【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、在专利文献1中记载了“阻挡金属5与二极管沟槽电极21a以及p型接触层24欧姆接触，并与二极管沟槽电极以及p型接触层24电连接”的结构的半导体装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2022-056498号公报
5、专利文献2：日本特开2022-059487号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、在半导体装置中，期望提高二极管部的正向电压vf，降低反向恢复损耗err。
3、技术方案
4、在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：二极管部；多个沟槽部，其设置于半导体基板的正面；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；第二导电型的阳极区，其在所述二极管部中设置于所述漂移区的上方；第二导电型的第一插塞区，其在所述二极管部中设置于所述漂移区的上方且掺杂浓度高于所述阳极区的掺杂浓度；正面侧电极，其设置于所述半导体基板的上方；以及层间绝缘膜，其设置于台面部的上方，所述台面部设置于所述多个沟槽部之间，所述阳极区在所述多个沟槽部的侧面与所述正面侧电极连接。
5、在上述半导体装置中，可以具备第一接触部，所述第一接触部在所述台面部的上方沿所述多个沟槽部的沟槽延伸方向延伸，并与所述阳极区和所述第一插塞区连接。
6、在上述任一半导体装置中，可以具备第二接触部，所述第二接触部在所述半导体基板的正面从所述多个沟槽
7、在上述任一半导体装置中，所述第二接触部可以在所述多个沟槽部的沟槽排列方向上越过所述多个沟槽部的至少一个沟槽部而延伸，并与所述至少一个沟槽部连接。
8、在上述任一半导体装置中，所述第一接触部的所述沟槽排列方向上的宽度可以大于所述第二接触部的所述沟槽延伸方向上的宽度。
9、在上述任一半导体装置中，所述第二接触部可以设置于在所述沟槽排列方向上交替地设置的所述阳极区和所述多个沟槽部的上方。
10、在上述任一半导体装置中，可以在所述沟槽排列方向上交替地设置的所述阳极区和所述多个沟槽部的上方设置有多个所述第二接触部。
11、在上述任一半导体装置中，所述层间绝缘膜可以具有第一层间绝缘部，所述第一层间绝缘部在俯视时在所述沟槽排列方向上设置于所述第一插塞区与所述多个沟槽部之间。
12、在上述任一半导体装置中，所述层间绝缘膜可以具有第二层间绝缘部，所述第二层间绝缘部在俯视时在所述沟槽排列方向上设置于所述阳极区与所述多个沟槽部之间。
13、在上述任一半导体装置中，所述第一层间绝缘部的所述沟槽延伸方向上的宽度可以大于所述第二层间绝缘部的所述沟槽延伸方向上的宽度。
14、在上述任一半导体装置中，所述第一层间绝缘部可以在所述沟槽排列方向上被沿所述沟槽延伸方向延伸的多个所述第一接触部所夹，所述第一层间绝缘部可以在所述沟槽延伸方向上被沿所述沟槽排列方向延伸的多个所述第二接触部所夹。
15、在上述任一半导体装置中，所述第二层间绝缘部可以在所述沟槽排列方向上被沿所述沟槽延伸方向延伸的多个所述第一接触部所夹，所述第二层间绝缘部可以在所述沟槽延伸方向上被沿所述沟槽排列方向延伸的多个所述第二接触部所夹。
16、在上述任一半导体装置中，所述正面侧电极可以具有设置于所述第一接触部和所述第二接触部的内部的阻挡金属层。
17、在上述任一半导体装置中，可以具备晶体管部，所述晶体管部具有设置于所述漂移区的上方的第二导电型的基区，所述阳极区的掺杂浓度可以低于所述基区的掺杂浓度。
18、在上述任一半导体装置中，在所述晶体管部可以具备第二导电型的接触区，所述第二导电型的接触区设置于比所述漂移区更靠上方的位置，所述第一插塞区的掺杂浓度可以高于所述接触区的掺杂浓度。
19、在上述任一半导体装置中，在所述晶体管部可以具备第二导电型的第二插塞区，所述第二插塞区设置于所述漂移区的上方，且掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度。
20、在上述任一半导体装置中，所述阳极区的掺杂浓度可以为4e16cm-3以上且1e17cm-3以下。
21、在上述任一半导体装置中，所述第一插塞区的掺杂浓度可以为2e19cm-3以上且2e20cm-3以下。
22、在上述任一半导体装置中，所述第一插塞区可以在所述多个沟槽部的沟槽排列方向上与所述多个沟槽部的沟槽侧壁分离地设置，所述阳极区可以在所述沟槽排列方向上从所述多个沟槽部中的一个沟槽侧壁起延伸设置到另一个沟槽侧壁为止，所述第一插塞区和所述阳极区可以在所述台面部中，在所述多个沟槽部的沟槽延伸方向上交替地设置。
23、在上述任一半导体装置中，在所述台面部中，所述阳极区在所述半导体基板的正面的面积可以大于所述第一插塞区在所述半导体基板的正面的面积。
24、在上述任一半导体装置中，所述正面侧电极可以具有由钨构成的插塞层。
25、在上述任一半导体装置中，在所述二极管部中可以具备设置于所述半导体基板的背面的第一导电型的阴极区，所述阴极区的掺杂浓度可以为5e19cm-3以上且2e20cm-3以下。
26、应予说明，上述
技术实现思路
并未列举出本专利技术的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，<...
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