【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储器及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体领域的发展，采用平面存储器单元的存储器密度接近上限。目前，三维存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度限制。在三维存储器架构中，存储器单元阵列和外围电路位于不同的晶圆上，并以面对面的方式键合在一起。然而，在存储器单元阵列中所在晶圆中，位线接触插塞具有尺寸较小且布局存在局限性的问题，不利于位线与外围电路耦接。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决或改善
技术介绍
中存在的技术问题而提供一种存储器及其制造方法。
2、本公开实施例提供了一种存储器，包括：存储阵列，包括阵列排布的多个垂直晶体管以及与所述多个垂直晶体管一一对应耦接的多个存储单元，其中，每个所述垂直晶体管的有源区沿第一方向延伸，每个所述垂直晶体管的第一端与一个所述存储单元的第一端耦接；多条位线，位于所述多个垂直晶体管的远离所述多个存储单元的一侧，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且分别与所述多个垂直晶体管的第二端对应耦接；第一互连结构，位于所述多条位线的远离所述存储阵列的一侧；第二互连结构，位于所述第一互连结构的远离所述多条位线的一侧；键合界面，位于所述第一互连结构和所述第二互连结构之间；外围电路，位于所述第二互连结构的远离所述第一互连结构的一侧，其中，所述多条位线通过所述第一互连结构、所述键合界面和所述第二互连结构与所述外围电路对应耦接；其中，所述第一互连结构包括多个互连层，所述多个互连层包括靠近所述多条位线的第一互连层，所述第一
3、在一些实施例中，所述多条第一引线的电阻基本相同。
4、在一些实施例中，所述多个第一接触插塞交错排布于所述多条位线的中垂线的两侧，所述中垂线的延伸方向分别垂直于所述第一方向和所述第二方向，所述多个第一接触插塞到所述中垂线的距离相等；位于所述中垂线的一侧的所述第一接触插塞与奇数序的所述位线耦接，位于所述中垂线的另一侧的所述第一接触插塞与偶数序的所述位线耦接。
5、在一些实施例中，与位于所述中垂线的同一侧的所述第一接触插塞耦接的所述第一焊盘也位于所述中垂线的所述同一侧，且沿所述中垂线的延伸方向交错排布。
6、在一些实施例中，所述多个第一接触插塞沿所述多条位线的中垂线依次排布，所述中垂线的延伸方向分别垂直于所述第一方向和所述第二方向；位于所述中垂线的一侧的所述第一焊盘与奇数序的所述第一接触插塞耦接，位于所述中垂线的另一侧的所述第一焊盘与偶数序的所述第一接触插塞耦接。
7、在一些实施例中，位于所述中垂线的同一侧的所述第一焊盘沿所述中垂线的延伸方向交错排布。
8、在一些实施例中，所述多个互连层还包括远离所述多条位线的第二互连层，所述第二互连层包括均匀分布的多个第二焊盘，所述多个第二焊盘通过多个第二接触插塞以及除所述第二互连层之外的其他互连层与所述多条位线对应耦接。
9、在一些实施例中，所述多个互连层还包括位于所述第一互连层和所述第二互连层之间的至少一个中间互连层，所述中间互连层包括多个中间焊盘和多条中间引线，所述多个中间焊盘通过所述多条中间引线、多个中间接触插塞以及位于所述中间互连层和所述多条位线之间的其他互连层与所述多条位线对应耦接；所述中间焊盘的占用面积大于所述第一焊盘的占用面积，所述第二焊盘的占用面积大于所述中间焊盘的占用面积。
10、在一些实施例中，所述存储器还包括：多条字线，沿第三方向延伸，分别覆盖所述多个垂直晶体管的有源区的部分侧壁，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向，所述第三方向与所述第二方向相交；多个字线接触插塞，位于所述多条字线和所述第一互连结构之间；其中，所述多条字线通过所述多个字线接触插塞、所述第一互连结构、所述键合界面和所述第二互连结构与所述外围电路对应耦接。
11、在一些实施例中，所述多个字线接触插塞分布于所述多条字线的相对两端，位于所述多条字线的一端的所述字线接触插塞与奇数序的所述字线耦接，位于所述多条字线的另一端的所述字线接触插塞与偶数序的所述字线耦接。
12、本公开实施例还提供了一种存储器的制造方法，包括：形成第一半导体结构，其中，所述第一半导体结构包括存储阵列、多条位线和第一互连结构；所述存储阵列包括阵列排布的多个垂直晶体管以及与所述多个垂直晶体管一一对应耦接的多个存储单元，每个所述垂直晶体管的有源区沿第一方向延伸，每个所述垂直晶体管的第一端与每个所述存储单元的第一端耦接；所述多条位线位于所述多个垂直晶体管的远离所述多个存储单元的一侧，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且分别与所述多个垂直晶体管的第二端对应耦接；所述第一互连结构位于所述多条位线的远离所述存储阵列的一侧；形成第二半导体结构，其中，所述第二半导体结构包括外围电路和位于所述外围电路上的第二互连结构；通过在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间形成键合界面的方式将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构键合，以使得所述多条位线通过所述第一互连结构、所述键合界面和所述第二互连结构与所述外围电路对应耦接；其中，所述第一互连结构包括多个互连层，所述多个互连层包括靠近所述多条位线的第一互连层，所述第一互连层包括多个第一焊盘和多条第一引线，所述多个第一焊盘通过所述多条第一引线以及多个第一接触插塞与所述多条位线对应耦接，所述多个第一焊盘的尺寸相同，所述多个第一接触插塞的尺寸相同，对于所述多条第一引线，延伸长度越大，宽度越大。
13、在一些实施例中，形成所述第一半导体结构，包括：从第一面刻蚀衬底，以形成阵列排布的多个所述有源区和限定所述多个有源区的沟槽结构，每个所述有源区沿垂直于所述衬底的第一方向延伸；在所述沟槽结构内形成隔离结构；从所述第一面刻蚀部分隔离结构，以形成沿第三方向延伸的多个字线沟槽，每个所述字线沟槽暴露沿所述第三方向排列的各个所述有源区的一部分，所述第三方向垂直于所述第一方向；在每个所述字线沟槽内依次形成栅介质层和字线；从所述第一面对各个所述有源区的第一端进行掺杂，以形成第一源漏区；在所述第一面上形成所述多个存储单元，每个所述存储单元的第一端与一个所述第一源漏区耦接；从第二面减薄所述衬底，以暴露各个所述有源区的第二端；从所述第二面对各个所述有源区的第二端进行掺杂，以形成第二源漏区；在所述第二面上形成沿所述第二方向延伸的多条位线，所述多条位线分别与所述多个有源区的第二源漏区对应耦接，所述第二方向垂直于所述第一方向且与所述第三方向相交；在所述第二面上形成第一互连结构。
14、在一些实施例中，在所述第二面上形成第一互连结构，包括：在所述第二面上形成所述第一互连层，所述第一互连层位于所述多条位线上；在所述第一互连层上形成至少一个中间互连层，所述中间互连层包括多个中间焊盘和多条中间本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，
9.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，
11.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器的制造方法，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的存储器的制造方法，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的存储器的制造方法，其特征在于，
15.根据权利要求12所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一半导体结构，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，
9.根据权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，蒋懿，司书芳，杨晨，冯道欢，周颖，唐衍哲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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