【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，具体涉及一种真空吸附系统及半导体处理设备。
技术介绍
1、在半导体的制造工艺中，晶圆的固定方式有静电吸附、真空吸附等，其中，真空吸附通过在真空背压吸附基座形成负压，以吸附其上的晶圆。
2、目前存在的真空吸附系统，提供背压的范围很少，使用情况比较单一，不能满足高低压切换等复杂工艺使用的需要。
技术实现思路
1、基于上述问题，本技术提供一种真空吸附系统，通过流量阀单元与压力控制单元的配合，可以为复杂的背压变换工艺提供稳定的吸附压力。
2、为了达到上述目的，本技术提供了一种真空吸附系统，包括位于反应腔内的基座，所述基座用于承载吸附晶圆，所述基座内设有背压管路，所述背压管路一端为基座表面提供负压，以吸附晶圆，所述背压管路另一端分别连通有抽气管路和供气管路，所述抽气管路与真空泵连通，由所述真空泵抽气提供负压，所述供气管路上设有压力控制单元，以调节供气压力流量；所述抽气管路上设置抽气阀单元，以控制抽气压力流量。
3、可选的，所述背压管路上设有背压阀。
4、可选的，所述压力控制单元包括质量流量控制单元和压力传感器。
5、可选的，所述流量控制单元位于压力传感器的上游。
6、可选的，所述抽气阀单元和背压阀包括流量阀。
7、可选的，所述压力控制单元下游通过泄压管路与反应腔连通，并通过泄压阀控制开度。
8、可选的，所述抽气阀单元设置为调节阀组，所述调节阀组包括多个并联的调节阀。
<...【技术保护点】
1.一种真空吸附系统，包括位于反应腔内的基座，所述基座用于承载吸附晶圆，所述基座内设有背压管路，所述背压管路一端为基座表面提供负压，以吸附晶圆，其特征在于，
2.如权利要求1所述的真空吸附系统，其特征在于，所述背压管路上设有背压阀。
3.如权利要求1所述的真空吸附系统，其特征在于，所述压力控制单元包括质量流量控制单元和压力传感器。
4.如权利要求3所述的真空吸附系统，其特征在于，所述流量控制单元位于压力传感器的上游。
5.如权利要求2所述的真空吸附系统，其特征在于，所述抽气阀单元和背压阀包括流量阀。
6.如权利要求1所述的真空吸附系统，其特征在于，所述压力控制单元下游通过泄压管路与反应腔连通，并通过泄压阀控制开度。
7.如权利要求1所述的真空吸附系统，其特征在于，每个所述调节阀的流量系数不同。
8.如权利要求7所述的真空吸附系统，其特征在于，多个所述调节阀之间的流量系数呈倍数差异。
9.一种半导体处理设备，其特征在于，包括，如权利要求1至8任一项所述的真空吸附系统。
【技术特征摘要】
1.一种真空吸附系统，包括位于反应腔内的基座，所述基座用于承载吸附晶圆，所述基座内设有背压管路，所述背压管路一端为基座表面提供负压，以吸附晶圆，其特征在于，
2.如权利要求1所述的真空吸附系统，其特征在于，所述背压管路上设有背压阀。
3.如权利要求1所述的真空吸附系统，其特征在于，所述压力控制单元包括质量流量控制单元和压力传感器。
4.如权利要求3所述的真空吸附系统，其特征在于，所述流量控制单元位于压力传感器的上游。
5.如权利要求2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：付海涛，庄宇峰，吕术亮，李远，董维，谢忠帅，徐立，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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