【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种天线结构与电子装置，特别是涉及一种能够增加频宽的天线结构与具有该天线结构的电子装置。
技术介绍
1、现有技术中，天线结构的制作一般是以多层高密度互连(high densityinterconnect，hdi)的电路板来做为基板，hdipcb的制程是以传统双面板为芯板，通过不断积层层压而形成。这种由不断积层的制程的电路板也被称作积层多层板(build-upmultilayer，bum)。然而。以hdipcb制成的天线结构，其制造流程复杂，制作成本高且制作时间长，且所制出的天线在所产生的频宽上也稍嫌不足。
2、故，如何通过结构设计的改良，来克服上述缺陷，已成为该领域所欲解决的问题之一。
3、因此，需要提供一种天线结构与电子装置来解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术主要提供一种天线结构与具有该天线结构的电子装置，以解决现有的天线结构其制作流程繁杂且天线频宽不足的技术问题。
2、为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种天线结构，其包括载板、切换电路、第一辐射件以及第二辐射件。载板包括相连接的第一承载部与第二承载部。第一承载部的厚度大于第二承载部的厚度，第二承载部具有线路层与接地层。线路层与接地层分别形成于第二承载部的相反两侧的表面。切换电路位于第二承载部上的线路层。第一辐射件设置于载板，第一辐射件电性连接于一馈入件。第二辐射件设置于载板，第二辐射件电性连接于切换电路，且第二辐射件与第一辐射件彼此分离且相
3、为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是提供一种电子装置，其包括壳体以及设置在壳体内的天线结构。天线结构包括载板、切换电路、第一辐射件以及第二辐射件。载板包括相连接的第一承载部与第二承载部。第一承载部的厚度大于第二承载部的厚度，第二承载部具有线路层与接地层。线路层与接地层分别形成于第二承载部的相反两侧的表面。切换电路位于第二承载部上的线路层。第一辐射件设置于载板，第一辐射件电性连接于一馈入件。第二辐射件设置于载板，第二辐射件电性连接于切换电路，且第二辐射件与第一辐射件彼此分离且相互耦合。
4、本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的天线结构与电子装置，其能通过将切换电路、第一辐射件以及第二辐射件直接设置在载板上，以简化制作流程。此外，本专利技术所提供的载板具有不同厚度区域，而线路层与接地层能够形成于厚度较薄的第二承载部上，以降低层与层之间的电容性，并增加频偏幅度及天线频宽。
5、为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
【技术保护点】
1.一种天线结构，该天线结构包括：
2.如权利要求1所述的天线结构，其中，该载板为单层板结构，该线路层、该接地层、该第一辐射件以及该第二辐射件是以激光直接成型方式成型于该载板上。
3.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第二承载部的厚度介于0.6mm至1.6mm之间。
4.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第二承载部具有多个导电通孔，用于电性连接该线路层与该接地层。
5.如权利要求4所述的天线结构，其中，相邻的两个该导电通孔之间的最小距离大于或等于1.7mm。
6.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第一辐射件为平面倒F型天线。
7.如权利要求1所述的天线结构，其中，该切换电路包括多个传导路径，每一该传导路径具有一切换开关与一被动元件；其中，该切换电路用于依据多个该切换开关的开关状态来切换至不同的操作模式，以调整该第一辐射件与该第二辐射件相互耦合所产生的操作频带的频宽。
8.如权利要求7所述的天线结构，其中，该操作频带在低频范围低至500MHz。
9.如权利要求1所述的天线结构，其中
10.如权利要求9所述的天线结构，其中，该线路层还包括一第二支路，该第二支路电性连接于一近接感测电路，该第二支路具有相互串联的一第二电感元件与一电阻元件，该第二支路的一端连接于该第一接点，该第二支路的另一端连接于该近接感测电路。
11.一种电子装置，该电子装置包括：
12.如权利要求11所述的电子装置，其中，该载板为单层板结构，该线路层、该接地层、该第一辐射件以及该第二辐射件是以激光直接成型方式成型于该载板上。
13.如权利要求11所述的电子装置，其中，该第二承载部的厚度介于0.6mm至1.6mm之间。
14.如权利要求11所述的电子装置，其中，该第二承载部具有多个导电通孔，用于电性连接该线路层与该接地层。
15.如权利要求11所述的电子装置，其中，该第一辐射件为平面倒F型天线。
16.如权利要求11所述的电子装置，其中，该切换电路包括多个传导路径，每一该传导路径具有一切换开关与一被动元件；其中，该切换电路用于依据多个该切换开关的开关状态来切换至不同的操作模式，以调整该第一辐射件与该第二辐射件相互耦合所产生的操作频带的频宽。
17.如权利要求16所述的电子装置，其中，该操作频带在低频范围低至500MHz。
18.如权利要求11所述的电子装置，其中，该线路层包括一第一支路，该第一支路具有相互串联的一第一电容元件与一第一电感元件，该第一支路的一端与该第二辐射件相连接于一第一接点，该第一支路的另一端为接地端，该第一支路与该切换电路相连接于一第二接点，该第一电容元件串接于该第一接点与该第二接点之间，该第一电感元件串接于该第二接点与该接地端之间。
19.如权利要求18所述的电子装置，该电子装置还包括一近接感测电路，该线路层还包括一第二支路，该近接感测电路电性连接于该第二支路，该第二支路具有相互串联的一第二电感元件与一电阻元件，该第二支路的一端连接于该第一接点，该第二支路的另一端连接于该近接感测电路。
...【技术特征摘要】
1.一种天线结构，该天线结构包括：
2.如权利要求1所述的天线结构，其中，该载板为单层板结构，该线路层、该接地层、该第一辐射件以及该第二辐射件是以激光直接成型方式成型于该载板上。
3.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第二承载部的厚度介于0.6mm至1.6mm之间。
4.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第二承载部具有多个导电通孔，用于电性连接该线路层与该接地层。
5.如权利要求4所述的天线结构，其中，相邻的两个该导电通孔之间的最小距离大于或等于1.7mm。
6.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第一辐射件为平面倒f型天线。
7.如权利要求1所述的天线结构，其中，该切换电路包括多个传导路径，每一该传导路径具有一切换开关与一被动元件；其中，该切换电路用于依据多个该切换开关的开关状态来切换至不同的操作模式，以调整该第一辐射件与该第二辐射件相互耦合所产生的操作频带的频宽。
8.如权利要求7所述的天线结构，其中，该操作频带在低频范围低至500mhz。
9.如权利要求1所述的天线结构，其中，该线路层包括一第一支路，该第一支路具有相互串联的一第一电容元件与一第一电感元件，该第一支路的一端与该第二辐射件相连接于一第一接点，该第一支路的另一端为接地端，该第一支路与该切换电路相连接于一第二接点，该第一电容元件串接于该第一接点与该第二接点之间，该第一电感元件串接于该第二接点与该接地端之间。
10.如权利要求9所述的天线结构，其中，该线路层还包括一第二支路，该第二支路电性连接于一近接感测电路，该第二支路具有相互串联的一第二电感元件与一电阻元件，该第二支路的一端连接于该第一接点，该第二支路的另一端连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：何文彬，徐诗铠，陈静雯，施凯，
申请(专利权)人：启碁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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