【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及存储器领域，并且涉及但不限于存储器装置的编程方法、存储器装置和存储器系统。
技术介绍
1、随着存储器装置收缩到较小的管芯尺寸以降低制造成本且增加存储密度，平面存储器单元的缩放由于工艺技术限制及可靠性问题而面临挑战。三维(3d)存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度和性能限制。
2、在3d nand存储器装置中，存储器阵列可以包括垂直布置在衬底上的多个存储串，每个存储串具有垂直堆叠的多个存储器单元。因此，可以大大增加每单位面积的存储密度。在3d nand存储器装置中，可以同时对共享相同字线的存储器单元进行编程和读取。
3、为了进一步增加3d nand存储器装置中的存储容量，可以以多级的方式对每一个存储器单元进行编程。例如，在多级单元闪存(multi-level cell，mlc)模式中，每一个存储器单元可以存储2比特数据。在三级单元闪存(triple-level cell，tlc)模式中，每一个存储器单元可以存储3比特数据。并且在四级单元闪存(quad-level cell，qlc)模式中，每一个存储器单元可以存储4比特数据。随着存储在每一个存储器单元中的比特数增加，对存储器装置进行编程所需的时间也增加。此外，当存储在存储器单元中的比特数增加时，读取裕度会减小。因此，需要一种用于对存储器单元进行有效地编程且在编程之后更准确地进行读取的方法。
技术实现思路
1、在本公开中描述了存储器装置的编程方法、存储器装置和存储器系统的实施方式。
2、
3、在一些实施方式中，所述方法还包括将目标编程状态划分为与n个第一编程状态相对应的n组。n组的划分基于由于第一和/或第二编程操作引起的目标编程状态的耦合偏移量。n组中的每一组对应于k个目标编程状态。
4、在一些实施方式中，执行第一编程操作包括根据n组执行第一编程操作，其中每一个存储器单元根据n组被编程到n个不同的第一编程状态中的相应一个第一编程状态。
5、在一些实施方式中，所述方法还包括当相邻目标编程状态的耦合偏移量在预定范围内时，将相邻目标编程状态分组在同一组中。
6、在一些实施方式中，所述方法还包括将耦合偏移量小于第一预设阈值的第一组相邻目标编程状态分组为第一组；将耦合偏移量大于或等于第一预设阈值但小于第二预设阈值的第二组相邻目标编程状态分组为第二组；以及将耦合偏移量大于或等于第二预设阈值的第三组相邻目标编程状态分组为第三组。
7、在一些实施方式中，所述方法还包括测量来自耦合到相邻字线的存储器单元的目标编程状态的耦合偏移量。
8、在一些实施方式中，所述方法还包括在执行第一编程操作之后，对每一个存储器单元执行第一验证操作以确定每一个存储器单元是否被编程到n个不同的第一编程状态中的相应一个第一编程状态。
9、在一些实施方式中，所述方法还包括在一个或多个循环中的每一个循环期间对每一个存储器单元执行第一编程操作，其中在一个或多个循环中的每一个循环之后，根据第一验证操作的结果确定是否进行到下一个循环。如果结果显示存储器单元通过第一验证操作，则停止第一编程操作。否则，第一编程操作进行到下一个循环，直到每一个存储器单元被编程到n个不同的第一编程状态中的相应一个第一编程状态。
10、在一些实施方式中，所述方法还包括使用n个不同的第一验证电压确定n个不同的第一编程状态。
11、在一些实施方式中，所述方法还包括在执行第二编程操作之后，对每一个存储器单元执行第二验证操作以确定每一个存储器单元是否被编程到目标编程状态，其中使用不同的第二验证电压来确定处于第i个第一编程状态的存储器单元的子集是否被编程到k个不同的目标编程状态。
12、在一些实施方式中，对应于第i个第一编程状态的相应第一验证电压小于用于验证k个目标编程状态的任何第二验证电压。
13、在一些实施方式中，每一个存储器单元是具有8个状态的三级存储单元(tlc)或具有16个状态的四级存储单元(qlc)。
14、本公开的另一方面公开了一种存储器装置，所述存储器装置包括具有存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置还包括外围电路，所述外围电路耦合到存储器阵列并且被配置为对存储器单元执行第一编程操作，使得每一个存储器单元被编程到n个不同的第一编程状态中的相应一个第一编程状态；其中n是大于1且小于m的正整数，并且m是存储器单元的目标编程状态的总数。外围电路还被配置为对处于第i个第一编程状态的存储器单元的子集执行第二编程操作，使得存储器单元的子集从第i个第一编程状态被编程到k个目标编程状态，其中k大于或等于1且小于n；并且i大于或等于1且小于或等于n。至少两个第一编程状态对应于不同的k值。
15、在一些实施方式中，在执行第一编程操作之后，外围电路还被配置为对每一个存储器单元执行第一验证操作以确定每一个存储器单元是否被编程到n个不同的第一编程状态中的相应一个第一编程状态。
16、在一些实施方式中，在执行第二编程操作之后，外围电路还被配置为对每一个存储器单元执行第二验证操作以确定每一个存储器单元是否被编程到目标编程状态，其中使用不同的第二验证电压来确定处于第i个第一编程状态的存储器单元的子集是否被编程到k个目标编程状态。
17、在一些实施方式中，每一个存储器单元是具有8个状态的三级存储单元(tlc)或具有16个状态的四级存储单元(qlc)。
18、根据本公开的说明书、权利要求书和附图，本领域技术人员可以理解本公开的其他方面。
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1.一种存储器装置的编程方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行第一编程操作包括根据所述N组的目标编程状态执行所述第一编程操作，其中，每一个所述存储器单元根据所述N组被编程到所述N个不同的第一编程状态中的所述相应一个第一编程状态。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.根据权利要求2所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，还包括：
10.根据权利要求7所述的方法，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，用于验证第i个第一编程状态的第i个第一验证电压小于用于验证第i组中的Ki个目标编程状态的所述第二验证电压中的任何一个第二验证电压。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
13.一种存储器装置的编程方法，包括：
14.根据权利要
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
16.根据权利要求14所述的方法，还包括：
17.根据权利要求13所述的方法，还包括：
18.根据权利要求13所述的方法，还包括：
19.根据权利要求13所述的方法，还包括：
20.根据权利要求13所述的方法，还包括：
21.根据权利要求13所述的方法，还包括：
22.一种存储器装置，包括：
23.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
24.根据权利要求23所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为根据所述N组的目标编程状态执行所述第一编程操作，其中，每一个所述存储器单元根据所述N组被编程到所述N个不同的第一编程状态中的所述相应一个第一编程状态。
25.根据权利要求24所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为当相邻目标编程状态的耦合偏移量在预定范围内时，将相邻目标编程状态分组在同一组中。
26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
