【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电声换能，特别涉及一种发声装置以及应用该发声装置的电子设备。
技术介绍
1、近年来，便捷电子设备(例如手机、耳机、电脑)已经深入人们的日常生活。随着科技的高速发展，人们对电子设备的音质需求也越来越高，扬声器的全频化、微型化成为主流需求。
2、相关技术中，常见的全频化方案是将低音扬声器和高音扬声器同时组装在一个电子设备内，但受限于电子设备的空间，对两个单元尺寸限制较大，使得扬声器的全频效果受到影响，导致性能较低，无法达到更好的音质。同时，低音扬声器中通常采用单音圈方案，音圈对磁路系统产生的磁场利用率不高，且音圈驱动振膜的振动效果也不理想，从而降低了低音扬声器的bl值，且对磁路系统中中心磁的中间区域的磁能利用率较低，未能有效利用，从而影响低音扬声器的响度和灵敏度。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种磁场利用率较高的发声装置，该发声装置通过将低音和高音单元集成于一体，实现占用空间更小，整机空间适配性更高，且通过优化磁路系统，并采用内外双音圈进一步提升磁路系统的利用率，并提升bl值，从而提升发声装置的响度和灵敏度。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种发声装置，所述发声装置包括：
3、外壳；
4、磁路系统，所述磁路系统与所述外壳连接，所述磁路系统包括低音磁路部分和高音磁路部分，所述低音磁路部分包括导磁轭以及设于所述导磁轭的中心磁部、共用磁部及边磁部，所述共用磁部位于所述中心磁部的外
5、振动系统，所述振动系统包括低音振动单元和高音振动单元，所述低音振动单元包括低音振膜以及连接于所述低音振膜的第一低音音圈和第二低音音圈，所述低音振膜的中央设有内环孔，所述低音振膜的外周缘与所述外壳连接，所述低音振膜的内周缘与所述低音磁路部分连接，所述第一低音音圈与所述第一低音磁间隙对应设置，所述第二低音音圈与所述第二低音磁间隙对应设置，所述高音振动单元连接于所述外壳，并与所述高音磁路部分相对且间隔设置；
6、其中，所述中心磁部包括层叠设置的第一中心磁铁、中心导磁板及第二中心磁铁，所述共用磁部包括层叠设置的第一共用磁铁、共用导磁板及第二共用磁铁，所述第一中心磁铁、所述中心导磁板及所述第二中心磁铁分别与所述第一共用磁铁、共用导磁板及第二共用磁铁在垂直于所述振动系统的振动方向一一对应，且所述第二中心磁铁沿所述振动系统的振动方向的厚度大于所述第二共用磁铁沿所述振动系统的振动方向的厚度，所述低音振膜顶面高度低于所述低音磁路部分的顶面高度。
7、在一实施方式中，所述高音磁路部分位于所述边磁路的侧部，所述低音振动单元具有低音辐射面，所述高音振动单元具有高音辐射面，所述低音辐射面与所述高音辐射面呈夹角设置。
8、在一实施方式中，所述外壳包括框架主体和安装侧壁，所述安装侧壁设于所述框架主体一侧，并与所述框架主体的外壁围合形成安装空间，所述安装侧壁设有连通所述安装空间的安装孔；
9、所述低音振膜的周缘与所述框架主体的一端连接，所述边磁部连接于所述框架主体的另一端，所述高音磁路部分设于所述安装空间，并与所述安装孔对应设置，所述高音振动单元连接于所述安装侧壁，并盖设于所述安装孔。
10、在一实施方式中，所述高音磁路部分包括设于所述安装空间的第一磁铁、第二磁铁及第三磁铁，所述第一磁铁、所述第二磁铁及所述第三磁铁沿平行于所述高音辐射面的方向层叠设置，所述第一磁铁邻近所述导磁轭，所述第三磁铁与所述框架主体连接；
11、所述高音振动单元包括高音振膜和连接于所述高音振膜的高音音圈，所述高音振膜连接于所述安装侧壁，并盖设于所述安装孔，所述高音音圈位于所述安装孔内，并与所述高音磁路部分相对且间隔设置。
12、在一实施方式中，所述第一磁铁、所述第二磁铁及所述第三磁铁均沿垂直于所述高音辐射面的方向充磁，且所述第二磁铁的充磁方向与所述第一磁铁和所述第三磁铁的充磁方向相反；
13、或，所述第二磁铁沿垂直于所述高音辐射面的方向充磁，所述第一磁铁和所述第三磁铁沿平行于所述高音辐射面的方向充磁，且所述第一磁铁的充磁方向与所述第三磁铁的充磁方向相反，所述第一磁铁靠近所述第二磁铁一侧的磁极与所述第二磁铁靠近所述高音辐射面一侧的磁极相同；
