【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、扫描声学显微镜用于在半导体工业中非破坏性地检查键合晶片对、晶片对、条带、单个化的封装和各种微电子样品类型，以检查样品内部的缺陷，典型地检查内部界面处的缺陷。这些缺陷可以是空气型缺陷。在大于约500khz的频率下的超声检查需要耦合剂，以便超声从超声换能器传播到样品并再次返回。水是合适的耦合剂，因为它具有理想的衰减特性，并且在半导体设施中容易以去离子(di)水或反渗透(ro)水或两者的形式获得。可以通过卡盘将受检查的晶片或样品保持在适当位置。
2、在使用水浴系统和“起泡器”系统的情况下，在检查期间和之后，大量的水存在于样品的表面和边缘上，允许水在晶片之间流动或芯吸到晶片之间或者进入所存在的任何通道或腔中。
3、因此，由于水被通常用作耦合剂，所以需要在检查期间限制水接触使得水不进入晶片的内部，并且需要加速干燥时间。这也适用于所使用的任何流体或液体或耦合剂，因为过量的耦合剂可能对受检查的晶片具有类似的有害影响。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一区段包括两个或更多个区域，所述第一区段的每个区域具有所述一个或多个第一真空入口中的一个或多个相关联的第一真空入口。
3.如权利要求1所述的设备，其中，所述第二区段包括其内具有腔的结构性环构件。
4.如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个第二真空入口的抽吸力超过耦合剂在所述物品上的芯吸力。
5.如权利要求1所述的设备，还包括一个或多个真空发生器，其被构造成控制所述一个或多个第二真空入口中的一个或多个的操作状态。
6.如权利要求1所述的设备，还包括一个或多个真空发生器，其被构造成控制所述一个或多个第一真空入口中的一个或多个的操作状态。
7.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一真空入口中的每一个与所述第二真空入口中的每一个独立地操作。
8.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一区段具有适合于支撑多个键合晶片直径的尺寸。
9.如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个区域包括与所述第一真空入口不同的部分。
1
11.一种设备，包括：
12.如权利要求11所述的设备，其中，沿着所述物品的所述周界的所述抽吸抑制耦合剂进入所述物品的边缘部分中或所述物品下方。
13.如权利要求11所述的设备，其中，所述第二区段包括其内具有腔的结构性环构件。
14.如权利要求11所述的设备，其中，所述一个或多个真空入口的抽吸力超过耦合剂在所述物品上的芯吸力。
15.如权利要求11所述的设备，其中，所述一个或多个真空入口的抽吸力抑制耦合剂进入到所述物品的边缘表面。
16.一种方法，包括：
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述物品的所述第一部分是平坦表面，并且其中，所述物品的所述第二部分是环形表面。
18.如权利要求16所述的方法，还包括：
19.如权利要求16所述的方法，还包括：
20.如权利要求16所述的方法，其中，所述物品是晶片。
21.如权利要求16所述的方法，其中，所述第二真空入口提供超过芯吸力的抽吸力。
...【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一区段包括两个或更多个区域，所述第一区段的每个区域具有所述一个或多个第一真空入口中的一个或多个相关联的第一真空入口。
3.如权利要求1所述的设备，其中，所述第二区段包括其内具有腔的结构性环构件。
4.如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个第二真空入口的抽吸力超过耦合剂在所述物品上的芯吸力。
5.如权利要求1所述的设备，还包括一个或多个真空发生器，其被构造成控制所述一个或多个第二真空入口中的一个或多个的操作状态。
6.如权利要求1所述的设备，还包括一个或多个真空发生器，其被构造成控制所述一个或多个第一真空入口中的一个或多个的操作状态。
7.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一真空入口中的每一个与所述第二真空入口中的每一个独立地操作。
8.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一区段具有适合于支撑多个键合晶片直径的尺寸。
9.如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个区域包括与所述第一真空入口不同的部分。
10.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：YS·关，J·C·P·麦克安，P·I·J·基顿，M·L·赖特，
申请(专利权)人：SONIX公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。