【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高容量tsop多闪存芯片堆叠封装结构，属于半导体封装。
技术介绍
1、随着现在信息时代的来临，高容量的产品需求越来越普遍，传统用在tsop封装上的产品，大多只堆叠4颗或者8颗，产品的存储容量比较局限，只能通过换封装形式或者换更高容量的芯片来实现；另外在tsop封装上，产品外观比较固定，不可能通过增加封装尺寸来加大产品容量；同时tsop使用的大多数是使用1:2.25不平衡的模具，如若采用一次性叠16颗的方式，会严重造成不平衡的情况，不利于制程作业。
技术实现思路
1、本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种高容量tsop多闪存芯片堆叠封装结构。
2、为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种高容量tsop多闪存芯片堆叠封装结构，包含tsop框架和两个芯片单元；所述tsop框架的下侧设置有转接基板，所述转接基板通过tape胶连接固定在tsop框架上，转接基板的引脚与tsop框架打线互连；两个所述芯片单元分别连接固定在转接基板底面的两侧，且沿转接基板的长度方向对称分布，两个芯片单元均与转接基板电性连接。
3、优选的，所述tsop框架的上下两侧均设置有环氧树脂，所述环氧树脂用于填合tsop框架与转接基板以及两个芯片单元之间的间隙，并将tsop框架、转接基板和两个芯片单元包裹起来。
4、优选的，每个所述芯片单元均包括多个芯片，多个所述芯片沿竖直方向依次堆叠，并呈阶梯状；上下相邻的芯片通过daf膜连接固定，最上层的芯片通过daf膜与转接基
5、优选的，上下相邻的所述芯片之间通过键合线电性连接，最上层的芯片通过键合线与转接基板电性连接。
6、由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
7、本技术方案的一种高容量tsop多闪存芯片堆叠封装结构，通过在tsop框架上加一层转接基板，将两摞由8颗芯片构成的芯片单元一次性堆叠，既能实现高容量的存储，又能使封装制程变得简单，同时，通过环氧树脂将tsop框架、转接基板和两个芯片单元包裹起来，以提供物理和电气保护，防止外界干扰。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：包含TSOP框架(1)和两个芯片单元；所述TSOP框架(1)的下侧设置有转接基板(3)，所述转接基板(3)通过Tape胶(2)连接固定在TSOP框架(1)上，转接基板(3)的引脚(7)与TSOP框架(1)打线互连；两个所述芯片单元分别连接固定在转接基板(3)底面的两侧，且沿转接基板(3)的长度方向对称分布，两个芯片单元均与转接基板(3)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：所述TSOP框架(1)的上下两侧均设置有环氧树脂(6)，所述环氧树脂(6)用于填合TSOP框架(1)与转接基板(3)以及两个芯片单元之间的间隙，并将TSOP框架(1)、转接基板(3)和两个芯片单元包裹起来。
3.根据权利要求1所述的一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：每个所述芯片单元均包括多个芯片(4)，多个所述芯片(4)沿竖直方向依次堆叠，并呈阶梯状；上下相邻的芯片(4)通过DAF膜连接固定，最上层的芯片(4)通过DAF膜与转接基板(3)贴合。
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...【技术特征摘要】
1.一种高容量tsop多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：包含tsop框架(1)和两个芯片单元；所述tsop框架(1)的下侧设置有转接基板(3)，所述转接基板(3)通过tape胶(2)连接固定在tsop框架(1)上，转接基板(3)的引脚(7)与tsop框架(1)打线互连；两个所述芯片单元分别连接固定在转接基板(3)底面的两侧，且沿转接基板(3)的长度方向对称分布，两个芯片单元均与转接基板(3)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种高容量tsop多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：所述tsop框架(1)的上下两侧均设置有环氧树脂(6)，所述环氧树脂(6)用于填合tsop框架...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆海琴，
申请(专利权)人：太极半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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