System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光伏电池及其制备方法、光伏组件技术_技高网

光伏电池及其制备方法、光伏组件技术

技术编号:43976806 阅读:0 留言:0更新日期:2025-01-10 20:03
本公开实施例涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件,制备方法包括:提供包括第一表面和第二表面的基底;形成覆盖第二表面的疏水层;采用至少两次原子层沉积工艺步骤在第一表面上形成氧化铝叠层;形成氧化铝叠层的步骤包括:将覆盖有疏水层的基底放置于反应腔室内,任一循环沉积步骤均包括向反应腔室内通入水蒸气和三甲基铝,且控制第(N+1)次原子层沉积工艺中任一循环沉积步骤的预设工艺参数低于第N次原子层沉积工艺中任一循环沉积步骤的预设工艺参数,预设工艺参数包括水蒸气流量、三甲基铝流量、水蒸气通入时长和三甲基铝通入时长中的至少一者。本公开实施例至少有利于避免背面绕镀和提高氧化铝叠层的膜层质量。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及光伏领域,特别涉及一种光伏电池及其制备方法、光伏组件。


技术介绍

1、光伏电池中,氧化铝薄膜是一种关键的薄膜层,由于氧化铝薄膜界面处具有大量固定负电荷和低的表面态密度,使其在光伏电池钝化技术中具有举足轻重的作用。目前,有多种方法可用于制备氧化铝薄膜,包括热氧化法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等。

2、然而,传统的制备方法存在一些问题,如氧化铝薄膜的薄膜厚度不均匀、表面粗糙度大等质量问题,这些问题均会最终影响光伏电池的光电转换效率。而且,制备氧化铝薄膜的工艺步骤中容易产生绕镀现象,导致光伏电池上不需要形成氧化铝薄膜的位置处也会形成氧化铝薄膜,若不去除额外形成的氧化铝薄膜,后续会影响光伏电池的正常工作。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件,至少有利于避免背面绕镀和提高氧化铝叠层的膜层质量。

2、根据本公开一些实施例,本公开实施例一方面提供一种光伏电池的制备方法,包括:提供基底,所述基底包括相对的第一表面和第二表面;形成覆盖所述第二表面的疏水层;采用至少两次原子层沉积工艺步骤在所述第一表面上形成氧化铝叠层,任一次所述原子层沉积工艺包括多次循环沉积步骤;其中,形成所述氧化铝叠层的步骤包括:将所述第二表面覆盖有所述疏水层的所述基底放置于反应腔室内,任一所述循环沉积步骤均包括向所述反应腔室内通入水蒸气和三甲基铝,且控制第(n+1)次所述原子层沉积工艺中任一所述循环沉积步骤的预设工艺参数低于第n次所述原子层沉积工艺中任一所述循环沉积步骤的预设工艺参数,所述预设工艺参数包括水蒸气流量、三甲基铝流量、水蒸气通入时长以及三甲基铝通入时长中的至少一者,n为大于等于1的正整数。

3、在一些实施例中,采用浸涂工艺、辊涂工艺、喷涂工艺或旋涂工艺形成覆盖所述第二表面的所述疏水层。

4、在一些实施例中,采用所述喷涂工艺形成覆盖所述第二表面的所述疏水层;采用所述喷涂工艺形成所述疏水层的步骤包括:提供可喷涂疏水性材料的喷枪,将所述喷枪的压力设置为2.1bar~4.1bar,控制所述喷枪与所述第二表面之间的直线距离为15cm~30cm,以及设置所述喷枪的喷涂温度为327℃~345℃,以形成厚度为30μm~60μm的所述疏水层。

5、在一些实施例中,所述疏水层的材料为聚四氟乙烯,且所述聚四氟乙烯的分解温度高于任一次所述原子层沉积工艺的沉积温度。

6、在一些实施例中,在提供所述基底之后,在形成所述疏水层之前,所述制备方法还包括:对所述基底的所述第一表面和/或所述第二表面进行清洗处理;和/或,在进行第n次所述原子层沉积工艺和第(n+1)次所述原子层沉积工艺之间,所述制备方法还包括:对所述第一表面进行预处理,所述预处理用于饱和已经形成的氧化铝膜的表面悬挂键。

7、在一些实施例中,对所述基底进行所述清洗处理的步骤包括:向所述反应腔室中通入第一清洗气体,控制所述第一清洗气体的通入时长为第一时长,以及所述第一清洗气体的流量为第一流量;对所述第一表面进行所述预处理的步骤包括:向所述反应腔室中通入第二清洗气体,控制所述第二清洗气体的通入时长为第二时长,以及所述第二清洗气体的流量为第二流量;其中,所述第一时长小于所述第二时长,且所述第一流量小于所述第二流量。

