【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体存器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存储器(dynamicrandomaccess memory，dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式闸极结构的dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的dram单元。一般来说，具备凹入式闸极结构的dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储组件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术的缘故，现有具备凹入式闸极结构的dram单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器组件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制备方法，以提高半导体器件的效能及可靠度。
2、第一方面，为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的制作方法，至少可以包括：
3、提供基底，包括第一区和第二区；
4、形成堆叠结构层位于所述第一区和所述第二区上，所述堆叠结构层至下而上包括层叠设置的支撑堆叠层和第一掩膜层；
5、形成通孔位于所述第一区内，且所述通孔贯穿所述堆叠结构层；
6、形成下电极位于所述通孔的内表面上，并横向延伸覆盖在所述第二区的所述第一掩膜层上；
7、形成第二掩膜层位于所述第一区和所述第二区的所述下电极上
8、移除所述第二区上的所述第二掩膜层、部分所述下电极及部分所述第一掩膜层，以使得临近所述第二区的至少一所述通孔的两侧壁上的下电极的顶面处于不同水平高度。
9、可选的，移除所述第二区上的所述下电极的步骤，可包括：
10、形成具有第一开口的第一光阻层位于所述第二掩膜层上，所述第一开口露出所述第一区上的所述第二掩膜层的部分顶面和所述第二区上的所述第二掩膜层的顶面；
11、以所述第一光阻层为掩膜，去除与所述第一开口对应的所述第二掩膜层、所述部分下电极及所述部分第一掩膜层，以露出所述第二区上的所述支撑堆叠层及与其相邻的所述通孔侧壁上的下电极。
12、可选的，在移除所述第二区上的所述下电极后，还可包括：
13、去除所述第一区上的所述第一光阻层和其下方的第二掩膜层，以露出所述第一区上的所述下电极。
14、可选的，与所述第二区上的所述支撑堆叠层相邻的所述通孔具有相对的第一侧壁和第二侧壁，位于所述第一侧壁上的所述下电极与所述第一区上的所述堆叠结构层直接接触，位于所述第二侧壁上的所述下电极与所述第二区上的所述支撑堆叠层直接接触。
15、可选的，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
16、可选的，所述支撑堆叠层可包括自下而上依次层叠的第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层和第二支撑层。
17、可选的，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还可包括：
18、去除相邻所述通孔之间的所述支撑堆叠层上的下电极及其下方的所述第一掩膜层。
19、可选的，在去除相邻所述通孔之间的所述支撑堆叠层上的所述下电极及其下方的所述第一掩膜层的步骤中，还同步去除了与所述第二区上的所述支撑堆叠层相邻的所述通孔的所述第二侧壁上的下电极的部分高度。
20、可选的，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还可包括：
21、形成第三掩膜层位于所述第一区和所述第二区上；
22、形成具有第二开口的第二光阻层位于所述第一区上的所述第三掩膜层，所述第二开口露出所述第一区中的所述第三掩膜层的部分顶面。
23、可选的，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还可包括：
24、以所述第二光阻层为掩膜，去除与所述第二开口对应的所述第三掩模层和所述支撑堆叠层中的所述第一支撑层和所述第二支撑层。
25、可选的，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还可包括：
26、去除所述第一区和所述第二区中所述支撑堆叠层中的第二牺牲层和第一牺牲层。
27、可选的，在移除所述第二区上的所述第二掩膜层、所述下电极及所述第一掩膜层后，还可包括：
28、形成金属氧化物层位于所述下电极上，形成上电极位于所述金属氧化物上。
29、第二方面，基于相同的专利技术构思，本专利技术还提高了一种半导体器件，至少可包括：
30、基底，包括第一区和第二区；
31、支撑结构，包括位于所述第一区的第一支撑结构和位于所述第二区的第二支撑结构，所述第二支撑结构的长度大于所述第一支撑结构；
32、多个下电极，位于所述基底的所述第一区上，且与所述第二区上的所述第二支撑结构相接触的所述下电极的至少部分顶面低于其余所述下电极的顶面。
33、可选的，所述半导体器件，还可包括：
34、金属氧化物层，位于所述多个下电极上；
35、上电极，位于所述金属氧化物层上。
36、可选的，与所述第二区上的所述第二支撑结构相接触的所述下电极具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第二侧壁接触所述第二支撑结构，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
37、可选的，与所述第二区上的所述第二支撑结构相接触的所述下电极可位于其余所有所述下电极的同一侧。
38、可选的，所述下电极包括圆筒状或柱状。
39、第三方面，基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种半导体器件，至少可包括：
40、基底；
41、多个下电极位于所述基底上，其中一所述下电极的至少部分顶面低于其余所有所述下电极且位于所有所述下电极的同一侧。
42、可选的，所述半导体器件，还可包括：
43、金属氧化物层，位于所述多个下电极上；
44、上电极，位于所述金属氧化物层上。
45、可选的，所述一下电极具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第二侧壁位于远离其余所述下电极的一侧，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
46、在本专利技术中，通过在去除第二区中堆叠的第二掩膜层和第一掩膜层时，同步去除了临近所述第二区的至少一通孔的一侧壁上的下电极的部分高度，使得形成的半导体器件中所包含的多个下电极的其中至少一个下电极的顶面低于其余下电极的顶面，即形成的半导体器件中的下电极之间具有沿垂直方向上的高度差，提高了半导体器件的效能及可靠度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，移除所述第二区上的所述下电极的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在移除所述第二区上的所述下电极后，还包括：
4.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，与所述第二区上的所述支撑堆叠层相邻的所述通孔具有相对的第一侧壁和第二侧壁，位于所述第一侧壁上的所述下电极与所述第一区上的所述堆叠结构层直接接触，位于所述第二侧壁上的所述下电极与所述第二区上的所述支撑堆叠层直接接触。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述支撑堆叠层包括自下而上依次层叠的第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层和第二支撑层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还包括：
8.如权
9.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还包括：
11.如权利要求10所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还包括：
12.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在移除所述第二区上的所述第二掩膜层、所述下电极及所述第一掩膜层后，还包括：
13.一种半导体器件，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
15.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，与所述第二区上的所述第二支撑结构相接触的所述下电极具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第二侧壁接触所述第二支撑结构，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
16.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，与所述第二区上的所述第二支撑结构相接触的所述下电极位于其余所有所述下电极的同一侧。
17.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极包括圆筒状或柱状。
18.一种半导体器件，其特征在于，包括：
19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
20.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述一下电极具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第二侧壁位于远离其余所述下电极的一侧，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，移除所述第二区上的所述下电极的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在移除所述第二区上的所述下电极后，还包括：
4.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，与所述第二区上的所述支撑堆叠层相邻的所述通孔具有相对的第一侧壁和第二侧壁，位于所述第一侧壁上的所述下电极与所述第一区上的所述堆叠结构层直接接触，位于所述第二侧壁上的所述下电极与所述第二区上的所述支撑堆叠层直接接触。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，位于所述第一侧壁上的所述下电极的顶面高于位于所述第二侧壁上的所述下电极的顶面。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述支撑堆叠层包括自下而上依次层叠的第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层和第二支撑层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在去除相邻所述通孔之间的所述支撑堆叠层上的所述下电极及其下方的所述第一掩膜层的步骤中，还同步去除了与所述第二区上的所述支撑堆叠层相邻的所述通孔的所述第二侧壁上的下电极的部分高度。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述第一区上的所述第二掩膜层后，还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：许培育，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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