【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅部件清洁设备，具体而言，涉及一种硅部件刻蚀槽。
技术介绍
1、半导体硅部件产品包括硅锭、硅桶、硅盘、硅环、硅管等，这些硅部件主要用于承载或参与半导体晶圆片的制造过程。湿法刻蚀工艺是半导体硅部件处理过程中的关键步骤，湿法蚀刻的原理是利用化学方法将硅部件表面附着的污染物进行去除，通过湿法刻蚀可以使零件表面达到较高的洁净度。
2、工业生产中，采用专用的湿法刻蚀设备进行刻蚀工艺，湿法刻蚀设备包括刻蚀槽，用于承载刻蚀液，硅部件安装在工装上，浸入刻蚀槽内的刻蚀液实现表面刻蚀清洗。
3、现有技术中，为了提高刻蚀效率，会在刻蚀槽内设置鼓泡装置，促进刻蚀液在槽内的自循环，保证浓度均匀，提高刻蚀效率。但是气泡会附着于硅部件表面，导致刻蚀均匀性不佳，影响了整体刻蚀效果。
技术实现思路
1、本技术所要解决的问题是如何消除刻蚀液中的气泡，提高硅部件湿法刻蚀均匀性。
2、为解决上述问题，本技术提供一种硅部件刻蚀槽，包括底板和设置在所述底板周围的侧板，所述底板和所述侧板合围形成顶部开口的槽体，所述槽体内设有鼓泡装置，所述底板的下方设有超声波装置，所述超声波装置包括水箱和设置在水箱内的超声波振动盒，所述底板覆盖所述水箱顶部开口，所述超声波振动盒的顶部与所述底板具有间隙。
3、相对于现有技术，本技术硅部件刻蚀槽具有超声波装置，可以在硅部件刻蚀过程起到消泡作用，从而消除气泡对刻蚀的影响，提高工件表面刻蚀均匀性，改善刻蚀效果；由于刻蚀液具有很强的腐蚀作用，本技
4、进一步地，所述超声波振动盒内设有多个阵列排布的超声波振子。该结构可以使超声波振动盒各部位产生均匀的超声波振动，保证槽体内刻蚀液的消泡效果。
5、进一步地，所述超声波装置的功率大于20w/cm2，超声波频率为20～40khz。超声波振动传递过程会存在能量衰减，为保证消泡效果，超声波装置需要具有较大的功率。
6、进一步地，所述槽体内设有加热装置。设置加热装置可以将槽体内的刻蚀液加热到工艺温度，保证刻蚀效果。
7、进一步地，所述加热装置为设置在所述槽体两侧的加热盘管。这种加热装置可以高效加热刻蚀液。
8、进一步地，所述槽体内设有液位保护器。设置液位保护器可以对槽体内的液位进行监控，在液位过低时可以实现断电保护功能，避免加热装置在刻蚀液排空后干烧。
9、进一步地，所述鼓泡装置包括设置在槽体底部的出气盘管，所述出气盘管上设有多个出气孔。鼓泡装置从出气孔导出气泡，促进刻蚀液在槽体内循环，保证刻蚀液浓度和温度均匀。
10、进一步地，所述侧板的下部设有排液口，所述排液口上设有排液阀，设置排液口和排液阀便于排液和更换。
11、进一步地，硅部件刻蚀槽还包括支撑平台，所述支撑平台的底部与所述侧板的顶部连接，所述支撑平台的中部镂空形成与所述槽体连接的通道。设置支撑平台提供了刻蚀装置其他零件的安装位置，便于装置整体布局。
12、进一步地，所述底板、所述侧板和所述支撑平台的材质为pvc。刻蚀槽整体采用耐腐蚀性好的pvc材料，避免刻蚀液腐蚀损坏刻蚀槽。
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1.一种硅部件刻蚀槽，其特征在于，包括底板(11)和设置在所述底板(11)周围的侧板(12)，所述底板(11)和所述侧板(12)合围形成顶部开口的槽体(13)，所述槽体(13)内设有鼓泡装置，所述底板(11)的下方设有超声波装置(5)，所述超声波装置(5)包括水箱(51)和设置在水箱(51)内的超声波振动盒(52)，所述底板(11)覆盖所述水箱(51)顶部开口，所述超声波振动盒(52)的顶部与所述底板(11)具有间隙，所述鼓泡装置包括设置在槽体(13)底部的出气盘管(2)，所述出气盘管(2)上设有多个出气孔。
2.根据权利要求1所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述超声波振动盒(52)内设有多个阵列排布的超声波振子(53)。
3.根据权利要求1所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述超声波装置(5)的功率大于20W/cm2，超声波频率为20~40KHz。
4.根据权利要求1所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述槽体(13)内设有加热装置。
5.根据权利要求4所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述加热装置为设置在所述槽体(13)两侧的加热盘管(
6.根据权利要求4所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述槽体(13)内设有液位保护器。
7.根据权利要求1所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述侧板(12)的下部设有排液口(4)，所述排液口(4)上设有排液阀。
8.根据权利要求1-7任一所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，还包括支撑平台(14)，所述支撑平台(14)的底部与所述侧板(12)的顶部连接，所述支撑平台(14)的中部镂空形成与所述槽体(13)连接的通道。
9.根据权利要求8所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述底板(11)、所述侧板(12)和所述支撑平台(14)的材质为PVC。
...【技术特征摘要】
1.一种硅部件刻蚀槽，其特征在于，包括底板(11)和设置在所述底板(11)周围的侧板(12)，所述底板(11)和所述侧板(12)合围形成顶部开口的槽体(13)，所述槽体(13)内设有鼓泡装置，所述底板(11)的下方设有超声波装置(5)，所述超声波装置(5)包括水箱(51)和设置在水箱(51)内的超声波振动盒(52)，所述底板(11)覆盖所述水箱(51)顶部开口，所述超声波振动盒(52)的顶部与所述底板(11)具有间隙，所述鼓泡装置包括设置在槽体(13)底部的出气盘管(2)，所述出气盘管(2)上设有多个出气孔。
2.根据权利要求1所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述超声波振动盒(52)内设有多个阵列排布的超声波振子(53)。
3.根据权利要求1所述的硅部件刻蚀槽，其特征在于，所述超声波装置(5)的功率大于20w/cm2，超声波频率为20~40khz。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：马志杰，尹帅，艾武超，范荣，
申请(专利权)人：吉盛微宁波精密科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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