【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体蚀刻，具体为半导体碱蚀刻的泡洗装置。
技术介绍
1、半导体在生产过程中，需要蚀刻装置对半导体进行蚀刻加工，使得半导体的生产质量满足需求。半导体碱蚀刻在进行加工时，需要专门的泡洗装置对半导体进行泡洗处理，保证半导体的生产质量。
2、现有的半导体泡洗装置在使用时，泡洗液与半导体之间通过自然浸泡蚀刻，半导体被蚀刻后的凹槽内容易附着蚀刻后的杂质，影响蚀刻质量，同时，现有的半导体蚀刻用泡洗装置在使用时，泡洗架上缺少有效限位卡固装置，使得泡洗架内泡洗的半导体之间间距得不到有效调节。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供半导体碱蚀刻的泡洗装置，通过设置的换能槽、二号气缸、换能器和反射槽，使得泡洗装置在使用时，二号气缸将换能器推入到箱体内的蚀刻液中，使得换能器可以使得蚀刻液在换能器的作用下高速振动，进而可以使得半导体蚀刻后凹槽内的杂质可以被高速振动的液体清除掉，保证半导体的蚀刻质量，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：半导体碱蚀刻的泡洗装置，包括箱体，所述箱体一侧面设置有换能槽，所述换能槽上侧设置有二号气缸，所述二号气缸下端设置有换能器，所述换能槽内侧面设置有反射槽，所述箱体内侧设置有泡洗架，所述泡洗架上侧面设置有限位卡槽，所述泡洗架一边侧上部设置有滑动杆，所述滑动杆上侧面连接有一号气缸。
3、进一步的，所述一号气缸下侧设置有支撑架，所述箱体下侧面设置有支撑腿。
4、进
5、进一步的，所述支撑架与所述箱体焊接，所述一号气缸输出端与所述滑动杆通过螺栓连接。
6、进一步的，所述二号气缸输出端与所述换能器通过螺栓连接，所述二号气缸与所述箱体通过螺栓连接。
7、进一步的，所述支撑腿与所述箱体焊接，所述反射槽横截面为半圆。
8、进一步的，所述泡洗架下部外环侧为网状结构。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
10、1、该技术通过设置的换能槽、二号气缸、换能器和反射槽，使得泡洗装置在使用时，二号气缸将换能器推入到箱体内的蚀刻液中，使得换能器可以使得蚀刻液在换能器的作用下高速振动，进而可以使得半导体蚀刻后凹槽内的杂质可以被高速振动的液体清除掉，保证半导体的蚀刻质量；
11、2、该技术通过设置的泡洗架和限位卡槽，使得泡洗架内侧需要蚀刻的半导体通过限位卡槽进行限位卡固，进而精准调节半导体之间的间距，满足使用需求。
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1.半导体碱蚀刻的泡洗装置，包括箱体(1)，其特征在于：所述箱体(1)一侧面设置有换能槽(7)，所述换能槽(7)上侧设置有二号气缸(5)，所述二号气缸(5)下端设置有换能器(6)，所述换能槽(7)内侧面设置有反射槽(9)，所述箱体(1)内侧设置有泡洗架(8)，所述泡洗架(8)上侧面设置有限位卡槽(11)，所述泡洗架(8)一边侧上部设置有滑动杆(4)，所述滑动杆(4)上侧面连接有一号气缸(3)。
2.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述一号气缸(3)下侧设置有支撑架(2)，所述箱体(1)下侧面设置有支撑腿(12)。
3.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述泡洗架(8)下侧面设置有限位柱(10)，所述限位柱(10)与所述泡洗架(8)为一体结构。
4.根据权利要求2所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述支撑架(2)与所述箱体(1)焊接，所述一号气缸(3)输出端与所述滑动杆(4)通过螺栓连接。
5.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述二号气缸(5)输出端与所述换
6.根据权利要求2所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述支撑腿(12)与所述箱体(1)焊接，所述反射槽(9)横截面为半圆。
7.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述泡洗架(8)下部外环侧为网状结构。
...【技术特征摘要】
1.半导体碱蚀刻的泡洗装置，包括箱体(1)，其特征在于：所述箱体(1)一侧面设置有换能槽(7)，所述换能槽(7)上侧设置有二号气缸(5)，所述二号气缸(5)下端设置有换能器(6)，所述换能槽(7)内侧面设置有反射槽(9)，所述箱体(1)内侧设置有泡洗架(8)，所述泡洗架(8)上侧面设置有限位卡槽(11)，所述泡洗架(8)一边侧上部设置有滑动杆(4)，所述滑动杆(4)上侧面连接有一号气缸(3)。
2.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述一号气缸(3)下侧设置有支撑架(2)，所述箱体(1)下侧面设置有支撑腿(12)。
3.根据权利要求1所述的半导体碱蚀刻的泡洗装置，其特征在于：所述泡洗架(8)下侧面设置有限位柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：万琳旭，
申请(专利权)人：新创电子技术东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：
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