8、在一些实施例中,采用两次所述原子层沉积工艺步骤在所述第一表面上形成所述氧化铝叠层;形成所述氧化铝叠层的步骤包括:控制第二次所述原子层沉积工艺中任一所述循环沉积步骤的预设工艺参数低于第一次所述原子层沉积工艺中任一所述循环沉积步骤的预设工艺参数,所述预设工艺参数包括水蒸气流量、三甲基铝流量、水蒸气通入时长以及三甲基铝通入时长。

9、根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种光伏电池,包括:基底,所述基底包括相对的第一表面和第二表面;氧化铝叠层,至少位于所述第一表面上,所述氧化铝叠层包括依次堆叠的n层氧化铝膜,第n层所述氧化铝膜中的铝含量高于第(n+1)层所述氧化铝膜中的铝含量,且第n层所述氧化铝膜中的氧含量低于第(n+1)层所述氧化铝膜中的氧含量,n为大于等于1的正整数。

10、在一些实施例中,第n层所述氧化铝膜中的铝硅键密度高于第(n+1)层所述氧化铝膜中的铝硅键密度。

11、根据本公开一些实施例,本公开实施例又一方面还提供一种光伏组件,包括:电池串,由多个如上述任一项所述的制备方法形成的光伏电池连接而成,或者由多个如上述任一项所述的光伏电池连接而成;封装胶膜,用于覆盖所述电池串的表面;盖板,用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

13、首先,在后续形成氧化铝叠层之前,提前在第二表面形成疏水层,利用疏水层的疏水性,在后续形成氧化铝叠层的过程中,避免反应前驱物中的水蒸气靠近第二表面,有利于从源头避免后续在第一表面上形成氧化铝叠层的过程中氧化铝还形成于第二表面上,即从源头避免后续在第一表面上形成氧化铝叠层的过程中的绕镀现象。

14、其次,控制第(n+1)次原子层沉积工艺中任一循环沉积步骤的预设工艺参数低于第n次原子层沉积工艺中任一循环沉积步骤的预设工艺参数,一方面,有利于使得氧化铝叠层中越靠近第一表面的部分的致密度越高,且均匀性越高,有利于提高氧化铝叠层对第一表面的钝化效果,减少第一表面上的复合中心,有效降低载流子在第一表面处的复合概率;另一方面,适当降低氧化铝叠层中远离第一表面的部分的致密度,有利于提高后续在氧化铝叠层远离基底的一侧形成的其他膜层与氧化铝叠层之间的接触性能,具体的,有利于使得氧化铝叠层与该其他膜层相互渗透,提高氧化铝叠层与该其他膜层之间的连接强度;又一方面,使得氧化铝叠层中靠近第一表面的部分中的铝含量较高,包含更多的铝硅键,更有利于提高氧化铝叠层和基底的晶格适配度;再一方面,使得氧化铝叠层中远离第一表面的部分中的氧含量较高,有利于对基底形成富电荷场钝化效果。

15、因此,上述各方面共同配合有利于避免在第一表面上形成氧化铝叠层的过程中的绕镀现象,以及提高氧化铝叠层的膜层质量,从而进一步提高光伏电池的光电转换效率。

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【技术保护点】

1.一种光伏电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用浸涂工艺、辊涂工艺、喷涂工艺或旋涂工艺形成覆盖所述第二表面的所述疏水层。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,采用所述喷涂工艺形成覆盖所述第二表面的所述疏水层;采用所述喷涂工艺形成所述疏水层的步骤包括:

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述疏水层的材料为聚四氟乙烯,且所述聚四氟乙烯的分解温度高于任一次所述原子层沉积工艺的沉积温度。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在提供所述基底之后,在形成所述疏水层之前,所述制备方法还包括:对所述基底的所述第一表面和/或所述第二表面进行清洗处理;和/或,

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,对所述基底进行所述清洗处理的步骤包括:向所述反应腔室中通入第一清洗气体,控制所述第一清洗气体的通入时长为第一时长,以及所述第一清洗气体的流量为第一流量;

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用两次所述原子层沉积工艺步骤在所述第一表面上形成所述氧化铝叠层;形成所述氧化铝叠层的步骤包括:

8.一种光伏电池,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的光伏电池,其特征在于,第N层所述氧化铝膜中的铝硅键密度高于第(N+1)层所述氧化铝膜中的铝硅键密度。

10.一种光伏组件,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种光伏电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,采用浸涂工艺、辊涂工艺、喷涂工艺或旋涂工艺形成覆盖所述第二表面的所述疏水层。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,采用所述喷涂工艺形成覆盖所述第二表面的所述疏水层;采用所述喷涂工艺形成所述疏水层的步骤包括:

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述疏水层的材料为聚四氟乙烯,且所述聚四氟乙烯的分解温度高于任一次所述原子层沉积工艺的沉积温度。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在提供所述基底之后,在形成所述疏水层之前,所述制备方法还包括:对所述基底的所述第一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾宪欢汪益兰李超费志良
申请(专利权)人:晶科能源上饶有限公司
类型:发明
国别省市:

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