14、且/或，所述高音振膜为平面振膜，所述平面振膜的材质为pen、lcp、peek、碳纸、镁锂合金中的任意一种；
15、且/或，所述高音音圈固定于所述高音振膜面向所述高音磁路部分的一侧，所述高音音圈是由漆包线绕制形成的扁平音圈，且所述扁平音圈的中心轴线垂直于所述高音辐射面；或者，所述高音音圈包括电路板及布设于所述电路板上的导电线路形成的线圈结构；
16、且/或，所述高音振膜为平面振膜，所述高音振膜的中心区域设有补强部。
17、在一实施方式中，所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁均沿所述低音振膜的振动方向充磁，且所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁靠近所述中心导磁板的磁极相同；
18、所述第一共用磁铁和所述第二共用磁铁均沿所述低音振膜的振动方向充磁，且所述第一共用磁铁和所述第二共用磁铁靠近所述共用导磁板的磁极相同，所述边磁铁沿所述低音振膜的振动方向充磁；
19、所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁靠近所述中心导磁板的磁极与所述第一共用磁铁和所述第二共用磁铁靠近所述共用导磁板的磁极相反；
20、所述边磁部包括层叠设置的边磁铁和边导磁板，所述边导磁板与所述外壳连接，所述边磁铁靠近所述边导磁板的磁极与所述第一中心磁铁靠近所述中心导磁板的磁极相同，且所述边磁铁靠近所述边导磁板的磁极与第一共用磁铁靠近所述共用导磁板的磁极相反。
21、在一实施方式中，所述边磁部包括层叠设置的边磁铁和边导磁板，所述边导磁板与所述外壳连接，所述导磁轭包括第一磁轭和第二磁轭，所述第一中心磁铁、所述第一共用磁铁及所述边磁铁与所述第一磁轭连接，所述第二中心磁铁和所述第二共用磁铁与所述第二磁轭连接；
22、所述第二磁轭包括凸起部和连接于所述凸起部边缘的边沿部，所述凸起部穿过所述内环孔且面向所述中心磁部形成凹陷槽，所述第二中心磁铁具有凸出于所述第二共用磁铁的凸出部，所述凸出部容纳并限位于所述凹陷槽内，所述低音振膜的内周缘与所述边沿部连接。
23、在一实施方式中，所述低音振膜包括内环部、环绕所述内环部设置的第一折环、环绕所述第一折环设置的平直部、环绕所述平直部设置的第二折环以及连接于所述第二折环外侧的固定部，所述固定部连接于所述外壳，所述内环部形成所述内环孔，且所述内环部与所述边沿部连接。
24、在一实施方式中，所述内环部、所述第一折环、所述平直部、所述第二折环及所述固定部为一体成型结构；
25、且/或，所述边磁部的顶面高度低于所述共用磁部的顶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：
2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述高音磁路部分位于所述边磁路的侧部，所述低音振动单元具有低音辐射面，所述高音振动单元具有高音辐射面，所述低音辐射面与所述高音辐射面呈夹角设置。
3.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述外壳包括框架主体和安装侧壁，所述安装侧壁设于所述框架主体一侧，并与所述框架主体的外壁围合形成安装空间，所述安装侧壁设有连通所述安装空间的安装孔；
4.如权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述高音磁路部分包括设于所述安装空间的第一磁铁、第二磁铁及第三磁铁，所述第一磁铁、所述第二磁铁及所述第三磁铁沿平行于所述高音辐射面的方向层叠设置，所述第一磁铁邻近所述导磁轭，所述第三磁铁与所述框架主体连接；
5.如权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁铁、所述第二磁铁及所述第三磁铁均沿垂直于所述高音辐射面的方向充磁，且所述第二磁铁的充磁方向与所述第一磁铁和所述第三磁铁的充磁方向相反；
6.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一中心磁
7.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述边磁部包括层叠设置的边磁铁和边导磁板，所述边导磁板与所述外壳连接，所述导磁轭包括第一磁轭和第二磁轭，所述第一中心磁铁、所述第一共用磁铁及所述边磁铁与所述第一磁轭连接，所述第二中心磁铁和所述第二共用磁铁与所述第二磁轭连接；
