【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种具有叠层的micro-led芯片。
技术介绍
1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)是一种能发光的半导体电子元件。led具有效率高、寿命长、体积小、功耗低等优点，可以应用于室内外白光照明、屏幕显示、背光源等领域。
2、其中，通过键合的方式将蓝、绿、红三色led芯片叠加在一起来制备micro-led，这种方式制作的全彩micro-led可以更好的混合在一起，并且由于三色芯片是垂直堆叠的，相对传统显示，对于相同分辨率的屏幕，其叠层结构所应用的芯片尺寸可以大三倍，芯片尺寸大不仅提高了产品的良率，对于micro-led而言，在一定程度上规避了尺寸效应(器件越小，外量子效率越低)，所以叠层结构在推动micro-led实现全彩化过程中起到重要作用。
3、在micro-led制备过程中，想要实现高分辨率显示就需要不断减小芯片的尺寸，在此过程中micro-led芯片的性能急剧下降，芯片制备难度急剧上升，发光均匀性也将受到极大程度的影响。目前的显示面板通常横向排列蓝色(b)、绿色(g)和红色(r)子像素以实现全彩色，每个像素需要三个子像素，而这种低几何填充因子本身限制了显示面板分辨率的增强。通过堆叠多个micro-led层，可以在有限的空间内实现更高的像素密度，只需一个像素即可产生全彩，从而提高显示屏的分辨率和图像质量。与水平排列的rgb micro-led相比，堆叠式micro-led可以减少每个单独micro-led像素之间的连接，但因叠
4、有鉴于此，本专利技术人专门设计了一种具有叠层的micro-led芯片，本案由此产生。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种具有叠层的micro-led芯片，以简化具有叠层的micro-led芯片的电极设置及其连通成本。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种具有叠层的micro-led芯片，包括：
4、叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的若干个发光结构；其中，各所述发光结构分别包括n型半导体层、有源层以及p型半导体层，且至少一相邻两个发光结构的p型半导体层形成电互连；
5、电极组，所述电极组包括若干个第一极性电极和至少一通过贯穿孔嵌入所述叠层结构内部的第二极性互连电极；
6、其中，所述第二极性互连电极电连接各所述发光结构的p型半导体层，则各所述发光结构的n型半导体层的表面分别设有所述第一极性电极；
7、或，所述第二极性互连电极电连接各所述发光结构的n型半导体层，则各所述发光结构的p型半导体层的表面分别设有所述第一极性电极。
8、优选地，所述相邻两个发光结构的p型半导体层通过透明键合层形成电互连。
9、优选地，所述透明键合层包括透明导电层，如ito、izo等材料层。
10、优选地，所述叠层结构包括呈阶梯依次层叠设置的第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构。
11、优选地，所述micro-led芯片包括正装结构led芯片，所述第一发光结构和第二发光结构的n型半导体层形成电互连，所述第二发光结构和第三发光结构的p型半导体层形成电互连；且在所述第一发光结构背离所述第二发光结构的一侧表面设有反射镜，则：
12、所述第二极性互连电极通过从所述第三发光结构的表面进行过孔至所述第一发光结构或第二发光结构的n型半导体层，各所述第一极性电极通过层叠于阶梯面的方式分别与第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的p型半导体层形成接触。
13、优选地，所述第二极性互连电极具有多个，则在所述第三发光结构的表面设有透明导电层以电连接各所述第二极性互连电极。
14、优选地，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、绿光和蓝光。
15、优选地，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、蓝光和绿光。
16、优选地，所述micro-led芯片包括倒装结构led芯片，所述第一发光结构和第二发光结构的n型半导体层形成电互连，所述第二发光结构和第三发光结构的p型半导体层形成电互连；且在所述第一发光结构背离所述第二发光结构的一侧表面设有反射镜，则：
17、所述第二极性互连电极通过从所述反射镜的表面进行过孔至所述第二发光结构或第三发光结构的p型半导体层，各所述第一极性电极通过层叠于阶梯面的方式分别与第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的n型半导体层形成接触。
18、优选地，所述过孔具有多个，则所述第二极性互连电极通过层叠于所述反射镜的方式嵌入各所述过孔与所述第二发光结构或第三发光结构的p型半导体层形成连接。
19、优选地，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、绿光和蓝光。
20、优选地，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、蓝光和绿光。
21、优选地，所述叠层结构包括呈阶梯依次层叠设置的第一发光结构和第二发光结构；
22、所述第一发光结构和第二发光结构的p型半导体层形成电互连，且在所述第一发光结构背离所述第二发光结构的一侧表面设有反射镜；
23、所述第二极性互连电极通过从所述反射镜的表面进行过孔至所述第一发光结构或第二发光结构的p型半导体层；所述第一极性电极具有2个，其中，一所述第一极性电极通过层叠于阶梯面的方式与所述第一发光结构n型半导体层形成接触，另一所述第一极性电极设置于所述第二发光结构的表面与所述第二发光结构的n型半导体层形成接触。
24、优选地，所述设置于所述第二发光结构的表面的所述第一极性电极设置于所述第二发光结构的边缘。
25、优选地，第一发光结构和第二发光结构被配置为分别发射绿光和蓝光。
