【技术实现步骤摘要】
本专利技术提出了多模式集成电路芯片性能评估系统及方法，属于集成电路芯片测试。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元器件及布线互连一起，并安装在硅基板上，以形成一体化集成电路芯片。
2、集成电路芯片在制作完成后，需对集成电路芯片进行性能评估，集成电路芯片性能评估可以帮助检验芯片的性能，包括可靠性、功耗、速度等方面。通过性能评估，可以确保芯片达到规定的标准和要求，从而保证芯片产品的质量，集成电路芯片性能评估可以发现芯片中存在的缺陷和问题，及时进行调整和改进，减少后期修复的成本，同时，性能评估还可以为芯片设计者提供更好的反馈和指导，以便在设计阶段尽早解决问题和改进性能。
3、因为集成电路芯片有多个工作模式，但现有的性能评估方法不能全面评估集成电路芯片的性能。
技术实现思路
1、本专利技术提供了多模式集成电路芯片性能评估系统及方法，用以解决上述提到的问题：
2、本专利技术提出的多模式集成电路芯片性能评估系统及方法，所述方法包括：
3、根据集成电路芯片工作模式动态控制集成电路芯片所在性能评估箱体环境中的温度、供电电压和时钟频率参数，并将检测到的性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率发送至性能评估管理平台；
4、当根据所述集成电路芯片工作模式调整好所述性能评估箱中的环境参数，测试所述集成电路芯片的各种性能，包括功耗、数据
5、对输出的功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率数据进行处理和分析，并生成评估报告，再发送给所述性能评估管理平台；
6、性能评估管理平台接收所述集成电路芯片所在性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率参数并同步接收评估报告。
7、进一步的，根据集成电路芯片工作模式动态控制集成电路芯片所在性能评估箱体环境中的温度、供电电压和时钟频率参数，并将检测到的性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率发送至性能评估管理平台，包括：
8、根据芯片工作模式，设计相应的控制逻辑，实现对箱体内温度、供电电压和时钟频率参数的动态控制；
9、采用温度传感器、电流传感器和计时器对性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率检测；
10、将检测到的温度、供电电压和时钟频率数据发送给性能评估管理平台。
11、进一步的，根据所述集成电路芯片调整好所述性能评估箱中的环境参数，测试所述集成电路芯片的各种性能，包括功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率，包括：
12、当所述性能评估箱中的环境参数调整好后，性能评估箱开始计时，三分钟后触发逻辑分析仪测试信号，测试集成电路芯片的功耗，当逻辑分析仪10分钟内测试出多个功耗数据p1，p2,…,pn,n≥3，并计算出p＝(p1+p2+…+pn)/n后，触发数字信号处理器测试信号；
13、所述数字信号处理器产生不同频率的数字信号，所述性能评估箱监测相应的输出信号来评估芯片的数据传输速率，当所述性能评估箱10分钟内获取到多个数据传输速率数据d1,d2,…,dn,n≥3，并计算出d＝(d1+d2+…+dn)/n后，触发频率计测试信号，测试集成电路芯片的时钟精度；
14、当频率计10分钟内测试出多个时钟精度数据t1,t2,…,tn,n≥3，并计算出t＝(t1+t2+…+tn)/n后，触发光学投影仪测试信号，光学投影仪开始检测集成电路芯片的光学透射率o；
15、测试光学透射率可根据以下规则调整激光波长：
16、
17、其中，λa表示适合测试芯片的调整后激光波长，λ0表示测量前原始的激光波长，α表示衰减系数，d表示芯片厚度，n表示芯片的折射率，θ表示入射角度。
18、当光学投影仪10分钟内测试出多个光学透射率数据o1,o2,…,on,n≥3，并计算出o＝(o1+o2+…+on)/n后，所有性能数据检测完毕，性能评估箱获取所有性能数据并将其输出。
19、进一步的，对输出的功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率数据进行处理和分析，并生成评估报告，再发送给所述性能评估管理平台，包括：
20、对输出的功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率数据根据性能评估规则进行处理和分析，性能评估规则如下：
21、集成电路芯片有多种工作模式，包括：正常模式、低功耗模式、待机模式、长延时模式和高性能模式，当根据集成电路芯片不同的工作模式测试出功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率数据，根据
22、
