【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷金属化，具体为一种pzt高频陶瓷表面金属化方法。
技术介绍
1、pzt系列陶瓷是一种重要的压电陶瓷，广泛应用于各种电子元器件中，压电陶瓷表面的金属化直接影响电子元器件的使用寿命和性能。
2、目前，压电陶瓷表面金属化处理的工艺是以丝网印刷法或真空镀膜法。丝网印刷法是直接将银电极浆料通过丝印方式印制在压电陶瓷基片表面，再经过烘干、烧银等工序制备成金属化层。真空镀膜法是将所需的金属块放置在真空镀膜机的匣钵内，以通电加热匣钵的方式使金属受热熔化进而蒸发，在接触到压电陶瓷基片后在基片表面沉积形成金属化层这样一个物理过程。但是由于压电陶瓷与金属的性质差异，所以丝网印刷法或真空镀膜法都有一定的缺陷，所制备金属化层的牢固度较差。
技术实现思路
1、专利技术目的：针对上述技术问题，本专利技术提出了一种pzt高频陶瓷表面金属化方法。
2、所采用的技术方案如下：
3、一种pzt高频陶瓷表面金属化方法，具体如下：
4、先制备pzt高频陶瓷；
5、在所述pzt高频陶瓷表面制备fe2alb2过渡层；
6、最后在所述fe2alb2过渡层表面制备金属化层即可；
7、所述金属化层为ag和/或cu层。
8、进一步地，所述pzt高频陶瓷的化学结构通式如下：
9、pb(zr1/2ti1/2)o3-xwt%ln2o3
10、其中，ln2o3为镧系稀土元素氧化物，0.1≤x≤1。
<...【技术保护点】
1.一种PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，具体如下：
2.如权利要求1所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，所述PZT高频陶瓷的化学结构通式如下：
3.如权利要求2所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，Ln2O3为Dy2O3。
4.如权利要求2所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，x=0.8。
5.如权利要求2所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，所述PZT高频陶瓷的制备方法如下：
6.如权利要求1所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，所述Fe2AlB2过渡层的制备方法如下：
7.如权利要求6所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，所述氢氩混合气体中氢气与氩气的体积比为1-5：1-5。
8.如权利要求1所述的PZT高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，所述金属化层通过磁控溅射方法制备得到。
【技术特征摘要】
1.一种pzt高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，具体如下：
2.如权利要求1所述的pzt高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，所述pzt高频陶瓷的化学结构通式如下：
3.如权利要求2所述的pzt高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，ln2o3为dy2o3。
4.如权利要求2所述的pzt高频陶瓷表面金属化方法，其特征在于，x=0.8。
5.如权利要求2所述的pzt高频陶瓷表面金...
【专利技术属性】
技术研发人员：方豪杰，贺亦文，张晓云，张国秀，方美玲，刘建平，曾雄，
申请(专利权)人：湖南省美程陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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