【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种具有分离式栅极的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，具有不同晶体管的复合式半导体结构已成为组成集成电路的重要结构之一。而在复合式的半导体结构中，不同晶体管有提供不同临界电压的需求。例如对于承受较高电压值的晶体管而言，通常会选用较厚的栅极绝缘层，以避免其他核心区域因无法承受高电压而导致电性击穿(breakdown)效应。然而，过厚的栅极绝缘层则无法获得所期望的开关电流。此外，随着半导体结构的关键尺寸微缩，集成电路越来越密集，制作工艺步骤也日益复杂。
技术实现思路
1、本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，能够承受高电压且具有更佳的电性表现，并解决现有制作工艺制作上所导致的平坦度以及高低落差等问题。
2、根据本专利技术的一方面，提出一种半导体结构。半导体结构包括基板、源极区、漏极区以及栅极结构。源极区位于基板之中。漏极区位于基板之中。栅极结构设置于基板上且位于源极区与漏极区之间，包括第一子栅极结构及第二子栅极结构。第一子栅极结构邻近源极区，且包括第一子栅极绝缘层。第二子栅极结构邻近漏极区，且包括第二子栅极绝缘层。第二子栅极绝缘层与第一子栅极绝缘层相互分开。第一子栅极绝缘层具有第一厚度，第二子栅极绝缘层具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度。
3、根据本专利技术的另一方面，提出一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一晶体管以及第二晶体管。基板具有第一元件区及第二元件区。第一晶体管
4、根据本专利技术的再一方面，提出一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。首先，提供基板，基板具有第一元件区及第二元件区。接着，分别于基板的第一元件区和第二元件区形成第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构包括相互分开的第一子栅极绝缘层及第二子栅极绝缘层。第一子栅极绝缘层具有第一厚度，第二子栅极绝缘层具有第二厚度，第二厚度大于第一厚度。第二晶体管包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二栅极绝缘层。第一子栅极绝缘层和第二栅极绝缘层是由同一栅极绝缘材料层图案化形成。
5、为了对本专利技术的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括连接区，位于该基板之中且连接于该第一子栅极绝缘层及该第二子栅极绝缘层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括阱区，位于该基板之中，该源极区、该漏极区及该连接区位于该阱区之中，其中该阱区具有第一导电类型，该源极区、该漏极区及该连接区具有不同于该第一导电类型的第二导电类型。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括飘移区，位于该阱区之中，该漏极区位于该飘移区之中，该第二子栅极结构位于该阱区与该飘移区的交界上，该飘移区具有该第二导电类型。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有水平延伸的上表面，该第一子栅极绝缘层的下表面及该第二子栅极绝缘层的下表面位于该基板的该上表面。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有水平延伸的上表面以及从该上表面凹陷的一凹部，该第一子栅极绝缘层的下表面位于该基板的该上表面，该第二子栅极绝缘层形成在该凹部，使该第二子栅极绝缘层的下表面位于该基板的该上
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一子栅极绝缘层和该第二栅极绝缘层是属于同一图案化膜层。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管为高压晶体管，该第二晶体管为低压晶体管。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该低压晶体管的该第二栅极绝缘层的该第三厚度小于或等于25埃
11.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管为高压晶体管，该第二晶体管为输入/输出晶体管。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，该输入/输出晶体管的该第二栅极绝缘层的该第三厚度小于或等于40埃
13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管的该第二子栅极绝缘层的该第二厚度大于40埃
14.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该基板还具有第三元件区，该半导体结构还包括第三晶体管，形成于该基板的该第三元件区，且包括第三栅极结构，该第三栅极结构包括第三栅极绝缘层，该第三栅极绝缘层具有第四厚度，该第四厚度大致等于该第二厚度。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，该第二子栅极绝缘层和该第三栅极绝缘层是属于同一图案化膜层。
16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，该第二晶体管为低压晶体管，该第三晶体管为输入/输出晶体管。
17.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，该低压晶体管的该第二栅极绝缘层的该第三厚度小于或等于25埃且该输入/输出晶体管的该第三栅极绝缘层的该第四厚度小于或等于40埃
18.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管还包括源极区、漏极区以及连接区，位于该基板之中，该第一子栅极绝缘层邻近该源极区，该第二子栅极绝缘层邻近该漏极区，该连接区连接于该第一子栅极绝缘层及该第二子栅极绝缘层。
19.如权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管还包括阱区，位于该基板之中，该源极区、该漏极区及该连接区位于该阱区之中，其中该阱区具有第一导电类型，该源极区、该漏极区及该连接区具有不同于该第一导电类型的第二导电类型。
20.如权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管还包括飘移区，位于该阱区之中，该漏极区位于该飘移区之中，该第二子栅极绝缘层位于该阱区与该飘移区的交界，其中该飘移区具有该第二导电类型。
21.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有水平延伸的上表面，该第一子栅极绝缘层的下表面及该第二子栅极绝缘层的下表面在垂直于该基板的该上表面的剖面上横看时是基本上与该基板的该上表面共面。
22.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有水平延伸的上表面，该第一子栅极绝缘层的下表面在垂直于该基板的该上表面的剖面上横看时是基本上与该基板的该上表面共面，该第二子栅极绝缘层的下表面在垂直于该基板的该上表面的剖面上横看时是基本上低于该基板的该上表面。
23.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
24.如权利要求23所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括连接区，位于该基板之中且连接于该第一子栅极绝缘层及该第二子栅极绝缘层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括阱区，位于该基板之中，该源极区、该漏极区及该连接区位于该阱区之中，其中该阱区具有第一导电类型，该源极区、该漏极区及该连接区具有不同于该第一导电类型的第二导电类型。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括飘移区，位于该阱区之中，该漏极区位于该飘移区之中，该第二子栅极结构位于该阱区与该飘移区的交界上，该飘移区具有该第二导电类型。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有水平延伸的上表面，该第一子栅极绝缘层的下表面及该第二子栅极绝缘层的下表面位于该基板的该上表面。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板具有水平延伸的上表面以及从该上表面凹陷的一凹部，该第一子栅极绝缘层的下表面位于该基板的该上表面，该第二子栅极绝缘层形成在该凹部，使该第二子栅极绝缘层的下表面位于该基板的该上表面之下。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一子栅极绝缘层和该第二栅极绝缘层是属于同一图案化膜层。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管为高压晶体管，该第二晶体管为低压晶体管。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该低压晶体管的该第二栅极绝缘层的该第三厚度小于或等于25埃
11.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管为高压晶体管，该第二晶体管为输入/输出晶体管。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，该输入/输出晶体管的该第二栅极绝缘层的该第三厚度小于或等于40埃
13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管的该第二子栅极绝缘层的该第二厚度大于40埃
14.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该基板还具有第三元件区，该半导体结构还包括第三晶体管，形成于该基...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宗翰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。