【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测器制备，尤其涉及一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法。
技术介绍
1、光刻是制造半导体器件中非常关键的一个步骤，它涉及到将掩模上的图案转移到光刻胶上。当光线透过掩模照射到光刻胶上时，光刻胶会根据是否暴露于光下来改变其性质，进而可以通过化学处理(如显影)去除掉暴露的部分，从而留下所需的图案。
2、对于面阵规格(即由多个像素单元组成的阵列)的红外探测器，像素间的隔离对暗电流有着较大的影响，暗电流是指没有外部信号输入时，设备内部产生的电流，这对于红外探测器来说是一个不希望有的噪声源。改善像素单元之间的隔离，特别是侧壁的质量，可以降低暗暗电流的水平，从而提高探测器的整体性能。
3、为了形成面阵规格红外探测器的像素单元，通常会使用干法刻蚀技术来实现台面结构的成型。干法刻蚀是一种可以精确控制材料去除的技术，适用于需要高精度图案化的应用。然后，通过等离子体增强化学气相沉积(pe-cvd)技术在台面结构的侧壁上形成一层钝化膜，以减少表面缺陷并进一步降低暗电流。此外，还需要在台面的顶部开口以便于后续的电极接触。
4、然而，在上述过程中，当紫外光穿过狭缝进行曝光时，会在光刻胶上产生衍射效应，导致掩膜边缘出现不规则的纹路。这些纹路在后续的干法刻蚀步骤中会被放大，导致台面表面变得不平整，并增加了侧壁的表面积。这样的结果不仅会增加暗电流，还会影响钝化层的质量，进而影响最终的像素性能。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种深台面结构侧壁光滑成型的厚
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、提供一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，包括：
4、使用旋涂设备在芯片表面涂覆一层均匀致密的正性光刻胶；
5、前烘：将涂覆好光刻胶的所述芯片放置在第一温度环境下进行烘烤；
6、将所述前烘后的所述芯片放置在接触式光刻机样品台上并放置好掩膜版，调节wec至合适位置后进行曝光；
7、后烘：将所述曝光后的所述芯片放置在所述第一温度环境下进行烘烤；
8、显影：配置合适的显影液，将所述后烘后的所述芯片放置在显影液中用于去除感光后的部分，完成台面掩膜的成型；
9、采用梯度升温的方式，对所述显影后的所述芯片进行坚膜工艺处理。
10、在第一种可能的实现方式中，所述的采用梯度升温的方式，对所述显影后的所述芯片进行坚膜工艺处理，包括：
11、将所述显影后的所述芯片放置在第二温度环境下进行第一设定时间的初始坚膜处理；
12、分别在第三温度、第四温度和第五温度的环境下各进行第二设定时间的坚膜处理；
13、所述第二温度小于所述第一温度；所述第二温度、第三温度、第四温度和第五温度依次递增。
14、基于第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一温度配置为110℃；
15、所述的采用梯度升温的方式，对所述显影后的所述芯片进行坚膜工艺处理，包括：
16、将所述显影后的所述芯片放置在100℃环境下进行第一设定时间的初始坚膜处理；
17、分别在110℃、120℃和140℃的环境下各进行第二设定时间的坚膜处理。
18、基于第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一设定时间大于所述第二设定时间。
19、基于第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述第一设定时间配置为10min，所述第二设定时间配置为5min。
20、在第五种可能的实现方式中，在所述前烘步骤之前，进行如下步骤：
21、在黄光显微镜下检查光刻胶层，确保其均匀致密且无杂质和气泡；
22、使用手术刀去除所述芯片边缘多余的光刻胶。
23、基于任一种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，光刻胶配置为az4620型光刻胶。
24、本申请通过前烘去除光刻胶中的溶剂，使光刻胶固化，从而增强其对基底的附着力，并且减少在后续处理中的膨胀和收缩，光刻胶变得更加坚固，可以更好地承受后续的曝光和显影过程，提高图形的分辨率和保真度；在曝光之后进行后烘，加速光刻胶中感光剂的化学反应，确保曝光区域和非曝光区域之间的差异最大化，改善图形的质量，减少显影时图形的边缘模糊现象；进一步通过梯度升温的坚膜工艺，增强光刻胶的硬度，尤其是改善侧壁质量，减少侧壁的粗糙度，有助于提高钝化层的附着质量，从而提升红外探测器的性能。
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1.一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
7.根据权利要求1-6任一项所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的深台面结构侧壁光滑成型的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓乾，倪宇鹏，李景峰，任昂，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：
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