花费时间的情况。
3、本专利技术提供急速地冷却处理容器，并能提升基板的生产效率的技术。
4、用于解决问题的手段
5、根据本专利技术的一方式，提供如下技术，其具备：处理容器，其能够对处理基板进行处理；基板载置台，其能够载置上述处理基板；及控制部，其能够进行如下控制：在上述处理基板的处理后，当上述处理容器内的温度比清洗上述处理容器内的清洗处理的温度高时，将外周长度比上述处理基板短的冷却基板载置于上述基板载置台来进行上述处理容器内的冷却处理，若上述处理容器内的温度成为能够进行上述清洗处理的温度后执行上述清洗处理。
6、专利技术效果
7、如上所说明，根据本专利技术，可以急速地冷却处理容器，并提升基板的生产效率。
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
16.一种半导体装置的制造
17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
18.一种通过计算机使基板处理装置执行的程序，其特征在于，
19.根据权利要求18的程序，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征...
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