23、评估集成电路芯片总的性能，其中，c表示集成电路芯片总的评估性能，其中dt、tt和ot可根据总数据传输率、总时钟精度和总光学透射率计算公式计算，dt表示总数据传输率，tt表示总时钟精度，ot表示总光学透射率，d-表示集成电路芯片各种模式下的平均数据传输率，t-表示集成电路芯片各种模式下的平均时钟精度，o-表示集成电路芯片各种模式下的平均光学透射率，p1表示正常模式功耗，w1表示正常模式功耗权重，p2表示低功耗模式功耗，w2表示低功耗模式功耗权重，p3表示待机模式功耗，w3表示待机模式功耗权重，p4表示长延时模式功耗，w4表示长延时模式功耗权重，p5表示高性能模式功耗，w5表示高性能模式功耗权重；
24、然后根据处理后的数据生成评估报告，并发送给性能评估管理平台。
25、进一步的，dt、tt和ot可根据总数据传输率、总时钟精度和总光学透射率计算公式计算，总数据传输率、总时钟精度和总光学透射率计算公式如下：
26、dt＝dn*w1+dl*w2+ds*w3+dd*w4+dh*w5
27、tt＝tn*w1+tl*w2+ts*w3+td*w4+th*w5
28、ot＝on*w1+ol*w2+os*w3+od*w4+oh*w5
29、其中，dt表示总数据传输率，tt表示总时钟精度，ot表示总光学透射率，dn、tn和on分别表示正常模式下的数据传输率、时钟精度和光学透射率，dl、tl和ol分别表示低功耗模式下的数据传输率、时钟精度和光学透射率，ds、ts和os分别表示待机模式下的数据传输率、时钟精度和光学透射率，dd、td和od分别表示长延时模式下的数据传输率、时钟精度和光学透射率，dh、th和oh分别表示高性能模式下的数据传输率、时钟精度和光学透射率。
30、本专利技术提出的多模式集成电路芯片性能评估系统，所述系统包括：
31、调整环境参数模块，用于根据集成电路芯片工作模式动态控制集成电路芯片所在性能评估箱体环境中的温度、供电电压和时钟频率参数，并将检测到的性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率发送至性能评估管理平台；
32、测试模块，当根据所述集成电路芯片工作模式调整好所述性能评估箱中的环境参数，测试所述集成电路芯片的各种性本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，根据集成电路芯片工作模式动态控制集成电路芯片所在性能评估箱体环境中的温度、供电电压和时钟频率参数，并将检测到的性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率发送至性能评估管理平台，包括：
3.根据权利要求1所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，当根据所述集成电路芯片调整好所述性能评估箱中的环境参数，测试所述集成电路芯片的各种性能，包括功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率，包括：
4.根据权利要求1所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，对输出的功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率数据进行处理和分析，并生成评估报告，再发送给所述性能评估管理平台，包括：
5.根据权利要求4所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，Dt、Tt和Ot可根据总数据传输率、总时钟精度和总光学透射率计算公式计算，总数据传输率、总时钟精度和总光学透射率计算公式如下：
6.多模式集成电路芯片性能评估系
7.根据权利要求6所述多模式集成电路芯片性能评估系统，其特征在于，所述调整环境参数模块包括：
8.根据权利要求6所述多模式集成电路芯片性能评估系统，其特征在于，所述测试模块包括：
9.根据权利要求6所述多模式集成电路芯片性能评估系统，其特征在于，所述处理分析模块包括：
10.根据权利要求6所述多模式集成电路芯片性能评估系统，其特征在于，所述显示模块包括：
...【技术特征摘要】
1.多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，根据集成电路芯片工作模式动态控制集成电路芯片所在性能评估箱体环境中的温度、供电电压和时钟频率参数，并将检测到的性能评估箱体内的温度、供电电压和时钟频率发送至性能评估管理平台，包括：
3.根据权利要求1所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，当根据所述集成电路芯片调整好所述性能评估箱中的环境参数，测试所述集成电路芯片的各种性能，包括功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率，包括：
4.根据权利要求1所述多模式集成电路芯片性能评估方法，其特征在于，对输出的功耗、数据传输速率、时钟精度和光学透射率数据进行处理和分析，并生成评估报告，再发送给所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴波，聂勇，许智良，张叶华，游鑫宇，马榤辉，
申请(专利权)人：吉安电科集成电路与通讯传输实验室科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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