【技术实现步骤摘要】
本技术涉及led器件领域，特别是涉及一种大角度高压led器件和背光模组。
技术介绍
1、高压led阵列器件由多个led芯片串联形成，具有更高的工作电压，能够实现更高亮度和更大功率输出，能够实现更明亮的照明效果，在室内外照明、汽车照明等领域广泛应用；此外高压led芯片还能实现更清晰和更长距离的显示，当led芯片是led芯片时，多个高压led阵列器件组成背光产品，在显示屏、广告牌等领域也多有应用。
2、请参阅图1和图2，其为现有的高压led阵列器件的俯视图以及两个led芯片之间连接方式的示意图。现有技术的高压led阵列器件包括支架杯碗100、基板200、led芯片组300和金线400。所述基板200固定在所述支架杯碗100内部空间的底面，所述基板200表面设置正极焊盘220及负极焊盘230，正极焊盘220与负极焊盘230之间设有绝缘层。所述led芯片组300包括多个led芯片310，所述led芯片310通过金线400串联且间隔一定距离设置。led芯片组300串联连接的第一个led芯片310和最后一个led芯片310分别通过金线400与正极焊盘220、负极焊盘230对应连接。
3、然而，现有技术的高压led阵列器件的发光中心与四周的出光亮度存在较大差异，即存在出光不均匀的问题。当高压led阵列器件作为发光板应用到显示屏时，多个发光板组成阵列形成背光灯板。背光灯板出光面与显示屏的混光膜片之间的距离(od值)越小，显示屏越轻薄，但发光板中心与四周的亮度差异在显示屏上显示得越明显。当od值固定时，若背光灯板的发光板数
技术实现思路
1、基于此，本技术的目的在于，提供一种大角度高压led器件。
2、本技术的大角度高压led器件包括：基板和高压芯片阵列，所述基板表面设置相互绝缘的焊盘，所述高压芯片阵列固定在所述基板上，与所述基板电连接；所述高压芯片阵列包括n个led芯片，n≥2，所述led芯片之间间隔设置，所述led芯片之间的间距≤100μm。本技术的大角度高压led器件将多个led芯片连接紧密排布，避免光线从单个led芯片的侧面漏出导致led器件出光不均匀的问题，形成了出光均匀的高压led阵列器件。
3、进一步地，led芯片的正极与其相邻的led芯片的负极通过一电连接层导电连接，避免封装时连接层变形导致的电路失效
4、进一步地，所述led芯片之间的间距≥10μm。可避免所述led芯片之间间距太小造成的短路现象。
5、进一步地，在所述led芯片顶部电极表面以外的区域覆盖半透反射层。进一步增大侧面出光角度。避免光线从单个led芯片的侧面漏出导致led器件出光不均匀的问题，并增大出光角度。
6、进一步地，所述led芯片之间的间隔处形成绝缘凹槽，所述绝缘凹槽的底部和侧面上覆盖半透反射层。
7、进一步地，所述led芯片底部面覆盖半透反射层，减少从所述led芯片顶部发出的光线。
8、进一步地，所述led芯片排列形成高压芯片阵列矩阵。方便芯片的安装和与基板的连接。
9、进一步地，还包括基板，所述高压芯片阵列通过固晶胶固定所述基板上，所述固晶胶的面积≤所述高压芯片阵列的面积。
10、进一步地，所述高压芯片阵列矩阵对角线两端上的电连接层通过键合线与所述基板电连接，所述键合线沿所述高压芯片阵列对角线向外延伸形成弯曲的弧线，并且在未设置高压芯片阵列的基板上方形成向上弯曲弧线的最高点。
11、进一步地，提供一种大角度高压led背光模组，前述的大角度高压led器件。
12、为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本技术。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种大角度高压LED器件，其特征在于：包括基板和高压芯片阵列，所述基板表面设置相互绝缘的焊盘，所述高压芯片阵列固定在所述基板上，与所述基板电连接；所述高压芯片阵列包括n个LED芯片，n≥2，所述LED芯片之间间隔设置，所述LED芯片之间的间距≤100μm。
2.根据权利要求1所述的大角度高压LED器件，其特征在于：LED芯片的正极与其相邻的LED芯片的负极通过一电连接层导电连接。
3.根据权利要求2所述的大角度高压LED器件，其特征在于：所述LED芯片之间的间距≥10μm。
4.根据权利要求3所述的大角度高压LED器件，其特征在于：在所述LED芯片顶部电极表面以外的区域覆盖半透反射层。
5.根据权利要求4所述的大角度高压LED器件，其特征在于：所述相邻的LED芯片之间的间隔处形成绝缘凹槽，所述绝缘凹槽的底部和侧面上覆盖半透反射层。
6.根据权利要求5所述的大角度高压LED器件，其特征在于：所述LED芯片底部面覆盖半透反射层。
7.根据权利要求6所述的大角度高压LED器件，其特征在于：所述n个LED芯片形成
8.根据权利要求7所述的大角度高压LED器件，其特征在于：所述高压芯片阵列与所述基板通过键合线连接，所述键合线沿所述高压芯片阵列对角线向外延伸形成弯曲的弧线，并且在未设置高压芯片阵列的基板上方形成向上弯曲弧线的最高点。
9.根据权利要求8所述的大角度高压LED器件，其特征在于：所述高压芯片阵列通过固晶胶固定所述基板上，所述固晶胶的面积≤所述高压芯片阵列的面积。
10.一种大角度高压LED背光模组，其特征在于：包括多个权利要求1至9任一项所述的大角度高压LED器件，所述的大角度高压LED器件阵列排布。
...【技术特征摘要】
1.一种大角度高压led器件，其特征在于：包括基板和高压芯片阵列，所述基板表面设置相互绝缘的焊盘，所述高压芯片阵列固定在所述基板上，与所述基板电连接；所述高压芯片阵列包括n个led芯片，n≥2，所述led芯片之间间隔设置，所述led芯片之间的间距≤100μm。
2.根据权利要求1所述的大角度高压led器件，其特征在于：led芯片的正极与其相邻的led芯片的负极通过一电连接层导电连接。
3.根据权利要求2所述的大角度高压led器件，其特征在于：所述led芯片之间的间距≥10μm。
4.根据权利要求3所述的大角度高压led器件，其特征在于：在所述led芯片顶部电极表面以外的区域覆盖半透反射层。
5.根据权利要求4所述的大角度高压led器件，其特征在于：所述相邻的led芯片之间的间隔处形成绝缘凹槽，所述绝缘凹槽的底部和侧面上覆盖半透反射层。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈翔，刘发波，陈均华，龚丹雷，董鹏辉，占有维，陈健文，林宇珊，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。