【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种存储器、存储设备及电子设备。
技术介绍
1、近年来，随着工艺的发展，存储器件可以通过多层堆叠的方式提升存储容量和存储密度，然而，多层存储层堆叠后，存储密度成倍增加，但与存储器件互连的灵敏放大器(sense amplifier，sa)的数量也会成倍增加，这会导致占用更大的面积，导致灵敏放大器的绕线资源紧张，灵敏放大器的绕线间距减小，制备工艺的难度更大。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种存储器、存储设备及电子设备，用以改善多层存储层堆叠会导致灵敏放大器的数量增加、灵敏放大器的绕线间距减小等问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种存储器，存储器包括衬底以及在衬底上沿垂直于衬底方向堆叠的多个存储层，每个存储层包括沿平行于衬底方向分布的第一位线、第二位线以及多个存储单元，第一位线，第二位线分别连接多个存储单元，存储器还包括第一选通电路、第二选通电路及灵敏放大器，灵敏放大器包括第一输入端与第二输入端，其中第一选通电路包括选择端、输出端以及多个输入端，第一选通电路的多个输入端与多个第一位线一一对应连接，此处多个第一位线分别位于不同的存储层，第一选通电路的输出端与灵敏放大器的第一输入端连接，第一选通电路的选择端用于接收第一选通电路选择控制信号；第二选通电路包括选择端、输出端以及多个输入端，第二选通电路的多个输入端与多个第二位线一一对应连接，多个第二位线分别位于多个存储层，第二选通电路的输出端与灵敏放大电路的第二输入端连接，第二选通电路的选择端用
3、本申请实施例提供的存储器通过堆叠多个存储层提高存储密度，通过设置第一选通电路、第二选通电路实现不同存储层共用灵敏放大器，其中灵敏放大器的第一输入端通过第一选通电路连接多个第一位线，多个第一位线分别位于不同的存储层；灵敏放大器的第二输入端通过第二选通电路连接多个第二位线，多个第二位线分别位于不同的存储层，第一选通电路可以从其连接的多个第一位线中选择一个与灵敏放大器的第一输入端导通；第二选通电路可以从其连接的多个第二位线中选择一个与灵敏放大器的第二输入端导通，这样不同存储层的第一位线、第二位线可以连接同一个灵敏放大器，可以减少存储器中所需灵敏放大器的数量，降低灵敏放大器所占的面积，提高灵敏放大器的绕线间距，降低工艺难度。
4、在一种可能的实现方式中，第一选通电路、第二选通电路均包括多个开关，开关包括第一端、第二端和控制端；其中第一选通电路的每个输入端均通过一个开关与第一选通电路的输出端连接，其中，该开关的第一端连接第一选通电路的输入端，开关的第二端连接第一选通电路的输出端，开关的控制端连接第一选通电路的选择端；第二选通电路的每个输入端分别通过一个开关与第二选通电路的输出端连接，其中，第二选通电路的开关的控制端连接第二选通电路的选择端，开关的第一端连接第二选通电路的输入端，开关的第二端连接第二选通电路的输出端。
5、本申请实施例提供的存储器中，第一选通电路的每个输入端通过一个开关与输出端连接，开关的控制端与第一选通电路的选择端连接，第一选通电路的多个开关可以根据选择端的第一选通电路选择控制信号择一导通，当第一选通电路的选择端接收的第一选通电路选择控制信号控制该开关导通时，将相应的第一位线与灵敏放大器的第一输入端导通；同理，第二选通电路的多个开关可以根据第二选通电路的选择端的第二选通电路选择控制信号择一导通，当第二选通电路的选择端接收的第二选通电路选择控制信号控制开关导通时，将相应的第二位线与灵敏放大器的第二输入端导通，实现多个存储层的位线共享灵敏放大器。
6、在一种可能的实现方式中，上述开关可以为晶体管，晶体管可以采用传统cmos电路中的n型或者p型晶体管实现，这样第一选通电路、第二选通电路可以利用前道工艺实现；或者，这里的晶体管可以用基于氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管来实现，而基于氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管与后道工艺兼容，因此第一选通电路和第二选通电路可以利用后道工艺来实现，在这种情况下，各个存储层对应的选通晶体管可以与该存储层同层设置。
7、在一种可能的实现方式中，第一选通电路包括第一输入端、第二输入端、第一开关、第二开关、第一选择端和第二选择端；第二选通电路包括第一输入端、第二输入端、第一开关、第二开关、第一选择端和第二选择端；第一选通电路的第一开关的第一端与第一选通电路的第一输入端连接，第一开关的第二端与第一选通电路的输出端连接，第一开关的控制端与第一选通电路的第一选择端连接；第一选通电路的第二开关的第一端与第一选通电路的第二输入端连接，第二开关的第二端与第一选通电路的输出端连接，第二开关的控制端与第一选通电路的第二选择端连接；第二选通电路的第一开关的第一端与第二选通电路的第一输入端连接，第一开关的第二端与第二选通电路的输出端连接，第一开关的控制端与第二选通电路的第一选择端连接；第二选通电路的第二开关的第一端与第二选通电路的第二输入端连接，第二开关的第二端与第二选通电路的输出端连接，第二开关的控制端与第二选通电路的第二选择端连接。
8、本申请实施例提供的存储器，第一选通电路包括多个选择端，每个选择端与一个输入端对应，例如，第一选通电路的第一选择端的第一选通电路选择控制信号(也可以称为第一选通电路第一选择控制信号)用于控制第一输入端与输出端的导通状态，第二选择端的第一选通电路选择控制信号(也可以称为第一选通电路第二选择控制信号)用于控制第二输入端与输出端的导通状态；同理，对于第二选通电路而言，它的第一选择端的第二选通电路选择控制信号(也可以称为第二选通电路第一选择控制信号)用于控制第一输入端与输出端的导通状态，第二选择端的第二选通电路选择控制信号(也可以称为第二选通电路第二选择控制信号)用于控制第二输入端与输出端的导通状态，通过第一选通电路的选择端的第一选通电路选择控制信号可以实现将第一选通电路连接的多个第一位线择一与灵敏放大器的第一输入端导通，通过第二选通电路的选择端的第二选通电路选择控制信号实现将第二选通电路连接的多个第二位线择一与灵敏放大器的第二输入端导通。
9、在一种可能的实现方式中，第一选通电路的第一选择端用于接收第一选通电路第一选择控制信号，第二选通电路的第一选择端用于接收第第二选通电路第一选择控制信号，第一选通电路第一选择控制信号与第二选通电路第一选择控制信号为同一个选择控制信号；第一选通电路的第二选择端用于接收第一选通电路第二选择控制信号，第二选通电路的第二选择端用于接收第二选通电路第二选择控制信号，第一选通电路第二选择控制信号与第二选通电路第二选择控制信号为同一个选择控制信号。