8.如权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述低音振膜包括内环部、环绕所述内环部设置的第一折环、环绕所述第一折环设置的平直部、环绕所述平直部设置的第二折环以及连接于所述第二折环外侧的固定部，所述固定部连接于所述外壳，所述内环部形成所述内环孔，且所述内环部与所述边沿部连接。
9.如权利要求8所述的发声装置，其特征在于，
10.如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述共用磁部设有连通所述第一低音磁间隙和所述第二低音磁间隙的避让缺口；
11.如权利要求10所述的发声装置，其特征在于，所述边磁部与所述外壳之间形成有避让空间；
12.如权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述主体部呈矩形环设置，所述连接部包括多个，多个所述连接部分别对应所述主体部的四角位置设置，所述共用磁部对应每一所述连接部设有一所述避让缺口；
13.如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置沿所述低音振动单元的振动方向的尺寸小于所述发声装置沿所述高音振动单元的振动方向的尺寸。
14.如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置安装于发声模组的壳体中，并与所述壳体之间形成相互隔离的低音前腔、高音前腔和后腔，所述壳体上设有连通所述低音前腔的低音出声孔以及连通所述高音前腔的高音出声孔，所述低音振膜的声波经所述低音出声孔向外界辐射，所述高音辐射面的声波经所述高音出声孔向外界辐射；其中，所述后腔的体积≤1.5cc。
15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至14中任一项所述的发声装置。
...【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：
2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述高音磁路部分位于所述边磁路的侧部，所述低音振动单元具有低音辐射面，所述高音振动单元具有高音辐射面，所述低音辐射面与所述高音辐射面呈夹角设置。
3.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述外壳包括框架主体和安装侧壁，所述安装侧壁设于所述框架主体一侧，并与所述框架主体的外壁围合形成安装空间，所述安装侧壁设有连通所述安装空间的安装孔；
4.如权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述高音磁路部分包括设于所述安装空间的第一磁铁、第二磁铁及第三磁铁，所述第一磁铁、所述第二磁铁及所述第三磁铁沿平行于所述高音辐射面的方向层叠设置，所述第一磁铁邻近所述导磁轭，所述第三磁铁与所述框架主体连接；
5.如权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述第一磁铁、所述第二磁铁及所述第三磁铁均沿垂直于所述高音辐射面的方向充磁，且所述第二磁铁的充磁方向与所述第一磁铁和所述第三磁铁的充磁方向相反；
6.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁均沿所述低音振膜的振动方向充磁，且所述第一中心磁铁和所述第二中心磁铁靠近所述中心导磁板的磁极相同；
7.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述边磁部包括层叠设置的边磁铁和边导磁板，所述边导磁板与所述外壳连接，所述导磁轭包括第一磁轭和第二磁轭，所述第一中心磁铁、所述第一共用磁铁及所述边磁铁与所述第一磁轭连接，所述第二中心磁铁和所述第二共用磁铁与所述第二磁轭连接；
8.如权...
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