【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及存储器器件、存储器系统及制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、集成电路(ic)有时包括一次性可编程(otp)存储器，以提供非易失性存储器(nvm)，当ic断电时，其中的数据不会丢失。一种类型的otp器件包括反熔丝存储器。反熔丝存储器包括多个反熔丝存储器单元(或位单元)，其端子在编程前断开，在编程后短路(例如连接)。反熔丝存储器可以基于金属氧化物半导体(mos)技术。例如，反熔丝存储器单元可以包括串联耦接的编程mos晶体管(或mos电容器)和至少一个读取mos晶体管。编程mos晶体管的栅极电介质可能会被击穿，从而导致编程mos晶体管栅极和源极/漏极互连。根据编程mos晶体管的栅极电介质是否被击穿，反熔丝存储器单元可以通过读取流经编程mos晶体管和读取mos晶体管的合成电流来呈现不同的数据位。反熔丝存储器具有逆向工程证明的优点，因为反熔丝单元的编程状态不能通过逆向工程来确定。
技术实现思路
1、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：反熔丝存储器单元，被配置为呈现第一逻辑状态或第二逻辑状态，其中存储器单元形成在衬底的前侧上，并且至少包括：第一编程晶体管，形成在设置于前侧上方的多个金属化层中的第一金属化层中，并由第一编程字线选通；以及第一读取晶体管，形成在设置于前侧上方的多个金属化层中的第二金属化层中或沿着前侧上的主表面形成，串联耦接到第一编程晶体管和第一位线，并由第一读取字线选通。
2、根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种存储器系统，包
3、根据本申请实施例的又一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：沿衬底前侧上的主表面形成第一读取晶体管；形成设置在第一读取晶体管上方的多个金属化层中的第一金属化层，以将第一读取晶体管的栅极连接到第一读取字线，并将第一读取晶体管连接到第一位线；在多个金属化层中的第一金属化层上方形成多个金属化层中的第二金属化层；在多个金属化层中的第二金属化层中形成第一编程晶体管；以及在多个金属化层中的第一金属化层上方形成多个金属化层中的第三金属化层，以将第一编程晶体管的栅极连接到第一编程字线，并将第一编程晶体管连接到第一读取晶体管。
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1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一读取晶体管沿着所述主表面形成，所述存储器器件还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述第一编程晶体管的第一栅极介电层或所述第二编程晶体管的第二栅极介电层被配置为被随机击穿以呈现所述第一逻辑状态或第二逻辑状态。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一位线形成在所述多个金属化层中的第三金属化层中，所述第三金属层不同于所述多个金属化层中的所述第一金属化层和所述第二金属化层。
5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一读取晶体管形成在所述多个金属化层中的第二金属化层中，所述第二金属层与所述多个金属化层中的第一金属化层相同，所述存储器器件还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述第一位线和所述第二位线形成在所述多个金属化层中的第三金属化层中，所述第三金属层不同于所述第一金属化层和所述第二金属化层。
7.一种存储器系统，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中，所述第一读取晶体
9.根据权利要求8所述的存储器系统，还包括：输入/输出电路，可操作地耦接到所述存储器阵列并被配置为：
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一读取晶体管沿着所述主表面形成，所述存储器器件还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述第一编程晶体管的第一栅极介电层或所述第二编程晶体管的第二栅极介电层被配置为被随机击穿以呈现所述第一逻辑状态或第二逻辑状态。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一位线形成在所述多个金属化层中的第三金属化层中，所述第三金属层不同于所述多个金属化层中的所述第一金属化层和所述第二金属化层。
5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一读取晶体管形成在所述多个金属化...
【专利技术属性】
技术研发人员：张盟昇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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