层叠体、层叠体的制造方法及连接结构体的制造方法技术

技术编号：43962810 阅读：13 留言：0更新日期：2025-01-07 21:47

一种层叠体(1)，其具备第一基材(2)、设置在该第一基材(2)上的电路连接用黏合剂膜(3)及设置在该黏合剂膜(3)上的第二基材(4)，其中，将第一基材(2)相对于所述黏合剂膜(3)的密合强度设为P1，将第二基材(4)相对于黏合剂膜(3)的密合强度设为P2时，P1/P2为0.25～0.80。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种层叠体、层叠体的制造方法及连接结构体的制造方法。

技术介绍

1、以往，例如使用了对相对的电路部件进行加热及加压并将加压方向的电极之间电连接的黏合剂膜。作为这种电路连接用途的黏合剂膜，例如已知有在黏合剂中分散有导电粒子的电路连接用黏合膜(例如，参考下述专利文献1～4)。

2、最近，即使在将驱动ic等半导体芯片以面朝下的方式直接安装在lcd面板或印刷线路板的情况下，也采用了将半导体芯片直接安装在基板的所谓玻璃上芯片技术(cog)安装方式来代替以往的引线接合法。在此，也使用电路连接用黏合剂膜作为电路连接材料。

3、以往技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开昭60-191228号公报

6、专利文献2：日本特开平1-251787号公报

7、专利文献3：日本特开平7-90237号公报

8、专利文献4：日本特开2019-104869号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、在量产现场，电路连接用黏合剂膜例如有时以卷轴的形态开放放置，有时会因干燥而劣化，贴附性恶化。并且，为了防止该干燥劣化，还研究了在黏合剂膜的两面上层叠基材而形成层叠体。这种层叠体的基材在搬运时有时会因轻微的冲击而剥离，在将层叠体切割适合使用的尺寸时也会剥离。并且，即使在使用时，在除去基材时也会产生黏合剂膜的一部分转印到基材上，成为不能用作产品的状态的不良情况。

3、本专利技术的一个

4、用于解决技术课题的手段

5、本专利技术的一些方面提供以下所示的[1]至[9]。

6、[1]一种层叠体，其具备第一基材、设置在该第一基材上的电路连接用黏合剂膜及设置在该黏合剂膜上的第二基材，其中，将所述第一基材相对于所述黏合剂膜的密合强度设为p1，将所述第二基材相对于所述黏合剂膜的密合强度设为p2时，p1/p2为0.25～0.80。

7、[2]根据[1]所述的层叠体，其中，所述黏合剂膜是含有导电粒子的导电性黏合剂膜。

8、[3]根据[2]所述的层叠体，其中，所述黏合剂膜具有含有导电粒子的第一黏合剂层及不含有导电粒子的第二黏合剂层。

9、[4]根据[3]所述的层叠体，其中，所述第一基材与所述第一黏合剂层相邻，所述第二基材与所述第二黏合剂层相邻。

10、[5]根据[1]至[4]中任一个所述的层叠体，其中，所述黏合剂膜含有热反应性成分及固化剂。

11、[6]根据[1]至[5]中任一个所述的层叠体，其中，所述密合强度p1为0.5～15n/m，所述密合强度p2为1.5～30n/m。

12、[7]根据[1]至[6]中任一个所述的层叠体，其中，所述第一基材是与所述黏合剂膜相接的面进行了脱模处理的基材。

13、[8]一种层叠体的制造方法，所述具备层叠体第一基材、设置在该第一基材上的电路连接用黏合剂膜及设置在该黏合剂膜上的第二基材，所述层叠体的制造方法包括如下工序：以将所述第一基材相对于所述黏合剂膜的密合强度设为p1，将所述第二基材相对于所述黏合剂膜的密合强度设为p2时，p1/p2成为0.25～0.80的方式，准备所述第一基材、所述第二基材及所述黏合剂膜或用于形成所述黏合剂膜的材料；以及通过在所述第一基材和所述第二基材之间配置或形成所述黏合剂膜，得到所述层叠体。

14、[9]一种连接结构体的制造方法，所述连接结构体具备具有第一电极的第一电路部件、具有第二电极的第二电路部件及配置在所述第一电路部件和所述第二电路部件之间并且将所述第一电极和所述第二电极彼此电连接的连接部，其中，所述连接结构体的制造方法包括如下工序：从根据[1]至[7]中任一个所述的层叠体中除去所述第一基材，以所述黏合剂膜的与所述第一基材相接的面和所述第一电路部件的设置有所述第一电极的面相接的方式，在所述第一电路部件上配置所述层叠体的剩余部分；从所述层叠体的剩余部分中除去所述第二基材，以所述黏合剂膜的与所述第二基材相接的面和所述第二电路部件的设置有所述第二电极的面相接的方式，在所述黏合剂膜上配置所述第二电路部件；以及将所述第一电路部件和所述第二电路部件热压接，使所述第一电极和所述第二电极彼此电连接。

15、专利技术效果

16、根据本专利技术的一个方面，可以提供一种层叠体，该层叠体抑制由电路连接用黏合剂膜的干燥引起的劣化，并且不易产生搬运时和切割时的基材的剥离以及在使用时剥离基材时的不良情况。并且，根据本专利技术的一些其他方面，提供一种上述层叠体的制造方法及使用了上述层叠体的连接结构体的制造方法。

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【技术保护点】

1.一种层叠体，其具备第一基材、设置在该第一基材上的电路连接用黏合剂膜及设置在该黏合剂膜上的第二基材，其中，

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，

3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，

4.根据权利要求3所述的层叠体，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的层叠体，其中，

8.一种层叠体的制造方法，所述层叠体具备第一基材、设置在该第一基材上的电路连接用黏合剂膜及设置在该黏合剂膜上的第二基材，其中，所述层叠体的制造方法包括如下工序：

9.一种连接结构体的制造方法，所述连接结构体具备具有第一电极的第一电路部件、具有第二电极的第二电路部件及配置在所述第一电路部件和所述第二电路部件之间并且将所述第一电极和所述第二电极彼此电连接的连接部，其中，所述连接结构体的制造方法包括如下工序：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种层叠体，其具备第一基材、设置在该第一基材上的电路连接用黏合剂膜及设置在该黏合剂膜上的第二基材，其中，

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，

3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，

4.根据权利要求3所述的层叠体，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠体，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的层...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎裕太，富坂克彦，市村刚幸，高山群基，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：

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