System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 用于光刻的具有键合的掺杂剂的底层制造技术_技高网

用于光刻的具有键合的掺杂剂的底层制造技术

技术编号:43953355 阅读:1 留言:0更新日期:2025-01-07 21:39
公开的示例涉及使用极紫外光(EUV)吸收光电子发射掺杂剂,该掺杂剂键合至用于光致抗蚀剂的供氢光敏感底层中的原子。一示例提供在衬底上形成供氢光敏感底层的方法。该方法包括将该衬底暴露于掺杂剂前体和烃前体,该掺杂剂前体包括键合在含碳可聚合分子内的极紫外光(EUV)吸收光电子发射掺杂剂。该方法还包括将该衬底暴露于由等离子体形成的自由基物质。该方法还包括通过该掺杂剂前体以及该烃前体与该自由基物质的反应,由该掺杂剂前体和该烃前体在该衬底上形成供氢光敏感底层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、在光刻中,光致抗蚀剂用于将光图案转移到衬底上且形成图案化涂层。首先,在衬底上涂敷一层光敏感光致抗蚀剂材料。然后,使用图案化掩模,将光致抗蚀剂的未遮蔽区域暴露于光。暴露会增强负型光致抗蚀剂或劣化(degrade)正型光致抗蚀剂。接下来,使用显影剂去除负型光致抗蚀剂的遮蔽区域,或正型光致抗蚀剂的劣化区域。剩下的光致抗蚀剂材料在衬底上形成图案化涂层。例如,图案化涂层可用于选择性地保护衬底的涂覆区域免受后续沉积或蚀刻工艺的影响。


技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
,以利用简化的形式来介绍概念的选择,其将在以下的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不意图识别所要求保护的主题的关键特征或基本特征,也不意图用于限制所要求保护的主题的范围。此外,所要求保护的主题不限于解决本公开内容的任何部分中所提到的任何或所有缺点的实现方案。

2、公开的示例涉及使用极紫外光(euv)吸收光电子发射掺杂剂,其键合至用于光致抗蚀剂的供氢光敏感底层中的原子。

3、一示例提供在衬底上形成光敏感底层的方法。所述方法包括:将所述衬底暴露于掺杂剂前体和烃前体,所述掺杂剂前体包括键合在含碳可聚合分子内的极紫外光(euv)吸收光电子发射掺杂剂。所述方法还包括:将所述衬底暴露于自由基物质。所述方法还包括:通过所述掺杂剂前体以及所述烃前体与所述自由基物质的反应,由所述掺杂剂前体和所述烃前体在所述衬底上形成供氢光敏感底层。

4、在一些这样的示例中,将所述衬底暴露于所述自由基物质包括:通过离子屏蔽和辐射屏蔽入口将所述自由基物质从远程等离子体引入到包括所述衬底的处理室中。

5、在一些这样的示例中,附加地或替代地,将所述掺杂剂前体在所述离子屏蔽和辐射屏蔽入口的离子屏蔽和辐射屏蔽结构的下游引入。

6、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述含碳可聚合分子包括碳-碳双键、碳-碳三键、或环状基团中的一或更多者。

7、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述方法还包括在将所述衬底暴露于所述烃前体之前,将所述烃前体与含氢气体混合。

8、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述掺杂剂前体包括含碘掺杂剂前体。

9、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述含碘掺杂剂前体包括碘乙炔或3-碘丙烯中的一或更多者。

10、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述掺杂剂前体包括含锡掺杂剂前体。

11、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述含锡掺杂剂前体包括二甲基锡(ii)、二乙基锡(ii)、四乙烯基锡(iv)、或二甲基(二乙烯基)锡(iv)中的一或更多者。

12、在一些这样的示例中,附加地或替代地,以标准立方厘米每分钟(sccm)为单位的烃前体气体流量比以sccm为单位的掺杂剂前体气体流量的比率在2:1至100:1的范围内。

13、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述方法还包括控制衬底加热器,以加热至100℃至300℃的范围内的温度。

14、另一示例提供了一种设置在衬底上的图案化堆叠件。所述图案化堆叠件包括光致抗蚀剂层。所述图案化堆叠件还包括供氢光敏感底层,其设置在所述光致抗蚀剂层和所述衬底之间。所述供氢光敏感底层包括极紫外光(euv)吸收光电子发射掺杂剂,所述极紫外光吸收光电子发射掺杂剂键合至所述供氢光敏感底层中的原子上。

15、在一些这样的示例中,所述供氢光敏感底层包括碳化硅。

16、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述供氢光敏感底层包含聚合物。

17、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述euv吸收光电子发射掺杂剂包括in、sn、sb、te或i中的一或更多者。

18、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述光致抗蚀剂层包括极紫外光(euv)光致抗蚀剂。

19、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述euv光致抗蚀剂包括锡基金属氧化物光致抗蚀剂。

20、另一示例提供了一种处理工具。所述处理工具包括处理室。所述处理工具还包括等离子体产生器。所述处理工具还包括射频电源,其被配置成向所述等离子体产生器提供射频功率。所述处理工具还包括流动控制硬件,其被配置成控制进入所述处理室和进入所述等离子体产生器的气体流动。所述处理工具还包括逻辑子系统;以及储存子系统,其包括指令,所述指令能由所述逻辑子系统执行以:控制所述流动控制硬件,以将掺杂剂前体和烃前体引入到所述处理室中,所述掺杂剂前体包括极紫外光(euv)吸收光电子发射掺杂剂,所述极紫外光(euv)吸收光电子发射掺杂剂键合在含碳可聚合分子内。所述指令还能执行以控制所述流动控制硬件,以将惰性气体引入到所述等离子体产生器中。所述指令还能执行以控制所述射频电源,以在所述等离子体产生器中形成等离子体。所述指令还能执行以控制所述流动控制硬件,以将自由基物质前体引入到所述等离子体产生器中。