26、经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的具有叠层的micro-led芯片，包括叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的若干个发光结构；其中，各所述发光结构分别包括n型半导体层、有源层以及p型半导体层，且至少一相邻两个发光结构的p型半导体层形成电互连；电极组，所述电极组包括若干个第一极性电极和至少一通过贯穿孔嵌入所述叠层结构内部的第二极性互连电极；其中，所述第二极性互连电极电连接各所述发光结构的p型半导体层，则各所述发光结构的n型半导体层的表面分别设有所述第一极性电极，或，所述第二极性互连电极电连接各所述发光结构的n型半导体层，则各所述发光结构的p型半导体层的表面分别设有所述第一极性电极。通过至少一相邻两个发光结构的p型半导体层形成电互连，利用两p型半导体层之间的折射率差小于p型半导体层和n型半导体层之间的折射率，可很好地减小光子反射现象，减少光子在led芯片内部的损失，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述相邻两个发光结构的P型半导体层通过透明键合层形成电互连。
3.根据权利要求1或2所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述叠层结构包括呈阶梯依次层叠设置的第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构。
4.根据权利要求3所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括正装结构LED芯片，所述第一发光结构和第二发光结构的N型半导体层形成电互连，所述第二发光结构和第三发光结构的P型半导体层形成电互连；且在所述第一发光结构背离所述第二发光结构的一侧表面设有反射镜，则：
5.根据权利要求4所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述第二极性互连电极具有多个，则在所述第三发光结构的表面设有透明导电层以电连接各所述第二极性互连电极。
6.根据权利要求4所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被
7.根据权利要求4所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、蓝光和绿光。
8.根据权利要求3所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括倒装结构LED芯片，所述第一发光结构和第二发光结构的N型半导体层形成电互连，所述第二发光结构和第三发光结构的P型半导体层形成电互连；且在所述第一发光结构背离所述第二发光结构的一侧表面设有反射镜，则：
9.根据权利要求8所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述过孔具有多个，则所述第二极性互连电极通过层叠于所述反射镜的方式嵌入各所述过孔与所述第二发光结构或第三发光结构的P型半导体层形成连接。
10.根据权利要求8所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、绿光和蓝光。
11.根据权利要求8所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、蓝光和绿光。
12.根据权利要求1或2所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述叠层结构包括呈阶梯依次层叠设置的第一发光结构和第二发光结构；
13.根据权利要求12所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，所述设置于所述第二发光结构的表面的所述第一极性电极设置于所述第二发光结构的边缘。
14.根据权利要求12所述的具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，第一发光结构和第二发光结构被配置为分别发射绿光和蓝光。
...【技术特征摘要】
1.一种具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述相邻两个发光结构的p型半导体层通过透明键合层形成电互连。
3.根据权利要求1或2所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述叠层结构包括呈阶梯依次层叠设置的第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构。
4.根据权利要求3所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述micro-led芯片包括正装结构led芯片，所述第一发光结构和第二发光结构的n型半导体层形成电互连，所述第二发光结构和第三发光结构的p型半导体层形成电互连；且在所述第一发光结构背离所述第二发光结构的一侧表面设有反射镜，则：
5.根据权利要求4所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，所述第二极性互连电极具有多个，则在所述第三发光结构的表面设有透明导电层以电连接各所述第二极性互连电极。
6.根据权利要求4所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、绿光和蓝光。
7.根据权利要求4所述的具有叠层的micro-led芯片，其特征在于，第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构被配置为分别发射红光、蓝光和绿光。
8.根据权利要求3所述的具有叠层的micro-led...
【专利技术属性】
技术研发人员：段其涛，江晟权，王乐，江方，艾国齐，柯志杰，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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