27.根据权利要求23所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为通过测量受耦合到相邻字线的存储器单元的阈值电压影响的耦合到选定字线的存储器单元的阈值电压的变化来确定所述目标编程状态的所述耦合偏移量。
28.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为在执行所述第一编程操作之后执行第一验证操作以确定每一个所述存储器单元是否被编程到N个不同的第一编程态中的所述相应一个第一编程状态。
29.根据权利要求28所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
30.根据权利要求28所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为使用N个不同的第一验证电压来验证所述N个不同的第一编程状态。
31.根据权利要求28所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为在执行所述第二编程操作之后执行第二验证操作，以确定每一个所述存储器单元是否被编程到相应的目标编程状态，其中，使用不同的第二验证电压来验证Ki个不同的目标编程状态。
32.根据权利要求31所述的存储器装置，其中，用于验证第i个第一编程状态的第i个第一验证电压小于用于验证第i组中的Ki个目标编程状态的所述第二验证电压中的任何一个第二验证电压。
33.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
34.一种存储器装置，包括：
35.根据权利要求34所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为基于在编程期间所述目标编程状态的耦合偏移量将所述目标编程状态划分为不同的组。
36.根据权利要求35所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为当相邻目标编程状态的耦合偏移量在预定范围内时，将相邻目标编程状态分组在同一组中。
37.根据权利要求35所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为通过测量受耦合到相邻字线的存储器单元的阈值电压影响的耦合到选定字线的存储器单元的阈值电压的变化来确定所述目标编程状态的所述耦合偏移量。
38.根据权利要求34所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为从所述目标编程状态中选择所述选定目标编程状态，其中，所述选定目标编程状态具有比同一组内的其他目标编程状态高的阈值电压。
39.根据权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器装置的编程方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行第一编程操作包括根据所述n组的目标编程状态执行所述第一编程操作，其中，每一个所述存储器单元根据所述n组被编程到所述n个不同的第一编程状态中的所述相应一个第一编程状态。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.根据权利要求2所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，还包括：
10.根据权利要求7所述的方法，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，用于验证第i个第一编程状态的第i个第一验证电压小于用于验证第i组中的ki个目标编程状态的所述第二验证电压中的任何一个第二验证电压。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
13.一种存储器装置的编程方法，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
16.根据权利要求14所述的方法，还包括：
17.根据权利要求13所述的方法，还包括：
18.根据权利要求13所述的方法，还包括：
19.根据权利要求13所述的方法，还包括：
20.根据权利要求13所述的方法，还包括：
21.根据权利要求13所述的方法，还包括：
22.一种存储器装置，包括：
23.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
24.根据权利要求23所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为根据所述n组的目标编程状态执行所述第一编程操作，其中，每一个所述存储器单元根据所述n组被编程到所述n个不同的第一编程状态中的所述相应一个第一编程状态。
25.根据权利要求24所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为当相邻目标编程状态的耦合偏移量在预定范围内时，将相邻目标编程状态分组在同一组中。
26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
27.根据权利要求23所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为通过测量受耦合到相邻字线的存储器单元的阈值电压影响的耦合到选定字线的存储器单元的阈值电压的变化来确定所述目标编程状态的所述耦合偏移量。
28.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为在执行所述第一编程操作之后执行第一验证操作以确定每一个所述存储器单元是否被编程到n个不同的第一编程态中的所述相应一个第一编程状态。
29.根据权利要求28所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
30.根据权利要求28所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为使用n个不同的第一验证电压来验证所述n个不同的第一编程状态。
31.根据权利要求28所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为在执行所述第二编程操作之后执行第二验证操作，以确定每一个所述存储器单元是否被编程到相应的目标编程状态，其中，使用不同的第二验证电压来验证ki个不同的目标编程状态。
32.根据权利要求31所述的存储器装置，其中，用于验证第i个第一编程状态的第i个第一验证电压小于用于验证第i组中的ki个目标编程状态的所述第二验证电压中的任何一个第二验证电压。
33.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为：
34.一种存储器装置，包括：
35.根据权利要求34所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为基于在编程期间所述目标编程状态的耦合偏移量将所述目标编程状态划分为不同的组。
36.根据权利要求35所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为当相邻目标编程状态的耦合偏移量在预定范围内时，将相邻目标编程状态分组在同一组中。
37.根据权利要求35所述的存储器装置，其中，所述外围电路还被配置为通过测量受耦合到相邻字线的存储器单元的阈值电压影响的耦合到选定字线的存储器单元的阈值电压的变化来确定所述目标编程状态的所述耦合偏移量。
38.根据权利要求34所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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