【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅片清洁，具体涉及一种硅片清洗装置。
技术介绍
1、半导体清洗是贯穿整个晶圆制造过程的重要工艺环节，清洗工艺好坏是提升良率的关键。随着尺寸缩小、结构复杂化，芯片对杂质含量的敏感度也相应提高，直接影响到产品良率，每降低1％的良率会给客户造成很大的损失。清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤30％以上，而且随着节点的推进，清洗工序的数量和重要性会继续提升，清洗设备的需求量也将相应增加。
2、在硅片的处理工艺中，需要先利用热熔材料在硅片表面进行掩膜层的制作，在硅片处理完后需要再对硅片表面附着的热熔材料进行去除，去热熔材料步骤对于确保硅片的清洁和最终产品的质量至关重要。然而，传统去热熔材料方法通常涉及多个步骤，不仅效率低，而且是利用物理接触对硅片上的热熔材料进行清洁，容易对硅片造成损害。
技术实现思路
1、因此，本技术所要解决的技术问题在于传统去热熔材料方法通常涉及多个步骤，不仅效率低，而且是利用物理接触对硅片上的热熔材料进行清洁，容易对硅片造成损害。
2、为此，本技术提供一种硅片清洗装置，包括：
3、清洗槽，所述清洗槽内开设有清洗腔，待清洗物料适于放置在所述清洗腔内；
4、清洗组件，所述清洗组件设置在清洗腔内，所述清洗组件包括超声清洗件，所述超声清洗件可使得所述清洗腔内的清洗液体产生振动以剥离所述物料上的热熔材料；
5、循环管路，所述循环管路包括第一循环管路和第二循环管路，所述第一循环管路与所述清洗腔相连通，所述第一循环
6、所述第二循环管路与所述第一循环管路相连通，所述第二循环管路可通过所述第一循环管路向所述清洗腔内通入清洗溶液，所述清洗溶液可溶解所述待清洗物料上的热熔材料。
7、可选地，上述的清洗组件包括加热件，所述加热件设置在所述清洗腔内，所述加热件用于控制所述清洗腔内清洗液体的温度。
8、可选地，上述的硅片清洗装置还包括匀流板；所述匀流板设置在所述清洗腔内，所述匀流板上开设有若干个匀流孔，所述待清洗物料适于放置在所述匀流板远离所述超声清洗件的一侧。
9、可选地，上述的第一循环管路包括：
10、连接管路；
11、动力件，所述动力件的出液口通过连接管路与所述清洗腔相连通；
12、清洗液收集槽，所述清洗液收集槽的一侧通过所述连接管路与所述清洗腔相连通，所述清洗液收集槽的另一端通过所述连接管路与所述动力件的输入端相连通。
13、可选地，上述的第一循环管路还包括过滤桶，所述过滤桶串联设置在所述动力件与所述清洗槽之间。
14、可选地，上述的清洗液收集槽上还设置有过滤层，所述过滤层用于对热熔材料和清洗液体的混合物进行过滤。
15、可选地，上述的过滤层的中间位置适于朝向所述清洗液收集槽的底端凹陷设置。
16、可选地，上述的第一循环管路还包括：
17、第一阀体，所述第一阀体设置在所述过滤桶与所述动力件之间的连接管路上以控制所述过滤桶与所述动力件之间的连接管路的连通或者封闭；
18、第二阀体，所述第二阀体设置在所述清洗槽与所述清洗液收集槽之间的连接管路上以控制所述清洗槽与所述清洗液收集槽之间的连接管路的连通或者封闭；
19、第三阀体，所述第三阀体设置在所述清洗液收集槽与所述动力件之间的连接管路上以控制所述清洗液收集槽与所述动力件之间的连接管路的连通或者封闭。
20、可选地，上述的第二循环管路包括：
21、离心件，所述离心件开设有进液口、第一出液口和第二出液口，所述离心件的进液口与所述清洗槽和所述清洗液收集槽之间的连接管路相连通，所述离心件用于分离清洗溶液和热熔材料；
22、第一收集槽，所述第一收集槽的开口适于朝向所述第一出液口设置，所述第一收集槽还与所述动力件的进液口相连通，所述第一收集槽用于收集清洗溶液；
23、第二收集槽，所述第二收集槽的开口适于朝向所述第二出液口设置，所述第二收集槽用于收集热熔材料。
24、可选地，上述的第二循环管路还包括：
25、第四阀体，所述第四阀体设置在所述清洗槽与所述离心件之间的连接管路上以控制所述清洗槽与所述离心件之间的连接管路的连通或者封闭；
26、第五阀体，所述第五阀体设置在所述动力件与所述第一收集槽之间的连接管路上以控制所述动力件与所述第一收集槽之间的连接管路的连通或者封闭。
27、本技术提供的技术方案，具有如下优点：
