【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信用器件领域，具体涉及一种声表面波谐振器和声表面波滤波器。
技术介绍
1、poi衬底的saw以其独特的性能优势在5g架构上能够取代tc-saw（温度补偿型saw）和baw。基于poi衬底的saw技术优势就是能源效率更高，比tc-saw的能源损耗更小。所以它相对于saw和tc-saw，获得了更高频率、更广带宽。相对baw来说，这种基于poi衬底的saw工艺流程更简单且成本更低。从生产角度来讲，它的生产流程跟saw是相似的，但是比tc-saw和baw都要简单很多。相较于tc-saw一般用于低频段和中频段的滤波技术，baw则一般用于中频段和高频段，poi衬底的saw可以解决中频段和高频段这两个频段的技术难题，在5g滤波器方面成为取代tc-saw和baw的更优解决方案。
2、但是现有poi工艺的谐振器横模较大，需要将谐振器倾斜一定角度来抑制横模，来实现高q值、带内平坦的滤波器。高通等公司采用双汇流条的方式来抑制横模，此时谐振器不需倾斜。但以上方案都在原本谐振器的基础上增加了体积，对于成本敏感的集成电路器件来讲，是需要想方设法减小体积、降低成本的，因此如何保证性能又不增加谐振器体积是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供了一种声表面波谐振器和声表面波滤波器，在不增加谐振器体积的情况下，利用相邻指条之间的空间以及短指与长指之间的空间，添加变速部，来实现横模抑制的效果，达到小体积、降成本的目的。
2、为了达到上述专
3、第一方面，本专利技术提出了一种声表面波谐振器，包括：
4、复合衬底，以及设置在所述复合衬底上的叉指换能器；
5、所述叉指换能器包括汇流条、以及在所述汇流条上交替设置的至少两对叉指电极和电极短指；其中正对设置的所述叉指电极与所述电极短指之间设置u型的变速部，所述电极短指嵌入所述变速部的开口内部。
6、作为优选地，所述变速部的两个开口边平行于所述电极短指，所述变速部的底边垂直于所述电极短指。
7、作为优选地，所述变速部的两个开口边以及底边的线宽均相同。
8、作为优选地，所述变速部的两个开口边以及底边的线宽均为四分之一的叉指电极的线宽。
9、作为优选地，所述变速部的两个开口边以及底边的长度均相同。
10、作为优选地，所述变速部的两个开口边以及底边的长度均为二分之一波长。
11、作为优选地，所述变速部的开口位置设置闭口边。
12、作为优选地，所述叉指换能器两侧的反射栅中，每个栅条均背对设置u型的变速部。
13、作为优选地，所述变速部的开口位置设置闭口边。
14、第二方面，本专利技术提出了一种声表面波滤波器，包括如上述的声表面波谐振器。
15、本专利技术具有以下有益效果：
16、本专利技术在不增加谐振器体积的情况下，利用相邻指条之间的空间以及短指与长指之间的空间，添加变速部，来实现横模抑制的效果，达到小体积、降成本的目的。
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1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边平行于所述电极短指，所述变速部的底边垂直于所述电极短指。
3.根据权利要求2所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的线宽均相同。
4.根据权利要求3所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的线宽均为四分之一的叉指电极的线宽。
5.根据权利要求2所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的长度均相同。
6.根据权利要求5所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的长度均为二分之一波长。
7.根据权利要求1所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的开口位置设置闭口边。
8.根据权利要求1所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器两侧的反射栅中，每个栅条均背对设置U型的变速部。
9.根据权利要求8所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的
10.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的声表面波谐振器。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边平行于所述电极短指，所述变速部的底边垂直于所述电极短指。
3.根据权利要求2所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的线宽均相同。
4.根据权利要求3所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的线宽均为四分之一的叉指电极的线宽。
5.根据权利要求2所述的一种声表面波谐振器，其特征在于，所述变速部的两个开口边以及底边的长度均相同。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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