【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制造过程中，光刻工艺(photolithography process)是制作集成电路(integrated circuit)最重要的工艺步骤之一，光刻工艺用于在衬底上形成期望的图案，随着集成电路工艺的发展以及半导体元件的特征尺寸(critical dimension)的不断缩小，对光刻工艺的精度的要求越来越高。因此，在对光刻胶层进行光刻处理之后，通过会对形成于光刻胶层中的开口的线宽进行量测，然而，在量测开口的线宽时，如果光刻胶层对量测设备发射的电子束较为敏感，则会导致光刻胶层的曝光区域的边界向外扩展，从而导致光刻胶层中的开口的轮廓发生变化，即会导致开口的线宽变大，进而导致测量数据相较于实际线宽偏大，无法精准的获取光刻胶层中的开口的线宽。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，在测量光刻胶层中的开口的线宽时，能够避免由光刻胶层轮廓发生变化而导致的开口线宽变化的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底上形成有光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述衬底；
4、对所述光刻胶层进行光刻处理，以在所述光刻胶层中形成开口；
5、形成掩膜层，所述掩膜层填满所述开口并延伸覆盖所述光刻胶层的顶表面，所述掩膜层的感光波段与所述光刻胶层的感光波段不同，或者，所述掩膜层的材质与所述光刻胶层的材质
6、对所述掩膜层和所述光刻胶层进行加热处理，以使所述掩膜层与所述光刻胶层的接触面融合而形成保护层，所述保护层覆盖所述开口的侧壁和所述光刻胶层的顶表面；
7、去除所述掩膜层，以暴露出所述开口的底部；
8、测量所述开口的底部的线宽。
9、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述加热处理的温度为90℃～130℃。
10、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述光刻胶层为电子束光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻处理的方法包括：
11、采用电子束对所述光刻胶层进行曝光处理；
12、对曝光处理后的所述光刻胶层进行显影处理，以形成所述开口。
13、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述掩膜层为正性紫外光刻胶层、正性离子束光刻胶层或者正性x射线光刻胶层。
14、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，去除所述掩膜层的方法包括：
15、对所述掩膜层依次进行全曝光处理和显影处理，以去除所述掩膜层。
16、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述掩膜层为负性紫外光刻胶层、负性离子束光刻胶层或者负性x射线光刻胶层。
17、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，去除所述掩膜层的方法包括：
18、对所述掩膜层进行显影处理，以去除所述掩膜层。
19、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述掩膜层为光刻胶收缩材料层。
20、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，通过湿法清洗处理去除所述掩膜层。
21、可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述开口的截面形状为倒梯形，通过关键尺寸扫描电子显微镜测量所述开口的底部的线宽。
22、在本专利技术提供的半导体器件的制造方法中，先对光刻胶层进行光刻处理，以在光刻胶层中形成开口；然后，形成掩膜层，掩膜层填满开口并延伸覆盖光刻胶层的顶表面，掩膜层的感光波段与光刻胶层的感光波段不同，或者，掩膜层的材质与光刻胶层的材质不同；接着，对掩膜层和光刻胶层进行加热处理，以使掩膜层与光刻胶层的接触面融合而形成保护层，保护层覆盖开口的侧壁和光刻胶层的顶表面；接着；去除掩膜层，以暴露出开口的底部；之后，测量开口底部的线宽。由于保护层覆盖开口的侧壁和光刻胶层的顶表面，故在测量开口的底部的线宽时，保护层能够有效阻挡光刻胶层的轮廓发生变化，由此避免光刻胶层的中的开口的轮廓发生变化，即避免光刻胶层的中的开口的侧壁发生横向扩展，进而避免光刻胶层中的开口的线宽发生变化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述加热处理的温度为90℃～130℃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层为电子束光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻处理的方法包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为正性紫外光刻胶层、正性离子束光刻胶层或者正性X射线光刻胶层。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述掩膜层的方法包括：
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为负性紫外光刻胶层、负性离子束光刻胶层或者负性X射线光刻胶层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述掩膜层的方法包括：
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶收缩材料层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过湿法清洗处理去除所述掩膜层。
10.如
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述加热处理的温度为90℃～130℃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻胶层为电子束光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻处理的方法包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为正性紫外光刻胶层、正性离子束光刻胶层或者正性x射线光刻胶层。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述掩膜层的方法包括：
6.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔德权，杨宇，王浩，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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