单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法技术

技术编号：43958753 阅读：2 留言：0更新日期：2025-01-07 21:43

提供一种单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法。单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的设计方法包括：选定4μm作为光学薄膜设计1/4波长膜厚的参考波长，使用膜堆公式：Sub/0.03Q/0.3H/0.4L/H/L/0.15H/AIR，Sub为单晶氟化钙基底，AIR代表空气，H代表1/4波长厚度的ZnS，L代表1/4波长厚度的YF<subgt;3</subgt;；Q代表1/4波长厚度的Y<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;；软件对膜厚优化，得到最佳的膜厚，优化后的单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm波段的透过率符合要求；将优化后的膜厚输入镀膜机的控制电脑。单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的制备方法包括：S1，镀前清洁及膜料准备；S2，膜系工艺参数配置；S3，抽真空烘烤以及膜料预熔恒温；S4，离子源清洗；S5，膜层镀制及监控；S6，镀后恒温保持；S7，降温取件；S8，重复步骤S1至步骤S7，第二面镀制。

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【技术实现步骤摘要】

本公开涉及红外镀膜，更具体地涉及一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法。

技术介绍

1、单晶氟化钙作为一种优良的透光材料，在红外光学领域有着广泛的应用。然而，由于其本身的折射率较高，导致在特定波段的透光率不足，限制了其在一些高精度光学系统中的应用。因此，如何提高单晶氟化钙在3.7-4.8μm波段的透光率，成为了光学薄膜领域亟待解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法，其能够使得设计和制备得到的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的透过率符合要求。

2、本公开的另一目的在于提供一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法，其能够提高整体膜系的附着性以及稳定性。

3、由此，一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法包括步骤：sa，选定4μm作为光学薄膜设计1/4波长膜厚的参考波长，使用膜堆公式：sub/0.03q/0.3h/0.4l/h/l/0.15h/air，其中，sub为单晶氟化钙基底，air代表空气，h代表1/4波长厚度的高折射率材料zns(硫化锌)，l代表1/4波长厚度的低折射率材料yf3(氟化钇)；q代表1/4波长厚度的膜层打底材料y2o3(氧化钇)；sb，通过设计软件对膜层膜厚进行计算优化，得到最佳的膜层的膜厚，优化后的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm波段的透过率符合要求；sc，将

4、一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法包括步骤：s1，镀前针对作为镜片的单晶氟化钙基底的陪镀片和产品进行清洁及zns、yf3、y2o3三种膜料准备工作；s2，膜系工艺参数配置，膜系工艺参数配置包括最佳的膜层的膜厚、膜料的蒸镀模式、膜料的沉积速率、离子源辅助沉积的使用，膜系工艺参数中的膜层的厚度基于前述的存储在镀膜机的控制电脑中的最佳的膜层的膜厚；s3，清洁处理好的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入镀膜机的腔体内，抽真空烘烤以及膜料预熔放气除杂与恒温；s4，离子源清洗镜片；s5，膜层镀制及监控，依照步骤s2的膜系参数工艺配置针对镜片的第一面进行膜层的镀制；s6，镀后恒温保持；s7，降温取件；s8，重复步骤s1至步骤s7，针对镜片的第二面进行膜层镀制。

5、本公开的有益效果如下。

6、在根据本公开的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法中，通过采用y2o3、zns、yf3三种膜料、zns、yf3作为高低折射率材料、与单晶氟化钙基底结合选用y2o3做作为打底层材料、zns和yf3形成交替的第二层至第六层，能够使得设计得到的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的透过率符合要求。

7、在根据本公开的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法中，通过与单晶氟化钙基底结合选用y2o3做作为打底层材料，在y2o3、zns、yf3三种膜料构成的膜系与单晶氟化钙基底满足3.7-4.8μm的透过率符合要求的情况下，能够提高整体膜系的附着性和稳定性。

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【技术保护点】

1.一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，

4.一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

5.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求4所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

10.根据权利要求4所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

11.根据权利要求4所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的设计方法，其特征在于，

4.一种单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

5.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8μm增透薄膜的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的单晶氟化钙基底3.7-4.8...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宇轩，刘克武，王振，李满仕，尹士平，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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