【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及电镀设备领域，特别是涉及一种电镀传输装置和电镀系统。
技术介绍
1、硅通孔(through silicon via，tsv)电镀是制造工艺中最长的步骤之一，也是整个tsv工艺里最核心、难度最大的工艺。人们希望增加电流密度以实现更高的产量，但更快、不受控制的电镀通常会导致硅通孔不能完全填充并出现空洞。tsv通常由铜(cu)填充，通常通过电沉积获得。由于tsv的微观结构过小(通常宽度为5-40微米，深度为10-200微米)，微通孔局部区域流场、浓度场和电场分布不均匀，导致tsv开口与底部填充率不均匀，特别是高纵横比(ar)的tsv。这种不均匀性可能导致填充缺陷、空洞和接缝，最终导致tsv电性能差和可靠性问题，从而影响器件寿命。
2、在3d-ic制造中，tsv电镀通常是将晶圆放置在负电位下的电解质(带有添加剂)中。为了缩短总电镀时间，tsv电镀工艺通常使用“两步走”战略，然而将晶圆从第一电镀阶段转移到第二电镀阶段时，第一电镀阶段晶圆表面的溶液可能会污染第二电镀阶段的溶液，且转移过程中若晶圆暴露于空气中，空气泡可能会扩散到半填充通孔中导致空洞。
技术实现思路
1、本技术实施例主要解决的技术问题是提供一种，能够避免晶圆在不同电镀阶段之间的电镀溶液污染问题、以及由于转移导致的填充空洞的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种电镀传输装置，包括：设置在第一电镀腔和第二电镀腔之间的传输桥面板；第一活动环，设置在所述传输桥和所述第一
3、在一些实施例中，电镀传输装置还包括：驱动源，用于提供动力；连接所述驱动源的执行机构，用于根据所述驱动源提供的动力控制所述第一活动环和所述第二活动环打开或关闭。
4、在一些实施例中，电镀传输装置还包括：定位结构，用于检测所述第一活动环和所述第二活动环的位置。
5、在一些实施例中，所述定位结构包括限位开关、位置传感器和压力传感器。
6、在一些实施例中，所述进水口和所述出水口相对而设置。
7、在一些实施例中，所述第一活动环呈半圆状；所述第二活动环呈半圆状。
8、在一些实施例中，所述第一活动环和所述第二活动环之间的最小距离大于待电镀晶圆的直径。
9、为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种电镀系统，包括：若干个第一电镀腔；若干个第二电镀腔；若干个如上所述的电镀传输装置；每个第一电镀腔与至少一个第二电镀腔通过电镀传输装置连接。
10、在一些实施例中，电镀系统还包括：
11、控制模块，所述控制模块分别连接至若干个电镀传输装置的执行机构；所述控制模块用于输出控制信号，以驱动相应执行机构控制相应的第一活动环或第二活动环打开或关闭。
12、在一些实施例中，第一电镀腔通过一个电镀传输装置和一个第二电镀腔连接；或第一电镀腔通过两个电镀传输装置分别和两个第二电镀腔连接；或第一电镀腔通过三个电镀传输装置分别和三个第二电镀腔连接；或第一电镀腔通过四个电镀传输装置分别和四个第二电镀腔连接。
13、本技术实施例的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术实施例通过在第一电镀腔和第二电镀腔之间设置传输装置，能够避免晶圆在不同电镀阶段之间由于转移导致的填充空洞，减少晶圆转移时间，进而提高电镀效率。
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1.一种电镀传输装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述定位结构包括限位开关、位置传感器和压力传感器。
5.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述进水口和所述出水口相对而设置。
6.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述第一活动环呈半圆状；所述第二活动环呈半圆状。
7.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述第一活动环和所述第二活动环之间的最小距离大于待电镀晶圆的直径。
8.一种电镀系统，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种电镀传输装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述定位结构包括限位开关、位置传感器和压力传感器。
5.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述进水口和所述出水口相对而设置。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌，潘江洪，罗剑锋，
申请(专利权)人：深圳市大能创智半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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