21、在一些这样的示例中,所述处理工具还包括掺杂剂前体气体源,其中所述掺杂剂前体气体源包括含碘掺杂剂前体或含锡掺杂剂前体中的一或更多者。

22、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述处理工具还包括离子屏蔽和辐射屏蔽入口,所述离子屏蔽和辐射屏蔽入口将所述等离子体产生器和所述处理室连接。

23、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述指令能执行以控制所述流动控制硬件,从而使所述烃前体流动且使所述掺杂剂前体流动,其中气体流量比在2sccm:1sccm到10sccm:1sccm的范围内。

24、在一些这样的示例中,附加地或替代地,所述处理工具还包括衬底加热器,且所述指令还能执行以控制所述衬底加热器,以加热到100℃至300℃的范围内的温度。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在衬底上形成光敏感底层的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述衬底暴露于所述自由基物质包括:通过离子屏蔽和辐射屏蔽入口将所述自由基物质从远程等离子体引入到包括所述衬底的处理室中。

3.根据权利要求2所述的方法,其中将所述掺杂剂前体在所述离子屏蔽和辐射屏蔽入口的离子屏蔽和辐射屏蔽结构的下游引入。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述含碳可聚合分子包括碳-碳双键、碳-碳三键、或环状基团中的一或更多者。

5.根据权利要求1所述的方法,其还包括在将所述衬底暴露于所述烃前体之前,将所述烃前体与含氢气体混合。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂剂前体包括含碘掺杂剂前体。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述含碘掺杂剂前体包括碘乙炔或3-碘丙烯中的一或更多者。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂剂前体包括含锡掺杂剂前体。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述含锡掺杂剂前体包括二甲基锡(II)、二乙基锡(II)、四乙烯基锡(IV)、或二甲基(二乙烯基)锡(IV)中的一或更多者。

10.根据权利要求1所述的方法,其中以标准立方厘米每分钟(sccm)为单位的烃前体气体流量比以sccm为单位的掺杂剂前体气体流量的比率在2:1至100:1的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法,其还包括控制衬底加热器,以加热至100℃至300℃的范围内的温度。

12.一种设置在衬底上的图案化堆叠件,所述图案化堆叠件包括:

13.根据权利要求12所述的图案化堆叠件,其中所述供氢光敏感底层包括碳化硅。

14.根据权利要求12所述的图案化堆叠件,其中所述供氢光敏感底层包括碳基聚合物。

15.根据权利要求12所述的图案化堆叠件,其中所述极紫外光吸收光电子发射掺杂剂包括In、Sn、Sb、Te或I中的一或更多者。

16.根据权利要求12所述的图案化堆叠件,其中所述光致抗蚀剂层包括极紫外光(EUV)光致抗蚀剂。

17.根据权利要求16所述的图案化堆叠件,其中所述EUV光致抗蚀剂包括锡基金属氧化物光致抗蚀剂。

18.一种处理工具,其包括:

19.根据权利要求18所述的处理工具,其还包括掺杂剂前体气体源,其中所述掺杂剂前体气体源包括含碘掺杂剂或含锡掺杂剂中的一或更多者。

20.根据权利要求18所述的处理工具,其还包括离子屏蔽和辐射屏蔽入口,所述离子屏蔽和辐射屏蔽入口将所述等离子体产生器和所述处理室连接。

21.根据权利要求18所述的处理工具,其中所述指令能执行以控制所述流动控制硬件,从而使所述烃前体流动且使所述掺杂剂前体流动,其中气体流量比在2sccm:1sccm到10sccm:1sccm的范围内。

22.根据权利要求18所述的处理工具,其还包括衬底加热器,且其中所述指令还能执行以控制所述衬底加热器,以加热到100℃至300℃的范围内的温度。

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种在衬底上形成光敏感底层的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述衬底暴露于所述自由基物质包括:通过离子屏蔽和辐射屏蔽入口将所述自由基物质从远程等离子体引入到包括所述衬底的处理室中。

3.根据权利要求2所述的方法,其中将所述掺杂剂前体在所述离子屏蔽和辐射屏蔽入口的离子屏蔽和辐射屏蔽结构的下游引入。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述含碳可聚合分子包括碳-碳双键、碳-碳三键、或环状基团中的一或更多者。

5.根据权利要求1所述的方法,其还包括在将所述衬底暴露于所述烃前体之前,将所述烃前体与含氢气体混合。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂剂前体包括含碘掺杂剂前体。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述含碘掺杂剂前体包括碘乙炔或3-碘丙烯中的一或更多者。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂剂前体包括含锡掺杂剂前体。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述含锡掺杂剂前体包括二甲基锡(ii)、二乙基锡(ii)、四乙烯基锡(iv)、或二甲基(二乙烯基)锡(iv)中的一或更多者。

10.根据权利要求1所述的方法,其中以标准立方厘米每分钟(sccm)为单位的烃前体气体流量比以sccm为单位的掺杂剂前体气体流量的比率在2:1至100:1的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法,其还包括控制衬底加热器,以加热至100℃至300℃的范围内的温度。

【专利技术属性】
技术研发人员:西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂巴德里·瓦拉达拉简阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉杜尔加拉克什米·A·辛格哈尔
申请(专利权)人:朗姆研究公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1