【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种直接覆铜基板，尤其涉及一种预模制直接覆铜基板及其制造方法。
技术介绍
1、现有直接覆铜(dbc)基板的铜层与陶瓷板材所具有的热膨胀系数(coefficientof thermal expansion，cte)差异过大，因而容易受到温度变化的影响而产生所述铜层翘曲、或是应力集中于所述陶瓷板材，进而降低现有直接覆铜基板的可靠性与耐用性。
2、于是，本申请人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本申请。
技术实现思路
1、本申请提供一种预模制直接覆铜基板及其制造方法，其能有效地改善现有直接覆铜基板所可能产生的缺陷。
2、本申请公开一种预模制直接覆铜基板，其包括：一陶瓷板材，其具有一第一板面、位于第一板面相反侧的一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧面；一第一铜层，其共晶接合于第一板面；其中，第一铜层具有远离第一板面的一接合面，并且第一板面的局部未接触第一铜层并定义为一配置区；一第二铜层，其共晶接合于第二板面；其中，第一铜层的体积为第二铜层的体积的80％以下；以及一预封装层，其模制形成于配置区并包覆第一铜层，以使第一铜层的至少局部接合面裸露于预封装层之外；其中，预封装层的热膨胀系数介于陶瓷板材的热膨胀系数以及第一铜层的热膨胀系数之间；其中，预封装层具有一顶缘及相连于顶缘的一环侧缘，并且顶缘相对于第一板面不低于第一铜层的接合面，而环侧缘切齐于陶瓷板材的环侧面。
3、可选地，第一铜层
4、可选地，于多个内铜垫彼此相向的两个边缘之中，其中一个边缘形成有至少一个突起，而其中另一个边缘形成有至少一个凹槽，其容置至少一个突起的局部。
5、可选地，多个内铜垫的边缘及多个外铜垫的内边缘皆呈阶梯状构造并埋置于预封装层之内。
6、可选地，预封装层的顶缘及环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
7、可选地，预封装层的顶缘共平面于第一铜层的接合面。
8、可选地，预封装层包含有：一包覆体，形成于配置区并包覆第一铜层；及一支架体，自包覆体延伸并突出接合面，并且支架体具有顶缘；其中，支架体覆盖于接合面的局部。
9、可选地，支架体的顶缘与接合面相隔有不大于100微米的距离，并且支架体与接合面包围形成有多个容置槽；其中，第二铜层用来连接于一散热器。
10、本申请也公开一种预模制直接覆铜基板的制造方法，其包括：一前置步骤：提供一陶瓷板材，其具有一第一板面、位于第一板面相反侧的一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧面；一覆铜步骤：于陶瓷板材的第一板面形成有与其共晶接合的一第一铜层；其中，第一铜层具有远离第一板面的一接合面，并且第一板面的局部未接触第一铜层并定义为一配置区；一电浆清洗步骤：清洗陶瓷板材及第一铜层；以及一预封装步骤：于配置区模制形成一预封装层，以使预封装层包覆第一铜层，并且至少局部接合面裸露于预封装层之外；其中，预封装层的热膨胀系数介于陶瓷板材的热膨胀系数以及第一铜层的热膨胀系数之间。
11、可选地，于覆铜步骤之中，于陶瓷板材的第二板面进一步形成有与其共晶接合的一第二铜层，并且第一铜层的体积为第二铜层的体积的80％以下。
12、可选地，于预封装步骤之后，预模制直接覆铜基板的制造方法进一步包含有一粗糙化步骤：于预封装层的顶缘及环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
13、可选地，于预封装步骤之中，预封装层具有一顶缘及相连于顶缘的一环侧缘，并且顶缘相对于第一板面不低于第一铜层的接合面，而环侧缘切齐于陶瓷板材的环侧面。
14、可选地，于预封装步骤之中，预封装层的顶缘共平面于第一铜层的接合面。
15、可选地，于预封装步骤之中，预封装层突出接合面而覆盖于接合面的局部，以使预封装层与接合面包围形成有多个容置槽；其中，预封装层的顶缘与接合面相隔有不大于100微米的距离。
16、本申请另公开一种预模制直接覆铜基板，其包括：一陶瓷板材，其具有一第一板面、位于第一板面相反侧的一第二板面及相连于第一板面与第二板面的一环侧面；一第一铜层，其共晶接合于第一板面；其中，第一铜层具有远离第一板面的一接合面，并且第一板面的局部未接触第一铜层并定义为一配置区，而陶瓷板材未于第二板面形成有任何铜层；以及一预封装层，其模制形成于配置区并包覆第一铜层，以使第一铜层的至少局部接合面裸露于预封装层之外；预封装层的热膨胀系数介于陶瓷板材的热膨胀系数以及第一铜层的热膨胀系数之间；其中，预封装层具有一顶缘及相连于顶缘的一环侧缘，并且顶缘相对于第一板面不低于第一铜层的接合面，而环侧缘切齐于陶瓷板材的环侧面。
17、可选地，第一铜层包含有：多个内铜垫，彼此间隔地设置；及多个外铜垫，间隔地围绕于多个内铜垫的外侧，并且多个外铜垫彼此间隔设置且呈环状排列；其中，于多个内铜垫彼此相向的两个边缘之中，其中一个边缘形成有至少一个突起，而其中另一个边缘则形成有至少一个凹槽，其容置至少一个突起的局部。
18、可选地，第一铜层包含有：多个内铜垫，彼此间隔地设置；及多个外铜垫，间隔地围绕于多个内铜垫的外侧，并且多个外铜垫彼此间隔设置且呈环状排列；其中，多个内铜垫的边缘及多个外铜垫的内边缘皆呈阶梯状构造并埋置于预封装层之内。
19、可选地，预封装层的顶缘及环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
20、可选地，预封装层的顶缘共平面于第一铜层的接合面。
21、可选地，预封装层包含有：一包覆体，形成于配置区并包覆第一铜层；及一支架体，自包覆体延伸并突出接合面，并且支架体具有顶缘；其中，支架体覆盖于接合面的局部；其中，支架体的顶缘与接合面相隔有不大于100微米的距离，并且支架体与接合面包围形成有多个容置槽。
22、综上所述，本申请所公开的预模制直接覆铜基板及其制造方法，其在特定条件下(如：所述第一铜层的体积为所述第二铜层的体积的80％以下；或者是仅形成有所述第一铜层)形成有所述预封装层，以通过所述预封装层的特性(如：所述预封装层的热膨胀系数介于所述陶瓷板材的热膨胀系数以及所述第一铜层的热膨胀系数之间)来有效地避免所述第一铜层(及/或所述第二铜层)产生翘曲、并降低应力集中于所述陶瓷板材的情况，进而提高所述预模制直接覆铜基板的可靠性与耐用性。
23、为能更进一步了解本申请的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本申请，而非对本申请的保护范围作任何的限制。
【技术保护点】
1.一种预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预模制直接覆铜基板包括：
2.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述第一铜层包含有：
