【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例大体上涉及微电子装置。特定来说，本公开的实施例涉及包含囊封剂材料中的凹槽的微电子装置及相关联系统及方法。
技术介绍
1、在制造及测试期间，封装微电子装置(例如封装半导体装置及组合件)经受至少由在将装置组装于衬底上及囊封组合件(包含施加囊封剂(例如环氧树脂模制化合物(emc))、固化emc及/或回焊外部导电元件(例如焊球或凸块))期间加热及冷却半导体装置及组合件导致的各种应力。这些应力可导致微电子装置损坏，例如半导体装置分层或翘曲。
2、由于许多因素(包含对提高便携性、计算能力、存储器容量及能效的需求)，例如半导体装置的微电子装置及包括此类装置的封装在不断减小大小。形成装置(例如电路元件及互连线)的组成特征(即，临界尺寸)的大小以及结构之间的间距(即，间隔)也在不断减小以促进此大小减小。
3、随着装置的厚度减小，微电子装置及半导体装置及封装的大小减小可导致由加热及冷却半导体装置及组合件导致的应力引起的损坏易感性增加。此外，装置可经堆叠以提高装置的电路密度且减小表面积。然而，包括堆叠式半导体装置的封装可导致封装的翘曲敏感性增强。
技术实现思路
1、因此，本公开的实施例包含一种微电子装置。所述装置包含操作性耦合到基底结构的半导体裸片。所述装置进一步包含大体上环绕所述半导体裸片的囊封剂。所述装置还包含从所述囊封剂的上表面竖直延伸到位于或接近所述基底结构的上表面的一或多个位置的一或多个凹槽。
2、本公开的另一实施例包含一种电子系统。所述系统包
3、本公开的其它实施例包含一种形成微电子装置的方法。所述方法包含将半导体裸片定位于衬底之上。所述方法进一步包含将所述半导体裸片嚢封于第一模制材料中。所述方法还包含在所述第一模制材料中形成一或多个凹槽。所述方法还包含在形成所述一或多个凹槽之后加热所述微电子装置。
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1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽的下边界竖直定位于所述半导体裸片与所述基底结构之间的界面处。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽定位于所述半导体裸片的水平区域外。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽的下边界竖直定位于所述半导体裸片的上表面与所述基底结构的所述上表面之间。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述半导体裸片的水平区域内竖直延伸穿过所述囊封剂的一部分的一或多个额外凹槽，所述一或多个额外凹槽从所述囊封剂的所述上表面竖直延伸到位于或接近所述半导体裸片的上表面的一或多个额外位置。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括大体上填充所述一或多个凹槽中的至少一者的填充材料。
7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述填充材料包括具有小于所述囊封剂的热膨胀系数CTE的CTE的材料。
8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中一或多个凹槽个别地展
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽水平定位于所述基底结构及所述半导体裸片的导电结构的水平区域外。
10.一种电子系统，其包括：
11.根据权利要求10所述的电子系统，其中所述凹槽水平定位于所述半导体裸片的水平区域外。
12.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述凹槽部分由彼此平行定向的所述囊封剂的两个大体上竖直侧壁界定。
13.根据权利要求11所述的电子系统，其中所述凹槽部分由以一角度彼此会聚的所述囊封剂的两个侧壁界定。
14.根据权利要求13所述的电子系统，其中所述角度在从约1°到约60°的范围内。
15.根据权利要求10到14中任一权利要求所述的电子系统，其中所述凹槽竖直延伸到所述基底结构的上表面。
16.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括用第二模制材料填充所述一或多个凹槽中的至少一者，所述第二模制材料具有与所述第一模制材料的第一热膨胀系数CTE不同的第二CTE。
18.根据权利要求17所述的方法，其中用所述第二模制材料填充所述一或多个凹槽中的所述至少一者包括用所述第二模制材料填充竖直定位于所述半导体裸片的水平区域之上且在所述水平区域内的凹槽。
19.根据权利要求16到18中任一权利要求所述的方法，其中在所述第一模制材料中形成一或多个凹槽包括形成至少部分水平定位于所述半导体裸片的水平区域外的的所述一或多个凹槽中的至少一者。
20.根据权利要求16到18中任一权利要求所述的方法，其中在所述第一模制材料中形成所述一或多个凹槽包括使用从模制件延伸的互补突起来形成所述一或多个凹槽。
...【技术特征摘要】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽的下边界竖直定位于所述半导体裸片与所述基底结构之间的界面处。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽定位于所述半导体裸片的水平区域外。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽的下边界竖直定位于所述半导体裸片的上表面与所述基底结构的所述上表面之间。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述半导体裸片的水平区域内竖直延伸穿过所述囊封剂的一部分的一或多个额外凹槽，所述一或多个额外凹槽从所述囊封剂的所述上表面竖直延伸到位于或接近所述半导体裸片的上表面的一或多个额外位置。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括大体上填充所述一或多个凹槽中的至少一者的填充材料。
7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述填充材料包括具有小于所述囊封剂的热膨胀系数cte的cte的材料。
8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中一或多个凹槽个别地展现矩形竖直横截面形状或三角形竖直横截面形状。
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述一或多个凹槽水平定位于所述基底结构及所述半导体裸片的导电结构的水平区域外。
10.一种电子系统，其包括：
11.根据权利要求10所述的电子系统，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·纳伊尼，K·辛哈，C·格兰西，Q·阮，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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