【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例大体上涉及数据处理设备和方法，特别是与带电粒子评估系统和操作带电粒子评估系统的方法一起使用或者在其中使用。
技术介绍
1、在制造半导体集成电路(ic)芯片时，由于例如光学效应和偶然粒子的结果，在制作过程期间不可避免地会在衬底(即，晶片)或掩模上出现不期望的图案缺陷，从而减少产量。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地，衬底或其他物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检查装置已被用于检查物体(可以被称为样品)，例如以检测图案缺陷。这些装置通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，相对较高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上。电子束作为探测斑被聚焦到样品上。探测斑处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号电子从表面发射，诸如次级电子、背向散射电子或俄歇电子。信号电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上作为探测斑扫描初级电子束，信号电子可以在样品表面上发射。通过从样品表面收集这些发射的信号电子，图案检查装置可以获得表示样品表面的材料结构的特点的图像。
3、当使用图案检查装置以高吞吐量检测样品上的缺陷时，生成大量的图像数据，并且必须对其进行处理以检测缺陷。特别地，期望降低来自图像数据的噪声。us 8,712,184b1和us 9,436,985 b1描述了在从扫描电子显微镜获得的图像中降低噪声或提高信噪比的方法。在一些情况下
技术实现思路
1、本公开的目的是提供避免或改善用于检测缺陷的带电粒子评估装置的吞吐量的数据传输极限的实施例。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种带电粒子评估装置，用于通过在样品上扫描带电粒子束来检测样品中的缺陷；该装置包括：检测器单元，被配置为响应于从样品入射的信号粒子来输出像素值的数字检测信号，该像素值表示细长像素。
3、根据本专利技术的第二方面，提供了一种图像分析设备，包括：输入模块或接口模块，被配置为接收样品图像数据，该样品图像数据包括表示由带电粒子评估设备获得的样品的图像的像素值，其中每个像素值表示细长的像素；以及去噪模块或下游滤波器，被配置为应用去噪滤波器以生成经滤波信号。
4、根据本专利技术的第三方面，提供了一种带电粒子评估系统，包括：根据本专利技术的第一方面的带电粒子评估装置；根据本专利技术的第二方面的图像分析设备；以及通信信道，被配置为将一系列像素值从带电粒子评估设备传达到图像分析设备。
5、根据本专利技术的第四方面，提供了一种存储样品图像数据的计算机可读存储介质，该样品图像数据包括表示由带电粒子评估系统获得的样品的图像的像素值，其中每个像素值表示细长的像素，期望地每个像素值具有表示对比度范围内的对比度的对比度值，其中相邻细长像素的相对对比度超过指示缺陷的对比度差，期望地像素值被配置为例如在以二维阵列布置的图像中能够渲染为像素，期望地二维阵列是栅格，像素期望地具有不等的尺寸，期望地是矩形的。
6、根据本专利技术的第五方面，提供了一种用于检测样品中的缺陷的样品表面的图像，该图像包括各自表示样品表面的一部分并且各自具有不同对比度的多个细长像素，其中细长像素的相对对比度指示缺陷，期望地细长像素以二维阵列布置，期望地二维阵列是栅格，细长像素期望地具有不等尺寸，期望地是矩形的。
7、根据本专利技术的第六方面，提供了一种至少使用具有重复图案的样品表面的图像进行阵列模式的数据处理的方法，该方法包括：例如使用检测器单元/在检测器单元中，生成具有重复图案的样品表面的至少一个图像，该图像具有细长像素，该细长像素具有细长方向和缩减方向；以及相对于图案的重复周期对准至少一个图像的至少部分，以等于细长方向上的整数个像素或者缩减方向上的整数个像素；其中对准包括改变像素的纵横比。
8、根据本专利技术的第七方面，提供了一种用于将检测数据与参考数据进行比较的裸片到数据库模式的数据处理方法，包括：例如使用检测器单元，生成样品表面的检测数据映射，该检测数据具有细长检测像素，该细长检测像素具有纵向方向和缩减方向：对参考数据进行移位以形成与检测数据映射相对应的参考数据映射；以及处理参考数据映射，包括在细长检测像素的纵向方向上组合参考数据映射的像素，以导出处理后的参考数据映射，该处理后的参考数据映射具有与细长检测像素相同的像素大小，并且处理后的参考数据映射被配置为应用与检测数据映射相同的进一步处理。
9、根据本专利技术的第八方面，提供了一种图像分析方法，包括：接收样品图像数据，该样品图像数据包括表示由带电粒子评估方法获得的样品的图像的像素值，其中每个像素值表示细长的像素；以及应用去噪滤波器以生成经滤波信号。
10、根据本专利技术的第九方面，提供了一种上述图像分析方法，其中参考数据包括分辨率高于样品图像数据的参考像素数据，并且比较包括：将参考像素数据与样品图像数据对准，并且生成对准的参考像素数据；以及对对准的参考像素数据进行下采样以生成分辨率与样品图像数据相同的下采样参考像素数据；以及将样品图像数据的像素数据与对应的下采样参考像素数据进行比较。
11、根据本专利技术的第十方面，提供了一种带电粒子评估装置的检测器单元，用于通过在样品上扫描带电粒子束来检测样品中的缺陷，检测器单元被配置为响应于从样品入射的信号粒子来输出像素值的数字检测信号，该像素值表示细长像素。
