【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体元件，尤其涉及一种具有间隙壁的半导体元件。
技术介绍
1、半导体元件用于各种电子应用，例如个人计算机、移动电话、数码相机和其他电子设备。半导体元件的尺寸不断缩小，以满足日益增长的计算能力需求。然而，在缩小过程中会出现各种各样的问题，并且这些问题还在不断增加。因此，在实现改进的质量、产量、性能和可靠性以及降低复杂性方面仍然存在挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供一种半导体元件，包括一基底；多个字元线结构，其设置于该基底中；一掩埋导电层，其包括：一底部，其设置于该基底中及该些字元线结构之间；及一顶部，其设置于该基底中、该底部上以及该些字元线结构之间；及一凹槽内间隙壁，其设置于该基底中及该些字元线结构之间，并围绕该底部，且被该顶部覆盖。该顶部的一顶面、该基底的一顶面与该些字元线结构的顶面实质上共平面。该凹槽内间隙壁的一底面与该底部的一底面实质上共平面。该凹槽内间隙壁的一侧壁与该顶部的一侧壁实质上共平面。
2、由于本公开的半导体元件的设计，可以通过使用凹槽内间隙壁来减小掩埋导电层附近的电场。因此，由于电场减小，可以减少栅极引起的漏极泄漏。据此，半导体元件的性能将得以提升。
3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了
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1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该底部衬垫层与该顶部衬垫层包括sp2混成碳原子的材料。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该字元线覆盖层包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅或氧化锗。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该字元线介电层包括高k材料。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该底部导电层包括钛、氮化钛、硅、硅锗或其组合。
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该中间导电层包括钨、氮化钨或其组合。
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该顶部导电层
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该底部的底面的宽度与该顶部的顶面的宽度的宽度比介于约0.5与约0.95之间。
14.如权利要求12所述的半导体元件，其中该凹槽内间隙壁的厚度与该顶部的顶面的宽度的比率介于约0.025和约0.25之间。
15.如权利要求12所述的半导体元件，其中该凹槽内间隙壁的高度与该掩埋导电层的高度的高度比介于约0.5和约0.85之间。
16.如权利要求12所述的半导体元件，其中该凹槽内间隙壁在一俯视视角下包括一方环形截面轮廓。
17.如权利要求12所述的半导体元件，其中该掩埋导电层在一俯视视角下包括一方形截面轮廓。
18.如权利要求12所述的半导体元件，其中该底部衬垫层与该顶部衬垫层包括相同材料。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述多个字元线结构分别还包括：
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该底部衬垫层与该顶部衬垫层包括sp2混成碳原子的材料。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该字元线覆盖层包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅或氧化锗。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该字元线介电层包括高k材料。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该底部导电层包括钛、氮化钛、硅、硅锗或其组合。
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡镇宇，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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