【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种版图修正方法、存储介质及终端。
技术介绍
1、集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimension，cd)，随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。
2、光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩模版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩模版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，为了解决所述问题可以对所述掩模版进行光学邻近修正(opticalproximity correction，opc)，所述光学邻近修正方法即为对所述光刻掩模版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。
3、然而，现有技术中光学邻近修正仍存在诸多问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种版图修正方法、存储介质及终端，以降低光学邻近修正的计算量，提升光学邻近修正效率。
2、为解决上述问题，本专利技术的技术方案提供一种版图修正方法，包括：提供初始版图，所述初
3、可选的，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理。
4、可选的，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理的方法包括：在每次所述局部光学邻近修正之后，基于所述工艺因子阈值范围对所述初始版图进行判断处理，获取工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形；对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行所述局部光学邻近修正。
5、可选的，在每次所述局部光学邻近修正之后，还包括：对工艺因子位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行合并处理，获取掩模版图。
6、可选的，所述初始图形的工艺因子包括：所述初始版图的放置边缘误差。
7、可选的，所述初始图形的放置边缘误差的获取方法包括：获取所述初始图形相对的曝光图形；将所述曝光图形与相对应的初始图形进行对比，获取所述初始图形的放置边缘误差。
8、可选的，在进行第一次的所述局部光学邻近修正之前，还包括：对对所述初始版图进行整体光学邻近修正。
9、可选的，所述整体光学邻近修正包括：基于模型的光学邻近修正。
10、可选的，所述局部光学邻近修正包括：基于模型的光学邻近修正。
11、相应的，本专利技术技术方案中还提供一种存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任意一项技术方案所述方法的步骤。
12、相应的，本专利技术技术方案中还提供一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令，其特征在于，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任意一项技术方案所述方法的步骤。
13、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
14、本专利技术技术方案的版图修正方法中，通过所述工艺因子阈值范围对所述初始版图进行判断与分解，对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行所述局部光学邻近修正，有效降低光学邻近修正的计算量，提高光学邻近修正效率。
15、进一步，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理。即在每次所述局部光学邻近修正之前继续对若干所述初始图形进行分解，使得后一次的所述局部光学邻近修正的迭代计算量相较于前一次所述局部光学邻近修正的迭代计算量不断下降，进一步的降低光学邻近修正的计算量，提高光学邻近修正效率。
16、进一步，在进行第一次的所述局部光学邻近修正之前，还包括：对对所述初始版图进行整体光学邻近修正。通过先对所述初始版图进行整体光学邻近修正，能够初步的减少工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形的数量，进而使得后续的所述局部光学邻近修正的迭代次数减少。
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1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理。
3.如权利要求2所述的版图修正方法，其特征在于，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理的方法包括：在每次所述局部光学邻近修正之后，基于所述工艺因子阈值范围对所述初始版图进行判断处理，获取工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形；对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行所述局部光学邻近修正。
4.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，在每次所述局部光学邻近修正之后，还包括：对工艺因子位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行合并处理，获取掩模版图。
5.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述初始图形的工艺因子包括：所述初始版图的放置边缘误差。
6.如权利要求5所述的版图修正方法，其特征在于，所述初始图形的放置边缘误差的获取方法包括：获取所述初始图形相对的曝光图形；将
7.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，在进行第一次的所述局部光学邻近修正之前，还包括：对对所述初始版图进行整体光学邻近修正。
8.如权利要求7所述的版图修正方法，其特征在于，所述整体光学邻近修正包括：基于模型的光学邻近修正。
9.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述局部光学邻近修正包括：基于模型的光学邻近修正。
10.一种存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令运行时执行权利要求1～9任一项所述方法的步骤。
11.一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令，其特征在于，所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1～9任一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理。
3.如权利要求2所述的版图修正方法，其特征在于，每次所述局部光学邻近修正仅对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行处理的方法包括：在每次所述局部光学邻近修正之后，基于所述工艺因子阈值范围对所述初始版图进行判断处理，获取工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形；对工艺因子不位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行所述局部光学邻近修正。
4.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，在每次所述局部光学邻近修正之后，还包括：对工艺因子位于所述工艺因子阈值范围的所述初始图形进行合并处理，获取掩模版图。
5.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述初始图形的工艺因子包括：所述初始版图的放置边缘误差。
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：李彦江，任堃，高大为，吴永玉，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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