12、根据本专利技术的第十一方面，提供了一种带电粒子评估装置的检测器单元，用于通过跨样品扫描带电粒子束并且输出表示细长像素的像素值的检测信号来检测样品中的缺陷，检测器单元包括检测器元件，以响应于入射的带电粒子来生成检测器信号；以及积分器，被配置为对检测器信号进行滤波以生成积分检测信号，其中积分器被配置为在与像素的细长尺寸相对应的细长方向上对检测器信号进行滤波。
13、根据本专利技术的第十二方面，提供了一种带电粒子评估装置的检测器单元，用于通过在样品上扫描带电粒子束来检测样品中的缺陷，检测器单元被配置为响应于从样品入射的信号粒子来输出像素值的数字检测信号，该检测器单元包括：
14、检测器元件，被配置为响应于入射的带电粒子来生成检测器信号；以及
15、具有电容反馈的跨阻放大器，被配置为放大检测器信号。
16、根据本专利技术的第十三方面，提供了一种带电粒子评估装置，用于通过跨样品扫描带电粒子束来检测样品中的缺陷；该装置包括：
17、带电粒子设备，被配置为将带电粒子束朝向样品引导；
18、检测器单元，被配置为响应于从样品入射的信号粒子来输出像素值的数字检测信号，该像素值表示具有纵向方向和横向方向的细长像素；以及
19、台，被配置为支撑样品；其中：
20、带电粒子设备和台被配置为利用带电粒子束扫本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种带电粒子评估装置，用于通过跨样品扫描带电粒子束来检测所述样品中的缺陷；所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器单元包括：
3.根据权利要求2所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器单元还包括：
4.根据权利要求3所述的带电粒子评估装置，其中所述滤波器包括积分器，可选地为具有电容反馈的放大器，例如跨阻放大器。
5.根据权利要求3或4所述的带电粒子评估装置，其中所述滤波器是低通滤波器；和/或其中所述滤波器应用均匀滤波器或高斯滤波器。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器单元包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子评估装置，包括：
8.根据权利要求7所述的带电粒子评估装置，其中所述带电粒子设备和所述台被配置为执行扫描，所述扫描具有主扫描方向和副扫描方向，所述副扫描方向具有与所述主扫描方向不同的定向。
9.根据权利要求8所述的带电粒子评估装置，其中所述主扫描方向上的所述扫描在所述样品的所述表面上比所述副扫描方向快。
10.根据权利要求8或9所述的带电粒子评估装置，其中所述带电粒子设备被配置为至少在所述主扫描方向上，可选地在所述主扫描方向和副扫描方向上跨所述样品扫描所述带电粒子束；和/或其中所述台被配置为相对于所述带电粒子设备移动以在所述副扫描方向上在所述样品上扫描所述带电粒子束。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的带电粒子评估装置，其中所述细长像素在所述主扫描方向上是细长的。
12.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器是检测器元件阵列，期望地所述带电粒子束是多个带电粒子子束，每个子束与所述检测器元件阵列中的检测器元件相关联，并且期望地所述偏转器是偏转器阵列，每个子束与所述偏转器阵列的偏转器元件相关联。
13.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子评估装置，其中所述像素的纵横比在1与4之间，期望地在1.5与4之间，更期望地在2与3之间，甚至等于或大于2。
14.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子评估装置，具有例如以阵列布置的多个带电粒子设备，所述多个带电粒子设备被配置为将相应的带电粒子束朝向样品引导。
15.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子评估装置，还包括控制器，所述控制器被配置为处理像素值的所述数字检测信号。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种带电粒子评估装置，用于通过跨样品扫描带电粒子束来检测所述样品中的缺陷；所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器单元包括：
3.根据权利要求2所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器单元还包括：
4.根据权利要求3所述的带电粒子评估装置，其中所述滤波器包括积分器，可选地为具有电容反馈的放大器，例如跨阻放大器。
5.根据权利要求3或4所述的带电粒子评估装置，其中所述滤波器是低通滤波器；和/或其中所述滤波器应用均匀滤波器或高斯滤波器。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的带电粒子评估装置，其中所述检测器单元包括：
7.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子评估装置，包括：
8.根据权利要求7所述的带电粒子评估装置，其中所述带电粒子设备和所述台被配置为执行扫描，所述扫描具有主扫描方向和副扫描方向，所述副扫描方向具有与所述主扫描方向不同的定向。
9.根据权利要求8所述的带电粒子评估装置，其中所述主扫描方向上的所述扫描在所述样品的所述表面上比所述副扫描方向快。
10.根据权利要求8或9所述的带电粒子评估装置，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·JJ·维兰德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。