3.根据权利要求2所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，于多个所述内铜垫彼此相向的两个边缘之中，其中一个所述边缘形成有至少一个突起，而其中另一个所述边缘形成有至少一个凹槽，其容置至少一个所述突起的局部。
4.根据权利要求2所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，多个所述内铜垫的边缘及多个所述外铜垫的内边缘皆呈阶梯状构造并埋置于所述预封装层之内。
5.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层的所述顶缘及所述环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
6.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层的所述顶缘共平面于所述第一铜层的所述接合面。
7.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层包含有：
8.根据权利要求7所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述支架体的所述顶缘
9.一种预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，所述预模制直接覆铜基板的制造方法包括：
10.根据权利要求9所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于所述覆铜步骤之中，于所述陶瓷板材的所述第二板面进一步形成有与其共晶接合的一第二铜层，并且所述第一铜层的体积为所述第二铜层的体积的80％以下。
11.根据权利要求9所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于所述预封装步骤之后，所述预模制直接覆铜基板的制造方法进一步包含有一粗糙化步骤：于所述预封装层的所述顶缘及所述环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
12.根据权利要求9所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于所述预封装步骤之中，所述预封装层具有一顶缘及相连于所述顶缘的一环侧缘，并且所述顶缘相对于所述第一板面不低于所述第一铜层的所述接合面，而所述环侧缘切齐于所述陶瓷板材的所述环侧面。
13.根据权利要求12所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于所述预封装步骤之中，所述预封装层的所述顶缘共平面于所述第一铜层的所述接合面。
14.根据权利要求12所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于所述预封装步骤之中，所述预封装层突出所述接合面而覆盖于所述接合面的局部，以使所述预封装层与所述接合面包围形成有多个容置槽；其中，所述预封装层的所述顶缘与所述接合面相隔有不大于100微米的距离。
15.一种预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预模制直接覆铜基板包括：
16.根据权利要求15所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述第一铜层包含有：
17.根据权利要求15所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述第一铜层包含有：
18.根据权利要求15所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层的所述顶缘及所述环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
19.根据权利要求15所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层的所述顶缘共平面于所述第一铜层的所述接合面。
20.根据权利要求15所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层包含有：
...【技术特征摘要】
1.一种预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预模制直接覆铜基板包括：
2.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述第一铜层包含有：
3.根据权利要求2所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，于多个所述内铜垫彼此相向的两个边缘之中，其中一个所述边缘形成有至少一个突起，而其中另一个所述边缘形成有至少一个凹槽，其容置至少一个所述突起的局部。
4.根据权利要求2所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，多个所述内铜垫的边缘及多个所述外铜垫的内边缘皆呈阶梯状构造并埋置于所述预封装层之内。
5.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层的所述顶缘及所述环侧缘的至少其中之一形成有至少0.8微米的一中心线平均粗糙度。
6.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层的所述顶缘共平面于所述第一铜层的所述接合面。
7.根据权利要求1所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述预封装层包含有：
8.根据权利要求7所述的预模制直接覆铜基板，其特征在于，所述支架体的所述顶缘与所述接合面相隔有不大于100微米的距离，并且所述支架体与所述接合面包围形成有多个容置槽；其中，所述第二铜层用来连接于一散热器。
9.一种预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，所述预模制直接覆铜基板的制造方法包括：
10.根据权利要求9所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于所述覆铜步骤之中，于所述陶瓷板材的所述第二板面进一步形成有与其共晶接合的一第二铜层，并且所述第一铜层的体积为所述第二铜层的体积的80％以下。
11.根据权利要求9所述的预模制直接覆铜基板的制造方法，其特征在于，于...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴家逸，陈彦玮，
申请(专利权)人：同欣电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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