10、本申请实施例提供的存储器中，第一选通电路、第二选通电路用于实现不同存储层的第一位线、第二位线共享同一个灵敏放大器，由于灵敏放大器正常工作需要以一对位线作本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底以及在所述衬底上沿垂直于所述衬底方向堆叠的多个存储层，每个所述存储层包括沿平行于所述衬底方向分布的第一位线、第二位线以及多个存储单元，所述第一位线、所述第二位线分别连接多个所述存储单元；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一选通电路、所述第二选通电路均包括多个开关，所述开关包括控制端、第一端及第二端；
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一选通电路包括第一输入端、第二输入端、第一开关、第二开关、第一选择端和第二选择端；所述第二选通电路包括第一输入端、第二输入端、第一开关、第二开关、第一选择端和第二选择端；
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一选通电路的第一选择端用于接收第一选通电路第一选择控制信号，所述第二选通电路的第一选择端用于接收第二选通电路第一选择控制信号，所述第一选通电路第一选择控制信号与所述第二选通电路第一选择控制信号为同一个选择控制信号；
5.根据权利要求1～4任一项所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括第一电源端、第二电
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管为N型金属氧化物半导体场效应管，所述第三晶体管、所述第四晶体管为P型金属氧化物半导体场效应管。
7.根据权利要求5或6所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括均压晶体管和预充电电路；
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述均压晶体管和所述预充电电路通过前道工艺实现。
9.根据权利要求5或6所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括均压晶体管和多个预充电电路；
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述均压晶体管通过前道工艺实现，所述预充电电路通过后道工艺实现，或者，所述均压晶体管、所述预充电电路均通过前道工艺实现。
11.根据权利要求1～4任一项所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括第一电源端、第二电源端、灵敏放大电路以及漂移补偿电路，所述灵敏放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管；
12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括充电晶体管，所述充电晶体管的第一端与参考电源端连接，所述充电晶体管的第二端连接所述灵敏放大器的第一输入端，所述充电晶体管的栅极用于接收预充电控制信号，响应于所述预充电控制信号对所述灵敏放大器充电。
13.根据权利要求11或12所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管为N型金属氧化物半导体场效应管，所述第三晶体管、所述第四晶体管为P型金属氧化物半导体场效应管。
14.根据权利要求1～13任一项所述的存储器，其特征在于，所述存储器为开放位线结构，所述第一位线和所述第二位线位于不同的存储阵列。
15.根据权利要求1～13任一项所述的存储器，其特征在于，所述存储器为折叠位线结构，所述第一位线和所述第二位线位于相同的存储阵列。
16.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括控制器以及如权利要求1-15任一项所述的存储器，所述控制器与所述存储器连接。
17.一种电子设备，其特征在于，包括电路板以及与所述电路板连接的存储设备，所述存储设备为如权利要求16所述的存储设备。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底以及在所述衬底上沿垂直于所述衬底方向堆叠的多个存储层，每个所述存储层包括沿平行于所述衬底方向分布的第一位线、第二位线以及多个存储单元，所述第一位线、所述第二位线分别连接多个所述存储单元；
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一选通电路、所述第二选通电路均包括多个开关，所述开关包括控制端、第一端及第二端；
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一选通电路包括第一输入端、第二输入端、第一开关、第二开关、第一选择端和第二选择端；所述第二选通电路包括第一输入端、第二输入端、第一开关、第二开关、第一选择端和第二选择端；
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一选通电路的第一选择端用于接收第一选通电路第一选择控制信号，所述第二选通电路的第一选择端用于接收第二选通电路第一选择控制信号，所述第一选通电路第一选择控制信号与所述第二选通电路第一选择控制信号为同一个选择控制信号；
5.根据权利要求1～4任一项所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括第一电源端、第二电源端以及灵敏放大电路，所述灵敏放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管为n型金属氧化物半导体场效应管，所述第三晶体管、所述第四晶体管为p型金属氧化物半导体场效应管。
7.根据权利要求5或6所述的存储器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括均压晶体管和预充电电路；
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述均压晶体管和所述预充电电路通过前道工艺实现。
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷士辉，赵晓璇，景蔚亮，王正波，廖恒，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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