28、1.本技术提供的硅片清洗装置，包括清洗槽和循环管路，循环管路包括：第一循环管路和第二循环管路。清洗槽内开设有清洗腔，待清洗物料适于放置在清洗腔内；清洗组件设置在清洗腔内，清洗组件包括超声清洗件，超声清洗件可使得清洗腔内的清洗液体产生振动以剥离物料上的热熔材料；第一循环管路与清洗腔相连通，第一循环管路用于向清洗腔内通入清洗液体，以及用于将清洗腔内的热熔材料和清洗液体的混合液排出；第二循环管路与第一循环管路相连通，第二循环管路可通过第一循环管路向清洗腔内通入清洗溶液，清洗溶液可溶解待清洗物料上的热熔材料。
29、当需要对待清洗物料进行去除热熔材料时，首先将待清洗物料放置在清洗腔内，向清洗腔内注入清洁液体，清洁液体可以为水，超声波在不直接接触硅片的情况下，通过带动清洗液的振动不断地产生波动冲击热熔材料，使热熔材料从硅片上松动，减少了物理接触造成的刮擦风险。当热熔材料从硅片上脱落之后，会混合在清洗液体内形成热熔材料和清洗液体的混合液，该混合液会通过第一循环管路排出；接着通过第二循环管路向清洗腔内通入清洗溶液，该清洗溶液为氢氧化钠溶液，清洗溶液流经第一循环管路后进入到清洗腔内，利用氢氧化钠溶液对硅片上的热熔材料进行化学清洗，进一步清除残余的热熔材料，且通过第一循环管路和第二循环管路，不仅可以进行两次清洗，并且可以持续将清洗槽内的混合液排出，循环系统可以持续去除悬浮在清洗液中的热熔材料，保证清洗效率，避免热熔材料重新沉积在硅片上。
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1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗组件(2)包括加热件(22)，所述加热件(22)设置在所述清洗腔(11)内，所述加热件(22)用于控制所述清洗腔(11)内清洗液体的温度。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置还包括匀流板(23)；所述匀流板(23)设置在所述清洗腔(11)内，所述匀流板(23)上开设有若干个匀流孔(231)，所述待清洗物料适于放置在所述匀流板(23)远离所述超声清洗件(21)的一侧。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第一循环管路包括：
5.根据权利要求4所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第一循环管路还包括过滤桶(33)，所述过滤桶(33)串联设置在所述动力件(32)与所述清洗槽(1)之间。
6.根据权利要求4所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗液收集槽(34)上还设置有过滤层(341)，所述过滤层(341)用于对热熔材料和清洗液体的混合物进行过滤。
7.根据权利要求6所
8.根据权利要求5所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第一循环管路还包括：
9.根据权利要求5所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第二循环管路包括：
10.根据权利要求9所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第二循环管路还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗组件(2)包括加热件(22)，所述加热件(22)设置在所述清洗腔(11)内，所述加热件(22)用于控制所述清洗腔(11)内清洗液体的温度。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置还包括匀流板(23)；所述匀流板(23)设置在所述清洗腔(11)内，所述匀流板(23)上开设有若干个匀流孔(231)，所述待清洗物料适于放置在所述匀流板(23)远离所述超声清洗件(21)的一侧。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第一循环管路包括：
5.根据权利要求4所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述第一循...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵玉林，瞿鹏飞，温旭军，
申请(专利权)人：无锡琨圣智能装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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